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国内外のニュース/情報

東芝デバイス&ストレージ、650V耐圧SJ型MOSFETの品ぞろえを拡充

2020年4月3日

東芝デバイス&ストレージは、スーパージャンクション(SJ)構造を採用した650 V耐圧パワーMOSFET「DTMOSVIシリーズ」の品ぞろえを拡充。オン抵抗が低く、ゲート-ドレイン間電荷量が少ないため、オン抵抗と電荷量の積で求める性能指数が約40%改善されている。

出典:日経xTECH

https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/07504/