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国内外のニュース/情報

最新プロセスの採用でオン抵抗を1.92 mΩに抑えた100V耐圧MOSFET、東芝が発売

2020年2月27日

東芝デバイス&ストレージは、オン抵抗が1.92 mΩと低い100 V耐圧のSiパワーMOSFETを発売。同社の最新プロセス技術を適用することに加えて、低抵抗のパッケージであるTO-220SM(W)に封止することでオン抵抗を抑えた。

出典:日経xTECH

https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/07165/