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「SEB耐量の規定は業界初」、宇宙用途に向けたダイオードをSTマイクロが発売

• 性能指数を約67％低減した650V／12AのSiCダイオード、東芝が発売
• EVやデータセンターの＋48V配電に向けたDC-DCコンバーター、バイコーが発売
• Alpha & OmegaがSiCパワーMOSFET市場に参入、まずは1200V耐圧品を投入
• 「SEB耐量の規定は業界初」、宇宙用途に向けたダイオードをSTマイクロが発売
• オン抵抗が低い車載機器向け40V／60V耐圧MOSFET、東芝が発売
• オン抵抗を60％削減したDFN0606封止のMOSFET、ネクスペリアが発売
• トランスフォームが第4世代のGaN FETを発売、性能指数を10％改善
• オン抵抗を抑えた＋650V耐圧のSiCパワーMOSFET、クリーが発売
• 1.5mm×1.1mm×0.39mmと小さいゲート駆動IC、インフィニオンが発売
• トランスフォームとマイクロチップがGaNデバイス搭載のPFC評価ボード
• 「安全性マージンが広い」SiCダイオード、インフィニオンが2端子D2PAK品
• 東芝デバイス＆ストレージ、650V耐圧SJ型MOSFETの品ぞろえを拡充
• トヨタとホンダが続々採用、 新パワー素子は本命SiCへの“つなぎ”
• 最新プロセス採用でオン抵抗を40％削減した80V耐圧MOSFET、東芝が発売
• 高速スイッチング対応の900V／1200V耐圧SiC MOSFET、オンセミが発売
• 低オン抵抗のpチャネル型MOSFETをトレックスが2製品発売
• GaNトランジスタとゲートドライバーを集積したIC、EPCが発売
• 低電流化が図れるIGBT／MOSFET駆動向けフォトカプラー、東芝が発売
• 実装面積が18mm×7.5mmと小さいBLDCモーター駆動用IPM、A & Oが発売
• 最新プロセスの採用でオン抵抗を1.92 mΩに抑えた100V耐圧MOSFET、東芝が発売
• オン抵抗を削減した650 V耐圧のSiCパワーMOSFET、インフィニオンが発売
• ソースダウン構造のパッケージに封止した25 V耐圧MOSFET、インフィニオンが発売
• 「業界最高性能」の広帯域GaNパワーアンプIC、Qorvoが発売
• ネクスペリアが25V耐圧パワーMOSFETの品ぞろえを拡充、0.57mΩの低オン抵抗品を投入
• オン抵抗が2.35mΩと低い80V耐圧パワーMOSFET、ビシェイが発売
• 最新プロセスの採用でオン抵抗を削減した車載向けMOSFET、東芝デバイス&ストレージが発売
• SiCウエハー、ロームの独子会社がSTマイクロエレクトロニクスに複数年供給
• SOI技術で造る650V対応のハーフブリッジ用ゲートドライバーIC、インフィニオンが発売
• オン抵抗を低減した100V耐圧の車載向けMOSFET、東芝デバイス＆ストレージが発売

• 2020年6月9日
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