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国内外のニュース/情報

TI、600V耐圧GaN FETとゲートドライバーを集積した電力変換段IC

2018年10月31日

米Texas Instruments(TI)社は、+600V耐圧のGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタとゲートドライバーを集積した電力変換段(パワーステージ)ICを3製品発売した。

出典:日経XTECH

https://tech.nikkeibp.co.jp/atcl/nxt/event/18/00038/110700003/