1. ホーム
  2. 国内外のニュース/情報>
  3. 記事情報>
  4. 2018年>
  5. ルネサス、放射線耐性を備える宇宙向けGaN FETなどを発売

国内外のニュース/情報

ルネサス、放射線耐性を備える宇宙向けGaN FETなどを発売

2018年2月8日

ルネサス エレクトロニクスは、放射線耐性を備えるGaNパワートランジスタと、その駆動に向けたゲートドライバーICを発売した。
(出典:日経XTECH)

http://tech.nikkeibp.co.jp/dm/atcl/news/15yk/020801118/?ST=nxt_thmdm_device