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基礎知識資料集

 

材料分野

昇華再結晶法(改良レーリー法)

SiC単結晶を製造する結晶成長方法の一つで、工業的に最も広く用いられている方法である。SiC固体原料(通常は粉末)を高温(2000℃以上)で加熱・昇華させ、不活性ガス雰囲気中を輸送後、低温部に設置された種結晶上に再結晶化させることにより塊状の単結晶を育成する。1970年代後半から80年代にかけて旧ソ連のTairovらによって開発された方法で、物理的輸送成長法(physical vapor transport method)とも呼ばれる。

参考文献
Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov: J. of Cryst. Growth 43 (1978) 209; ibid 52 (1981) 146.
FEDジャーナル、Vol. 11, No. 2, 2000年
最近の進展については、Materials Science Forum (Trans Tech Publications Inc.)の関連論文を参照

(大谷 昇)