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デバイス・プロセス分野

インパットダイオード

 IMPAct-ionaizaton Time Transit Diodeの略称。
 マイクロ波を発振、増幅する走行時間素子の一種。

 PN接合またはショットキー接合で形成したダイオードの構造からなる。 電極間に逆方向電圧を印加してなだれ増倍を生じさせ、発生した電荷が空乏層中を走行する間に電極間に重畳する高周波が減速電界となるマイクロ波を発生する。 SiCでは同じ空乏層厚でもより大きな電圧が印可できるため、SiやGaAsに比べて大電力動作が期待できる。

参考文献
M. Arai, S. Ono and C. Kimura,"IMPATT oscillation in SiC p-n--n+ diodes witha guard ring formed by vanadium ion implantation", Electronics Letters Vol.40, No.16, pp.1026-1027, 2004

(新井 学)