1. ホーム
  2. 国内外のニュース/情報>
  3. 記事情報>
  4. 2019年>
  5. 東芝、SiC製MOSFETのチャネル領域の抵抗を40%低減 - ISPSD 2019で発表

国内外のニュース/情報

東芝、SiC製MOSFETのチャネル領域の抵抗を40%低減 - ISPSD 2019で発表

2019年5月22日

東芝の研究開発センターは、毒性がなく取り扱いが容易な窒素(N2)ガスを使用する新プロセス技術を縦型SiC MOSFETに適用したところ、従来技術と比べてチャネル抵抗を約40%低減することができたとISPSDにおいて発表。

出典:日経xTECH

https://tech.nikkeibp.co.jp/atcl/nxt/news/18/05044/?ST=nxt_thmdm_device