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国内外のニュース/情報

SOI技術で造る650V対応のハーフブリッジ用ゲートドライバーIC、インフィニオンが発売

2020年1月14日

独Infineon Technologiesは、SOI技術で製造した650V対応のゲートドライバーICを発売。ブートストラップダイオードを集積した点が特徴であり、負の過渡電圧に対する耐性が100Vと高く、MOSFETやIGBTのラッチアップ耐性を引き上げることができる。

出典:日経xTECH

https://tech.nikkeibp.co.jp/atcl/nxt/news/18/06826/