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国内外のニュース/情報

トランスフォームが第4世代のGaN FETを発売、性能指数を10%改善

2020年4月15日

米Transphormは、同社の第4世代に当たるGaNパワートランジスタ(FET)を開発し、サンプル出荷を始めた。オン抵抗と出力電荷量(QOSS)の積である性能指数を10%改善した。

出典:日経xTECH

https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/07595/