SiCアライアンス

オールジャパンの「情報交差点」で、「パワー半導体 SiC」の開発に未来が見える。
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基礎知識資料集


 ここではSiCと関連した科学技術情報を入手できます。
 構成は、材料分野、デバイス・プロセス分野、回路・実装・応用分野と3つの分野に分け、基礎から先端のトピックスまで項目を取り上げて解説していきます。詳細に近づきたい方のために、参考になる原著論文をできるだけ参照できるようにします。
 ニューカマーの方にはアブストラクトで問題の所在を知り、また異なる分野の専門をおいている方には隣の分野について知って頂きたいと思います。現役の方には、建設的な意見を寄せて頂き、加筆修正を加えて内容を充実させていきたいと考えます。
 当初は広報委員会の各分野の担当委員が項目を取り上げていきますが、会員から、内容、取り上げたい項目について質問・意見ボックスから質問、要望等を寄せて下さい。インタラクティブな形で管理・運営していきたいと思います。
 各分野の担当委員は次の方々です。
  材料分野
     大谷 昇 (関西学院大学)
     土田秀一 (電力中央研究所)
  デバイス・プロセス分野
     冬木 隆 (奈良先端科学技術大学院大学)
     田中保宣 (産業技術総合研究所)
     谷本 智 (日産自動車)
  回路・実装・応用分野
     新井 学 (新日本無線)
     北畠 真 (パナソニック)
     四戸 孝 (東芝)

材料分野
 ○エピタキシャル成長の低オフ角度化  ○オフ基板・オフ角
 ○ガス法(高温CVD法、HTCVD )
 ○貫通刃状転位(TED : threading edge dislocation)
 ○貫通らせん転位(TSD : threading screw dislocation)
 ○基底面転位(BPD : basal plane dislocation)  ○極紫外ラマン分光
 ○結晶欠陥  ○結晶多形(ポリタイプ)  ○高耐熱ナノテクレジン
 ○サイトコンペティション効果  ○酸化膜界面あるいは酸化膜中の炭素
 ○昇華再結晶法(改良レーリー法)  ○触媒定盤
 ○ショックレー型積層欠陥  ○ステップ制御エピタキシー
 ○ステップ-テラス構造  ○絶縁破壊電界強度のドーピング密度依存性
 ○ドナー―アクセプター対発光  ○トワイマン効果
 ○フォトルミネッセンス測定

 ○CVDエピタキシャル成長  ○FCCS法  ○PLマッピング・イメージング測定
 ○RAF法( Repeated a-face )

デバイス・プロセス分野
 ○アクティブゲート制御  ○アクティブ酸化  ○イオン注入法
 ○インパットダイオード  ○ウェット酸化(パイロジェニック酸化)
 ○埋め込みトレンチ型SiC-JFET  ○オーミックコンタクト  ○化学研磨
 ○活性化アニール  ○キャップアニール  ○傾斜エッチング法
 ○ゲートスタック  ○欠陥選択エッチング
 ○最大接合温度(ジャンクション温度)  ○酸化膜信頼性  ○実効移動度
 ○終端構造  ○スーパージャンクション  ○ターマン法
 ○ダウンフォール  ○チャネル移動度  ○デルタドープ層  ○電界効果移動度
 ○ノーマリーオフJFET  ○バイポーラ劣化  ○バリガー(Baliga)の性能指数
 ○パンチスルー  ○フラットバンドシフト電圧  ○放電加工
 ○マルチワーヤーソー切断  ○メサJTE
 ○ライフタイムキラーとキャリヤライフタイム
 ○ワイヤーソーの搖動(rocking)方式

 ○ACCUFET(蓄積モードFET)  ○CARE(触媒基準エッチング)
 ○CMP(化学機械研磨)  ○DMOSFET  ○Hi-Lo C-V法  ○IEMOSFET
 ○MOS界面準位密度評価法  ○PCVMP(プラズマCVM)
 ○RESURF  ○SiC-DACFET  ○SiC-MESFET  ○TLM法

回路・実装・応用分野
 ○アノードリアクトル  ○高電圧DC給電システム  ○スナバ回路
 ○ソフトリカバリー  ○ダイオードブリッジ回路
 ○プラグインハイブリッドカー  ○無効電力補償装置SVC

 ○DC-DCコンバータ  ○PWMインバータ  ○SIV