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国内外のニュース/情報

ビシェイがオン抵抗を36%削減した60V耐圧MOSFETを発売、全ゲート電荷量は52nC

2019年2月20日

米Vishay Intertechnology社は、前世代品に比べてオン抵抗を36%削減した+60V耐圧のパワーMOSFET「SiR626DP」を発売した。

出典:日経XTECH

https://tech.nikkeibp.co.jp/atcl/nxt/news/18/04197/?ST=nxt_thmdm_device