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国内外のニュース/情報

高速スイッチング対応の900V/1200V耐圧SiC MOSFET、オンセミが発売

2020年3月31日

米ON Semiconductorは、高速スイッチングに対応した900 V耐圧と1200 V耐圧のSiCパワーMOSFETを発売。チップ寸法を小型化し入力容量や出力容量、ゲート電荷量などを削減したことにより、高周波動作時のスイッチング損失を低減している。

出典:日経xTECH

https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/07464/