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国内外のニュース/情報

性能指数を約67%低減した650V/12AのSiCダイオード、東芝が発売

2020年5月28日

東芝デバイス&ストレージは、順方向電圧と総電荷量の積で求める性能指数を同社従来品に比べて約67%低減したSiCショットキーバリアーダイオードを発売。同社第2世代の「改良型JBS(Junction Barrier Controlled Schottky)構造」を採用し、電力損失や発熱量を抑えられるようになった。

出典:日経xTECH

https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/07985/