LINEで送る
国内外のニュース／情報
「SEB耐量の規定は業界初」、宇宙用途に向けたダイオードをSTマイクロが発売
2020年5月19日
伊仏合弁STMicroelectronicsは、放射線耐性を備えた宇宙用途向けSiショットキーバリアーダイオードを8製品発売。SEB（Single Event Burnout）耐量を保証したことが特徴であるが、ショットキーバリアーダイオードに対するSEB耐量の規定は業界初という。
出典：日経xTECH
- 【SiC MOS酸化膜高品質化へのブレークスルー】（記事：5件）
- パナソニック、車載向け電源用インダクターの損失を半減
- USB充電器に向けた40 V耐圧GaN FET、EPCが3 mΩ品
- オン抵抗を62％削減したpチャネル型MOSFET、ローム発売
- 100 Wと大出力のC帯GaNパワーアンプ、Qorvoがレーダー向け
- SiCより25％も損失低威、EV向けGaN FETをTransphorm発売
- IGBTの性能はまだ伸びる、新構造で損失6割減、SiCに迫る勢い
- オン抵抗を29％削減した600 V耐圧MOSFET、Vishayが発売
- 最大動作温度が＋125 ℃と高いフォトカプラー、東芝が発売
- 「価格はSi並み」のSiCパワー素子、米企業が逆張りで勝負
- GaN FETとドライバーを集積した車載用電源IC、TIが発売
- 実装面積を23％削減した600 V耐圧SJ型MOSFET、A&O発売
- 170 V耐圧のGaN FET、EPCがオン抵抗6.8 mΩ品
- 再エネ発電の大型インバーター向けフィルムコン、TDK発売
- 損失を約30%削減したSiCパワーMOSFET、三菱電機が発売
- 700 V／1200 V耐圧の車載用SiCダイオード、Microchip発売
- 東芝がSiCの外販に本気、ダイオード内蔵MOSFETで攻勢
- 電源電圧範囲が2.5〜16Vと広いモーター駆動IC、東芝が発売
- バッテリーの電圧変動に強い車載用DC-DCコンIC、ロームが発売
- 福島SiC応用技研（株） 31億円を資金調達 SiCでがん治療
- 性能指数が競合比14％優れるMOSFETハーフブリッジ、Vishay
- EV用充電器向け、Infineonが耐圧を650 Vに高めたパワーMOSFET
- GaN FETとSiゲートドライバーを1パッケージ化、STMicro発売
- オン抵抗が61 mΩと低い200 V耐圧MOSFET、Vishay発売
- 東芝が車載向けLDMOSの耐圧劣化メカニズムを解明、信頼性向上へ
- オン抵抗が3.2 mΩと低い100 V耐圧GaN FET、EPCが発売
- 車載アナログパワーICで東芝が新設計技術、職人技廃して体系化
- InfineonがSiCを200mm基板で25年量産へ ついにIGBTに並ぶ
- 三菱電機が第2世代フルSiCモジュール、オン抵抗を15％低減
- SiC MOSFET搭載のモーター駆動評価ボード、Infineon発売
- GaNデバイス搭載のアナログ方式PFC評価ボード、Transphormが発売
- 太陽光発電用インバータ向けIGBTモジュール、三菱電機発売
- オン抵抗が8 mΩと低い200 V耐圧GaN FET、EPC発売
- オン抵抗が50 mΩと小さい900 V耐圧GaN FET、Transphorm発売
- 30年来の課題解決に道、SiC MOSFETのコストを数分の1へ 京大と東工大のグループが新たな酸化膜形成法
- オン抵抗が1.7 mΩと低い -30 V耐圧MOSFET、Vishay発売
- GaN on SiCで造るRFパワーアンプ、MACOMが65 Wの高出力品
- 体積が58 ccと小さいGaN採用ACアダプタ、GaN Systemsが開発
- 車載充電器向けフライバック電源IC、Power Integrationsが発売
- SiC MOSFETの結晶欠陥問題を解決へ、東芝が新デバイス構造
- GaN on SiCで業界最大出力、Qorvoが150 WのRFパワーアンプ
- GaNで小型化したデータセンター向け48 V電源、EPCが開発
- 東芝が第2世代SiCダイオードに4つの新製品、PFC回路向け
- 「業界最高精度」、三菱電機がSiCパワーMOSFETのSPICEモデル
- 低オン抵抗の1200 V耐圧SiCパワーMOSFETモジュール、インフィニオンが発売
- EV電圧倍増へ、800Vの衝撃 ポルシェ・日立が先陣
- 放射線耐性を備えたパワーMOSFET、インフィニオンが宇宙用途向けに発売
- 「業界トップの低オン抵抗を実現」、ロームが第4世代のSiCパワーMOSFETを開発
- 「業界最高水準の性能指数を実現」、三菱電機が1200V耐圧SiCパワーMOSFET
- 自動車やデータセンターなどに向けた650 V耐圧のGaN FET、ネクスペリアが発売
- 「電力損失を50％削減できる」、インフィニオンが1700 V耐圧のSiCパワーMOSFET
- 電力損失を従来品比で10％削減したモーター駆動用IPD、東芝が発売
- 性能指数を約67％低減した650V／12AのSiCダイオード、東芝が発売
- EVやデータセンターの＋48V配電に向けたDC-DCコンバーター、バイコーが発売
- Alpha & OmegaがSiCパワーMOSFET市場に参入、まずは1200V耐圧品を投入
- 「SEB耐量の規定は業界初」、宇宙用途に向けたダイオードをSTマイクロが発売
- オン抵抗が低い車載機器向け40V／60V耐圧MOSFET、東芝が発売
- オン抵抗を60％削減したDFN0606封止のMOSFET、ネクスペリアが発売
- トランスフォームが第4世代のGaN FETを発売、性能指数を10％改善
- オン抵抗を抑えた＋650V耐圧のSiCパワーMOSFET、クリーが発売
- 1.5mm×1.1mm×0.39mmと小さいゲート駆動IC、インフィニオンが発売
- トランスフォームとマイクロチップがGaNデバイス搭載のPFC評価ボード
- 「安全性マージンが広い」SiCダイオード、インフィニオンが2端子D2PAK品
- 東芝デバイス＆ストレージ、650V耐圧SJ型MOSFETの品ぞろえを拡充
- トヨタとホンダが続々採用、 新パワー素子は本命SiCへの“つなぎ”
- 最新プロセス採用でオン抵抗を40％削減した80V耐圧MOSFET、東芝が発売
- 高速スイッチング対応の900V／1200V耐圧SiC MOSFET、オンセミが発売
- 低オン抵抗のpチャネル型MOSFETをトレックスが2製品発売
- GaNトランジスタとゲートドライバーを集積したIC、EPCが発売
- 低電流化が図れるIGBT／MOSFET駆動向けフォトカプラー、東芝が発売
- 実装面積が18mm×7.5mmと小さいBLDCモーター駆動用IPM、A & Oが発売
- 最新プロセスの採用でオン抵抗を1.92 mΩに抑えた100V耐圧MOSFET、東芝が発売
- オン抵抗を削減した650 V耐圧のSiCパワーMOSFET、インフィニオンが発売
- ソースダウン構造のパッケージに封止した25 V耐圧MOSFET、インフィニオンが発売
- 「業界最高性能」の広帯域GaNパワーアンプIC、Qorvoが発売
- ネクスペリアが25V耐圧パワーMOSFETの品ぞろえを拡充、0.57mΩの低オン抵抗品を投入
- オン抵抗が2.35mΩと低い80V耐圧パワーMOSFET、ビシェイが発売
- 最新プロセスの採用でオン抵抗を削減した車載向けMOSFET、東芝デバイス&ストレージが発売
- SiCウエハー、ロームの独子会社がSTマイクロエレクトロニクスに複数年供給
- SOI技術で造る650V対応のハーフブリッジ用ゲートドライバーIC、インフィニオンが発売
- オン抵抗を低減した100V耐圧の車載向けMOSFET、東芝デバイス＆ストレージが発売
- 2020年6月9日
- 印刷する