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基礎知識資料集

 

デバイス・プロセス分野

MOS界面準位密度評価法

容量−電圧(C-V)測定から求める手法がよく用いられる。高周波C-V特性と理論曲線の傾きのずれから求めるターマン法や、高周波C-V特性と低周波C-V特性を組み合わせたHi-Lo C-V法が代表的な界面準位密度の評価法である。その他に、深いエネルギーの界面準位が評価できるphoto C-V法や、界面準位だけでなく捕獲断面積の評価ができるコンダクタンス法がある。最近では応答の速い界面準位の評価と表面ポテンシャルを正確に決める手法として、C-ψs(容量−表面ポテンシャル)法が提案されている。

(矢野裕司)