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Hot&Coolな技術解説


「ホット&クールな技術解説」欄の新設にあたって
                   広報委員会 委員長 荒井和雄

 SiCデバイスの家電、地下鉄・通勤電車などへの導入など、SiCアライアンスにとってもSiCデバイス実用化への期待が高まる今日この頃です。ここに至るまでには色々な技術開発がありました。
 しっかりした教科書も何冊か上梓されていますが、この欄では、SiCデバイス開発にまつわるホットな技術開発に焦点をあてて、読みやすいクールな解説を特集することにしました。質問を歓迎します。会員の交流の一助にもしたいと思っています。
 追々話題の範囲を広げ、SiCパワーエレクトロニクスの全体をカバーできるようにしたいと思います。編集は広報委員会が担当します。色々御意見をいただければ幸甚です。


電子線やX線による結晶の欠陥解析とそのSiC テクノロジーへの応用
松畑洋文、山口博隆 (産業技術総合研究所)
  1. 放射光を利用したベルク・バレット法による pn 接合の逆バイアス電流リークの解析
  2. 放射光を利用したX線トポグラフ法によるMOS構造絶縁破壊の解析
  3. 放射光を利用したX線トポグラフ法による潜傷の発生原因の解析
  4. 放射光を利用したX線トポグラフ法によるエピ膜成長に伴う転位組織の変化
  5. 走査型電子顕微鏡(SEM)によるエピ膜表面の欠陥の観察 1
  6. 走査型電子顕微鏡(SEM)によるエピ膜表面の欠陥の観察 2
  7. 基底面転位とショックレー型積層欠陥の構造
  8. 電子ホール対再結合に誘起されたエピ膜中での基底面転位の観察:1
  9. 電子ホール対再結合に誘起されたエピ膜中での基底面転位の移動の観察:2
  10. pn 接合構造作製に伴う転位組織の変化
  11. 電子顕微鏡による貫通らせん転位の観察
  12. 貫通らせん転位のX線トポグラフ法による観察

エリプソメトリ観察でわかる界面
吉田貞史 (産業技術総合研究所)
ラマン散乱を用いてSiCの物性をどのように評価するか
中島信一 (大阪大学 名誉教授)
三谷武志 (産業技術総合研究所)
シリコンパワーデバイスの発展と新材料デバイスの展開
岩室憲幸 (筑波大学 教授)