SiCアライアンス

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基礎知識資料集

 

デバイス・プロセス分野

チャネル移動度

MOSFETチャネル内のキャリヤの移動しやすさを表す指標である。一般にパワーMOSFETは線形領域で動作させていることから、線形領域(小さいドレイン電圧)における電流―電圧特性から求めた実効移動度(μeff)と電界効果移動度(μFE)がよく用いられる。ともにしきい値電圧を超えたゲート電圧に相当するキャリヤ密度(Cox(Vgs-Vth))が誘起され、それらがMOSチャネル内を移動するとした際の移動度であるが、実際には界面準位などに捕獲されて動けないキャリヤも多く、真のチャネル移動度ではないことに注意が必要である。可動キャリヤ密度と真のチャネル移動度を求めるには、MOSFETチャネルに対してHall効果測定を行う必要がある。

(矢野裕司)