1. ホーム
  2. 国内外のニュース/情報>
  3. 記事情報>
  4. 2019年>
  5. ファスト・リカバリー・ダイオード内蔵の600V耐圧SJ型パワーMOSFET、STマイクロが発売

国内外のニュース/情報

ファスト・リカバリー・ダイオード内蔵の600V耐圧SJ型パワーMOSFET、STマイクロが発売

2019年1月18日

伊仏合弁STMicroelectronics(STマイクロ)社は、ファスト・リカバリー・ボディー・ダイオードを内蔵した+600V耐圧のスーパージャンクション(SJ)型パワーMOSFET「MDmesh DM6 600V MOSFET」を発売した(ニュースリリース)。ファスト・リカバリー・ボディー・ダイオードの内蔵に加えて、同社独自の「キャリアー・ライフ・タイム制御技術」も搭載しているため、逆回復時間(trr)を最小限に抑えられるという。

出典:日経XTECH

https://tech.nikkeibp.co.jp/atcl/nxt/news/18/03945/