SiCアライアンス

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基礎知識資料集

 

デバイス・プロセス分野

実効移動度

MOSFET動作の線形領域において、ゲート電圧を一定にしたときのドレイン電圧に対するドレイン電流の変化(ドレインコンダクタンス)から求めたチャネル移動度。実効移動度を計算する際にはしきい値電圧が必要となるが、界面準位の多いSiC MOSFETでは、明確なしきい値電圧を決めることが難しい場合があり、その場合は実効移動度を決めることが難しい。

(矢野裕司)