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国内外のニュース/情報

STとLeti、電力変換アプリケーション向けのGaN-on-Si技術を開発

2019年2月1日

多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)と、CEA Tech(フランス原子力・代替エネルギー庁の技術研究拠点)の研究機関であるLetiは、パワー・スイッチング製品向けのGaN-on-Si(シリコン・ウェハ上に形成した窒化ガリウム)技術の実用化で協力することを発表。

出典:日経XTECH

https://tech.nikkeibp.co.jp/dm/PR/10000011/20005399/