SiCアライアンス

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基礎知識資料集

 

デバイス・プロセス分野

電界効果移動度

MOSFET動作の線形領域において、ドレイン電圧を一定としたときのゲート電圧に対するドレイン電流の変化(相互コンダクタンス)から求めたチャネル移動度。電界効果移動度を計算する際にはしきい値電圧は不要であるため、SiC MOSFETではよく用いられる。実効移動度と電界効果移動度の最大値は同じとなる。

(矢野裕司)