国内外のニュース/情報

2014年

2014年12月24日 半導体産業新聞

ツー・シックス、SiCウエハー、15年に8インチ出荷。大口径化をリード

SiC(シリコンカーバイド)ウエハー大手のツーシックス(日本法人=千葉市美浜区中瀬 2-6-1 )は、2015年をめどに8インチサイズのパワーデバイス用(4H・n型)SiCウエハーのサンプル出荷を開始することを明らかにした。低コスト化が求められるSiCウエハーで、他社より早く大口径化をリードしていく考え。
同社は戦闘機メーカーのノースロップ・グラマン社からSiCウエハー事業を01年に買収した。3~4インチでは競合他社が先行するなか、現行で最大口径サイズとなる6インチでは業界に先駆けて市場投入を開始。現在、6インチでは米クリーと並んで、業界の主導的立場にあるとみられる。……                                                                                   

2014年12月24日 半導体産業新聞

SiC電圧パルス発生器を事業化。15年に工場設立ヘ。
インタビュー:福島SiC応用技研(株)代表取締役 古久保雄二氏、取締役 平井敦彦氏

福島SiC応用技研(株)(福島県いわき市小名浜島字高田町44-7)は、中性子応用技術の研究開発型べンチャー、(株)京都ニュートロニクス(京都市下京区)、ローム(株)(同右京区)らが2014年9月に設立した合弁会社である。科学技術振興機構(JST)のスーパークラスタープログラムでの開発成果をべースに、SiC高電圧発生器の事業化を進めている。代表取締役の古久保雄二氏、取締役の平井淳彦氏に話を聞いた。
―― 貴社設立の背景と概要を。
古久保 JSTスーパークラスタープログラムの一環として、SiC-MOSFETを塔載したスイッチングモジュールを京都ニュートロニクス、ローム、(有)品川通信計装サービス(福島県いわき市)で共同開発した。この完成度が非常に高かったことから、合弁会社による事業化を目指し、量産販売会社として設立したのが当社である。……

2014年12月24日 TechOn!

次世代パワー半導体、この1年――SiCがクルマに、GaNは実用化始まる(新しいウインドウで開きます)

進展著しいSiCやGaNといった次世代のパワー半導体。2014年はSiCのパワー半導体素子(パワー素子)の適用範囲がグンと広がり、GaNパワー素子は実用化が始まった。
SiCでは、自動車業界が車体を動かす駆動システムにまで、SiCパワー素子を採用する動きが出てきたことが、2014年の大きなトピックだった。……

2014年12月23日 日刊工業新聞

ローム、トレンチ型パワー半導体のSiC製MOSFETを来年から量産

ロームは2015年前半に、スイッチング時の電流損失などをシリコン製と比べ数分の1に低減できる「トレンチ型」のパワー半導体、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の量産を開始する。パワー半導体は自動車や鉄道車両、産業機械、家電などに幅広く使われる。同社は世界で初めてSiCでMOSFETの量産を始めた。トレンチ型の量産は当初計画より遅れたが、競合他社との開発競争が激しくなる中で先陣を切る。……

2014年12月24日 TechOn!

エディターズ・ノート:
パワー半導体が4.0ならWebは今いくつ?(新しいウインドウで開きます)

「パワー半導体 4.0」です。この言い回しで表したかったのは、今が歴史的な転換点にあること。SiCやGaNといった新材料の投入は、電力変換の分野を一変させる可能性があります。折しも青色LED向けGaNの研究でノーベル賞を受けた天野浩氏は「いずれは新幹線の重い変圧器を半導体で置き換えたい」と語っていました。……

2014年12月22日 TechOn!

パワー半導体4.0
【第1部:SiC動向】SiCがメジャーデビュー、クルマの心臓部に載る(新しいウインドウで開きます)

(日経エレクトロニクス、2014年12月22日号)
長らくSi一辺倒だったパワー半導体に世代交代の波が押し寄せてきた。その主役はSiCやGaNといった次世代パワー半導体だ。SiCパワー素子は自動車に搭載され、GaNパワー素子は実用化が始まった。……

2014年12月22日 TechOn!

パワー半導体4.0
【第2部:GaN動向】GaNパワー素子が離陸、次世代品はSiCの代替を視野(新しいウインドウで開きます)

(日経エレクトロニクス、2014年12月22日号)
GaNパワー素子がパワコンやオーディオ機器などに採用された。さまざまな電源に適用できる耐圧600V品が量産されている。GaN基板上に高耐圧のGaNパワー素子を作る研究開発も始まった。……

2014年12月18日 itmedia

電力供給サービス:
日本が認めるスイスの技術、直流で効率良く送電できるHVDC(新しいウインドウで開きます)

日立製作所とスイスABBは2014年12月16日、国内向けに高圧直流送電(HVDC: High Voltage Direct Current)事業を展開するための合弁会社を設立することに合意したと発表した。日立製作所が51%、ABBが49%を出資する。「2015年4月に合弁会社を設立し、年間10~20億円の売上を目指す」(日立製作所)。……

2014年12月18日 TechOn!

英電力が欧州最大6MWの蓄電池で系統安定化、再エネ大量導入で実証(新しいウインドウで開きます)

英国の電力会社のUK Power Networks社は12月15日、大規模な蓄電池を使った電力網の安定運用の実証を開始すると発表した。
太陽光発電など出力変動の大きい再生可能エネルギーの大量導入の実現を目的とする。既存の電力網において、コスト効率の高い大規模な蓄電池の導入や運用の方法を検証する。……

2014年12月17日 TechOn!

パワー半導体の技術マップを探る(新しいウインドウで開きます)
ソリューション事業であることに留意した技術開発が必須

パワー半導体の分野で、SiCやGaNなど化合物半導体系の材料を使った製品開発が活発化してきた。そして、パワー半導体メーカーごとに、技術開発戦略に差が見えてきた。今回のSCR大喜利では、材料を軸としてパワー半導体事業の先行きを見通すことを目的とした。……

2014年12月17日 日本経済新聞

はんだ、300度耐熱、茨城大、新技術、太陽光インバーター向け、効率化に道

茨城大学が基板の接合などに使うはんだ付けで、約300度の熱にも耐える技術を開発した。太陽光発電で電力の安定供給などに貢献できる、高機能インバーターの普及後押しにつながるという。今後ははんだ製造を手掛ける千住金属工業(東京・足立)がこの新技術の実用化を目指す。茨城大学によると、250~500度の高温に耐えるはんだ接合の技術は初めてだという。
太陽光発電は気候や時間帯によって電力が安定しないため、エネルギーの損失が大きいという問題があった。これは炭化ケイ素(SiC)を使った半導体インバーターを使うことで損失を4分の1まで減らすことができるが、SiCインバーターの機能を完全な状態で使うには250度の高温で作動する必要がある。……

2014年12月17日 TechOn!

赤道ギニアに太陽光発電を主電源としたアフリカ最大のマイクログリッド、米企業が配電システムを供給(新しいウインドウで開きます)

米国の電力マネジメント関連会社のEaton社は12月11日、赤道ギニアのアンノボン島に構築された、出力5MWの太陽光発電を主電源としたマイクログリッドに、自社の電設サービスや配電設備を供給したと発表した。
アフリカで最大規模の太陽光発電による自給自足型マイクログリッドになるという。……

2014年12月16日 日刊工業新聞

早大、1600Vの世界最高耐圧持つダイヤモンド製トランジスタ開発-IEDMで発表

早稲田大学理工学術院の川原田洋教授の研究グループは、1600ボルトの世界最高耐圧を持つダイヤモンド製のトランジスタを開発した。自動車や電車、ロボットなど動力系の消費電力を下げる次世代のパワー半導体として実用化が期待される。米国のサンフランシスコで開かれている国際電子デバイス会議(IEDM)で発表する。……

2014年12月15日 TechOn!

デンソー、小型SiCインバーターの内部構造を公開(新しいウインドウで開きます)

デンソーは、自動車関連の展示会「人とくるまのテクノロジー展2014名古屋」(主催:自動車技術会)で、小型SiCインバーターの内部構造を公開した。今年5月の横浜の展示会では、外観の公開にとどまっていたが、今回はケースを外して内部まで見せた。……

2014年12月15日 日経産業新聞

三菱電機、パワー半導体、消費電力低減(フラッシュ)

三菱電機は鉄道車両の制御などで使う大容量パワー半導体のモジュール(複合部品)で、消費電力を低減できる次世代品の開発を始めると発表した。従来品ではドイツの半導体メーカー、インフィニオン社の製品との互換性を持たせており、次世代品も外形寸法や端子の位置などをそろえる方針だ。……

2014年12月14日 TechOn!

安川電機、世界で初めてGaNパワー半導体を住宅太陽光向けパワコンに採用、設置面積は半分(新しいウインドウで開きます)

安川電機は12月11日、GaN(窒化ガリウム)を使ったパワー半導体モジュールを搭載した住宅用屋内設置型パワーコンディショナー(PCS)の販売を開始するとした発表した。太陽光発電用PCSにGaNパワー半導体を採用したのは世界で初めてで、このクラスで世界最小サイズを実現したという。年間3万4000台の販売を予定する。……

2014年12月12日 TechOn!

GaNパワーデバイス市場は、2020年に6億米ドルに達する
Yole Developpement のGaNパワー半導体市場レポートから

どこもかしこもGaN(窒化ガリウム)パワー半導体だ。GaNを使用したパワーデバイスにとって、市場のけん引力はとても重要だ。(2020年に市場を支配するであろう)電源/PFC(力率改善)部門からUPS(無停電電源装置)とモーター駆動まで、複数の応用分野がGaN-on-Siパワーデバイスの特異性による恩恵を受けることになるだろう。
こういった応用に加え、2020年以降、電気自動車(EV)とハイブリッド自動車(HEV)が、そういった新材料やデバイスを採用し始めるだろうとYole Developpementは考える。……

2014年12月12日 日本経済新聞(九州)

超小型の電力変換装置、安川電機、太陽光向け

安川電機は大幅に小型化した太陽光発電用パワーコンディショナー(電力変換装置)を2015年1月に発売する。世界で初めて窒化ガリウムパワー半導体を採用し、出力4キロワット級の戸建て住宅向けの屋内設置型としては世界最小サイズを達成。設置場所を選ばない強みを生かし、年間3万4000台の販売を目指す。
窒化ガリウムパワー半導体の採用により、電力変換効率を高めたほか、機器の発熱も抑えた。……

2014年12月10日 MONOist

富士電機、SiCハイブリッドモジュール適用の大容量インバータを発売(新しいウインドウで開きます)

富士電機は2014年11月26日、大容量インバータ「FRENIC-VGシリーズ スタックタイプ(690V系列)」に、1700VのSiCハイブリッドモジュールを適用した新製品を追加すると発表した。
今回発売されたのは、SiC素子を使ったSBD(ショットキーバリアダイオード)と、シリコン素子を使ったIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)で構成するSiCハイブリッドモジュールを適用した大容量インバータ。SiCハイブリッドモジュールの適用により、電力変換回路のスイッチング損失は従来機種と比ベて28%低減した。……

2014年12月10日 TechOn!

IR、車載用小型モーターの駆動に向けた600V耐圧のIGBTを発売(新しいウインドウで開きます)

米International Rectifier社は、電気自動車(EV)やハイブリッド車(HEV)に搭載する小型モーターやエアコンプレッサーなどの駆動に向けた+600V耐圧のIGBT「AUIRGP66524D0/AUIRGF66524D0」を発売した。同社の「COOLiRIGBT」ファミリーに含まれる製品で、IGBTとソフトリカバリー用ダイオードを1パッケージに封止した。車載用途に向けて、動作接合部温度の上限値を+175℃に高めた。下限値は−55℃である。……

2014年12月9日 TechOn!

Vishay、ソフトスイッチング用途に向けた600V耐圧のSJ型パワーMOSFETを発売(新しいウインドウで開きます)

米Vishay Intertechnology社は、ソフトスイッチング用途に向けた+600V耐圧のスーパージャンクション(SJ)型パワーMOSFETを発売した。同社の第2世代スーパージャンクション技術で製造した。nチャネル型である。特徴は、リカバリー速度が高いボディダイオードを集積した点にある。逆回復電荷(Qrr)は、標準的なパワーMOSFETの1/10と少ないという。このためソフトスイッチング技術やゼロ電圧スイッチング技術を適用した電源回路に向く。具体的な用途としては、太陽光発電システム用インバーター装置、サーバーや通信ネットワーク機器向けスイッチング電源、デスクトップパソコンのスイッチング電源、無停電電源装置、LED照明器具などを挙げている。……

2014年12月9日 TechOn!

ノーベル賞特集
赤崎氏がノーベル賞受賞記念講演、青色LEDの研究を振り返る(新しいウインドウで開きます)
照明にとどまらず、日常生活に溶け込んだ研究成果

2014年12月8日(現地時間)、スウェーデンのストックホルム大学で、ノーベル物理学賞を受賞した赤崎勇氏、天野浩氏、中村修二氏の3名が記念講演を行った。このうち、トップバッターは赤崎氏。同氏は自らの青色LEDの研究成果などを振り返った。
赤崎氏はまず、青色LEDをベースにした白色LEDが照明だけにとどまらず、スマートフォンやテレビにも使われており、日常生活の中に溶け込んでいるとし、その意義を説いた。そのきっかけになったのが青色LEDだ。LEDが登場してから、長らく青色LEDは実用化されなかったが、それは高品質なGaN結晶とp型のGaNがなかったからである。これら2つの問題を最初に解決したことをアピールした。……

2014年12月9日 TechOn!

ノーベル賞特集
「自己採点は60点」だが、会場は大いに沸いた天野氏のノーベル賞受賞記念講演(新しいウインドウで開きます)
「非常に孤独な実験」を語る

2014年12月8日(現地時間)、スウェーデンのストックホルム大学で行われたノーベル物理学賞の受賞記念講演で、赤崎勇氏に続き登場したのが天野浩氏である。同氏は、高品質なGaN結晶を可能にしたAlNによる「低温バッファ層」と、p型GaN層の研究成果について紹介。最後は、若い研究者にメッセージを送った。……

2014年12月8日 日経産業新聞

トヨタ、HV「プリウス」鍛える―20年「1l40キロ」実現へ、まずモーター・電池を小型化(日経BP専門誌から)

決め手はPCU刷新
ハイブリッド車(HV)の代表格である、トヨタ自動車「プリウス」の勢いに陰りが見えている。燃費で同車を上回るようなクルマが相次いで投入されているためだ。2015年に発売予定の次世代プリウスでは、モーターや電池を小型化しつつ、大幅な燃費向上を目指す。中長期では高効率のPCU(パワー・コントロール・ユニット)を開発し、20年には「1リットルあたり40キロメートル」が実現できそうだ。
「約700万円の価格で販売できるのはHV技術があったからです」。14年6月の量産型燃料電池車(FCV)発表会で、トヨタ自動車常務役員の小木曽聡氏は自信を示した。……          

2014年12月5日 日刊工業新聞

三菱電、海外交通システム拡大-インドに鉄道車両用電機品の工場建設

三菱電機は4日、鉄道車両用電機品のインド工場建設など海外展開を柱にした交通システム事業の戦略を発表した。約9億円を投じて2015年に工場を新設・稼働し、インド事業を拡大。また欧州・アジア地域を主対象に、次世代型路面電車(LRT)の車体メーカーや信号事業会社へのM&A(合併・買収)を視野に入れる。
……製品戦略では自社開発の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体を採用し、省エネ性能を向上。SiC搭載のインバーターや補助電源装置を投入し製品の競争力を高める。また製品のパッケージ化を進め、電機品や変電・運行設備を一括で受注できる企業を目指す。……

2014年12月5日 ITmedia

省エネ技術:
新幹線で電力を2%節減、回転部分を減らす(新しいウインドウで開きます)

JR東海は東海道新幹線の「周波数変換装置」を取り換えると発表した。神奈川県内の2カ所の設備に対して、事業費134億円を投じ、約8年間で工事を完了する。電力使用量を2%削減でき、メンテナンスコストも下がる。
……これらのインバーターやコンバーターには大電力に耐えるパワー半導体を用いる。「導入するパワー半導体の候補は3つある。IGBTとIEGT、GCTだ。今後、導入時の仕様を決定していく」(同社)……。

2014年12月4日 TechOn!

電力技術ベンチャーのデジタルグリッド、5億8000万円を増資で調達、再エネ大量導入を容易に(新しいウインドウで開きます)

電力技術ベンチャーのデジタルグリッド(東京都文京区)は12月2日、増資によって、5社・団体から5億8000万円の資金を調達したと発表した。……
デジタルグリッドは、東京大学の阿部力也特任教授らの研究成果の事業化を目指す東京大学発ベンチャー企業。……

2014年12月4日 semiconductorTODAY

Cree's 1200V, 25mΩ SiC MOSFET named one of EDN's Hot 100 Products of 2014(新しいウインドウで開きます)

 Cree Inc of Durham, NC, USA, which manufactures silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) wafers and devices, says that EDN (Electronic Design News) has named its C2M0025120D 1200V, 25mΩ SiC MOSFET as one of the ‘Hot 100 Products of 2014’. Chosen by EDN's editors and readers, the 2014 EDN Hot 100 recognizes the electronics industry’s most significant products of the year based on innovation, significance, usefulness, and popularity.……

2014年12月3日 MONOist

トヨタがSEMICONに出展、「SiC開発をけん引する姿勢を半導体業界に示す」(新しいウインドウで開きます)

トヨタ自動車は、「SEMICON Japan 2014」(2014年12月3~5日、東京ビッグサイト)内の特別展「Word of IoT」において、ハイブリッド車などのパワーコントロールユニット(PCU)への採用を検討しているSiC(シリコンカーバイド)パワー半導体の開発成果を展示した。
同社は2014年5月にSiCパワー半導体の開発成果を発表。従来のSi(シリコン)パワー半導体を使ったPCUを搭載するハイブリッド車と比べて燃費を10%向上することや、PCUのサイズも同5分の1に小型化することを目的に、2015年までに公道での走行実験を始める計画を進めている。……
同社の説明員は、「トヨタ自動車がSiCパワー半導体の開発をけん引して行くという姿勢を、半導体業界に対してより明確にアピールする狙いがある」と述べている。
2014年12月3日 TechOn!
トヨタ自動車が講演、「豊かなクルマ社会は半導体に依存する」(新しいウインドウで開きます)

2014年12月2日 デンソー ニュースリリース

デンソー、「人とくるまのテクノロジー展2014名古屋」に出展(新しいウインドウで開きます)

株式会社デンソー(本社:愛知県刈谷市、社長:加藤 宣明)は、12月11日(木曜日)と12日(金曜日)にポートメッセなごや(名古屋市港区)で開催される「人とくるまのテクノロジー展2014名古屋」(主催:自動車技術会)に出展し、環境および安心・安全に関する新製品・新技術を紹介します。
環境分野に関しては、大幅な標準化を実現した新型エアコンユニット、SiC(シリコン・カーバイド)パワーデバイスなどを出展します。新型エアコンユニットは、従来は車種ごとにサイズや構造などが異なっていたものを、構成部品を共通化しつつ、要求される性能を実現できる構造となっており、小型車から高級車まで共通して搭載することができる製品です。SiCパワーデバイスは、従来のSi(シリコン)を使用したパワーデバイスに比べて、発熱によるエネルギー損失を大幅に低減することができる技術です。このSiCパワーデバイスを用いた小型インバーターモジュールは、100kW/Lという単位体積あたり世界最高水準の出力が可能です。……

2014年12月2日 TechOn!

STMicro、オン抵抗を削減した650V耐圧のスーパージャンクション型パワーMOSFETを発売(新しいウインドウで開きます)

伊仏合弁STMicroelectronics社は、オン抵抗を削減した650V耐圧のスーパージャンクション型パワーMOSFET「MDmesh M2シリーズ」を発売した。特徴は、同社従来品に比べてオン抵抗(RDS(ON))を削減したと同時に、ゲート-ドレイン間電荷量(QGD)と入力容量(Ciss)、出力容量(Coss)が低い点にある。製品は、最大ドレイン電流の違いで22製品を用意した。最大ドレイン電流の範囲は4〜11A。オン抵抗は、最も低い製品で0.360Ω(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの最大値)である。ノートパソコンや、プリンター、家庭用ゲーム機、液晶テレビなどに内蔵するスイッチング電源や、LED照明器具の駆動回路などに向ける。……

2014年12月2日 TechOn!

キーワードで読み解く最新トピック:
常温ウエハー接合 パワー/光デバイスを低コスト化(新しいウインドウで開きます)

半導体に使うシリコン(Si)基板と、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの基板(ウエハー)を常温で接合する技術が、光やパワーを扱うデバイスの量産に広く使われ始めている。高効率の太陽電池を実現したり、LEDランプや電気自動車の電源装置を安価にしたりすることにつながる。
従来、ウエハー接合といえば数百℃の高温環境で実施することが一般的だった。しかし半導体の微細化に伴い、CMOS ICを形成したウエハーには、回路を損傷させないよう400℃を超える温度をかけないような低温接合が普及してきた。……

2014年12月1日 TechOn!

太陽光発電用パワコンの効率を向上する1200V耐圧のパワー素子、伊仏STマイクロが発売(新しいウインドウで開きます)

伊仏STマイクロエレクトロニクスは12月1日、太陽光発電用のパワーコンディショナー(PCS)向けに、1200V耐圧の新たなIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)を発表した。……

2014年12月1日 TechOn!

STMicroが車載機器に向けたSiCダイオードを発売、小型インバーターが実現可能に(新しいウインドウで開きます)

伊仏合弁STMicroelectronics社は、車載機器に向けたSiC(炭化シリコン)ショットキーダイオードを発売した。ピーク繰り返し逆電圧(VRRM)は650V。プラグインハイブリッド車(PHEV)などに搭載するオンボード充電器(OBC:on-board battery charger)のほか、外形寸法が従来の1/10と小さい太陽光発電システムの小型インバーター装置(数kW出力)などに向ける。……

2014年12月1日 日経産業新聞

「パワー半導体、効率化必須」、ノーベル賞の天野・名大教授

ノーベル物理学賞を受賞する名古屋大学の天野浩教授が11月28日、東京都内のシンポジウムで講演した。「電力消費が増す中で(機器の電力制御などに使う)パワーデバイスの高効率化は必須の課題だ」と指摘し、青色発光ダイオード(LED)の中核材料である窒化ガリウムを使ったパワー半導体の研究に力を入れる考えを示した。
天野教授は最先端の基礎研究を支援する政府の「戦略的イノベーション創造プログラム(SIP)」の中で、窒化ガリウムを使うパワー半導体の研究に取り組む。パワー半導体はハイブリッド車や産業機器、電車などの省エネルギーに貢献するといわれる。……

2014年12月1日 TechOn!

ノーベル賞は、通過点にすぎない(新しいウインドウで開きます)
中村修二が目指すもの

ノーベル物理学賞の受賞直後は、感無量と言っていた中村氏。しかし、日に日に不満は膨らんでいった。それはいったいなぜなのか。その思いを抱きつつ、自ら立ち上げたベンチャー企業で、彼は何をしようとしているのか。2014年10月中旬に一時帰国した中村氏は、その心中を吐露した。……

2014年12月1日 TechOn!

semiレポート
日本半導体製造のサプライチェーンについて知っておくべき7つの事実(新しいウインドウで開きます)

日本の半導体製造装置市場は、2014年から2015年にかけて成長が予測されています。投資の中心となるのは、メモリー、パワー半導体、そしてMore-than-Moore技術です。SEMIの調査によると、2014年に日本では100億米ドルを上回る金額が、半導体製造装置ならびに材料に支払われます。半導体製造装置の需要に限っても、2015年には42億米ドルまで成長すると予測されています。

2014年11月28日 EE Times Japan

NEDOがパワエレシンポジウム:
ノーベル賞の天野氏、GaNパワー半導体研究へ抱負(新しいウインドウで開きます)

新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は2014年11月27日、パワーエレクトロニクスの最新動向や、内閣府などと連携して実施している開発プロジェクトを紹介する内容の「第1回 NEDOパワーエレクトロニクスシンポジウム」を都内で開催した。同シンポジウムの開催に先立ち、NEDOのパワエレ分野への取り組みを紹介する記者会見を行い、ノーベル物理学賞を受賞した名古屋大学教授の天野浩氏らが今後の開発方針などを述べた。
……今回の(SIPでの)プロジェクトは、GaN基板で商品に結び付くかどうかの開発が大きなテーマ」とし、GaN基板を用いた縦型構造のパワーデバイス実現に向けて意欲を示した。

2014年11月28日 日刊工業新聞

富士電機、スイッチング損失28%減のインバーター

富士電機は電力変換回路のスイッチング損失を従来機種に比べて28%低減した大容量インバーターの受注を始めた。高耐圧で低損失を実現するSiC(炭化ケイ素)のパワー半導体を搭載しており、省エネと省スペースに寄与する。鉄鋼や化学、製紙など大型プラントの生産設備向けに提供し、個別の見積もりに応じる。
製品名は「FRENIC―VGシリーズ スタックタイプ(690V系列)」。1700ボルトのSiCハイブリッドモジュールを開発し適用した。……

2014年11月28日 TechOn!

天野浩氏がGaNパワー素子で講演、「LEDで培った技術を高耐圧の縦型デバイスに生かす」
「第1回 NEDO パワーエレクトロニクスシンポジウム」で特別講演

2014年のノーベル物理学賞を受賞した天野浩氏(名古屋大学大学院 工学研究科 電子情報システム専攻 教授)は、2014年11月28日に東京都内で開催された「第1回 NEDO パワーエレクトロニクスシンポジウム」(主催:新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO))の特別講演に登壇。「新世代パワーエレクトロニクス」と題して講演した。内閣府の戦略的イノベーション創造プログラム(SIP)の1つとして2014年度に始動した「次世代パワーエレクトロニクス」で同氏が携わる、「GaN縦型パワーデバイスの基盤技術開発」の狙いや展望を語った。……
今回のシンポジウムでは、天野氏の特別講演のほか、パワーエレクトロニクスをテーマとする国家プロジェクト関連の講演3件と、パワーデバイスのメーカー/ユーザー企業などによる4件の招待講演が行われた。……

2014年11月28日 semiconductorTODAY

ST launches automotive-qualified 650V SiC diodes, targeting on-board battery chargers and Little Box Challenge(新しいウインドウで開きます)

 STMicroelectronics of Geneva, Switzerland has unveiled new automotive-qualified silicon carbide (SiC) diodes for on-board battery chargers (OBCs) in electric vehicles such as plug-in hybrids (PHEVs) that demand high power-handing capability within a confined space. ……

2014年11月28日 semiconductorTODAY

Raytheon UK to develop 650V/60A SiC MOSFET for auto maker(新しいウインドウで開きます)

 Raytheon UK’s semiconductor business unit in Glenrothes, Scotland, UK has been selected by a “leading automotive manufacturer” to develop a silicon carbide (SiC)-based metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) for use in electric, hybrid-electric and plug-in hybrid electric vehicles.
 Raytheon says that, with expertise in the development of components and modules intended for safety-critical applications within harsh environments, it will employ its SiC fabrication experience to develop a MOSFET, rated at 650V/60A, which can be mass-produced cost-effectively and be fully compliant with the stringent ISO/TS 16949 automotive quality standard.……

2014年11月27日 日本経済新聞

東芝のパワー半導体や白色LED、石川に開発集約 300億円投資

東芝は産業機器の省エネに役立つパワー半導体や、照明に使う白色発光ダイオード(LED)の研究開発を石川県に集約する。生産子会社の工場に実験室などが入る技術棟を2015年秋に新設。開発から量産まで一貫して手掛ける。16年度までに開発や製造に300億円を投じる。……

2014年11月27日 TechOn!

EVやPHEVの利用促進を目指す実証事業、トヨタなど3社が2015年に開始(新しいウインドウで開きます)

トヨタメディアサービスと豊田自動織機、日本ユニシスの3社は2014年11月27日、電気自動車(EV)やプラグインハイブリッド車(PHEV)の利用促進を目指す実証事業を2015年に愛知県で開始すると発表した。
今回の実証事業では、トヨタメディアサービスが開発する「EV/PHV利用促進プラットフォーム」を用いて、全国の充電インフラの設置場所などの情報をスマートフォンなどの携帯端末に提供することで、EVやPHEVの普及促進を後押しする。また同プラットフォームに豊田自動織機が開発する「充電器電力コントロールシステム」や、日本ユニシスが開発する「充電待ち発生予測システム」を組み込む。……

2014年11月25日 CompoundSemiconductor

Toshiba Extends SiC Power Modules to 3300V and 1500A(新しいウインドウで開きます)

 Toshiba Electronics Europe has extended its family of SiC devices with the launch of a high-efficiency 3300V, 1500A power module. The MG1500FXF1US71 integrates an N-channel IEGT (injection-enhanced gate transistor) and an SiC fast recovery diode (FRD) into a package with a footprint of just 140mm x 190mm.……

2014年11月21日 日刊工業新聞

三菱電、PVシステム向けパワー半導体にSiC

 三菱電機は20日、太陽光発電(PV)システム用のパワーコンディショナー向けパワー半導体で、ダイオード部に炭化ケイ素(SiC)を用いた新製品を開発したと発表した。28日に発売する。自社の従来製品と比べ、電力損失を約25%低減できるのが特徴。また短絡保護機能に新方式を採用し、外付け部品を不要にした。パワーコンディショナーの低消費電力化と小型化に寄与する。サンプル価格は2万円(消費税抜き)。……
2014年11月20日 semiconductorTODAY
Mitsubishi Electric launching large hybrid SiC DIPIPM power modules for PV power conditioning(新しいウインドウで開きます)
2014年11月20日 三菱電機ニュースリリース
三菱電機「PV用大型ハイブリッドSiC DIPIPM」発売(新しいウインドウで開きます)

2014年11月21日 semiconductorTODAY

GeneSiC releases gate driver evaluation board and SPICE models for SiC junction transistors(新しいウインドウで開きます)

 Silicon carbide (SiC) power semiconductor supplier GeneSiC Semiconductor Inc of Dulles, VA, USA has announced availability of a gate driver evaluation board and has expanded its design support for its SiC junction transistor (SJT, claimed to be the industry’s lowest-loss switches) with a fully qualified LTSPICE IV model.……

2014年11月19日 semiconductorTODAY

Power electronics discrete component market to grow 77% to $23bn in 2024(新しいウインドウで開きます)

 The market for discrete power electronics components - used to convert and manage electricity in devices ranging from mobile phones to pumps and motors - will grow by 77% from $13bn today to $23bn in 2024, according to the report ‘Sizing-up the $23 Billion Discrete Power Electronics Market in 2024’ (part of market analyst firm Lux Research’s Energy Electronics Intelligence service).
 Silicon-based devices will remain the main technology of choice with an 87% share in 2024, but silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) technologies will be the fastest-growing (at 30% and 32% annually, respectively), gaining a combined share of 13%, forecasts Lux Research. ……

2014年11月19日 semiconductorTODAY

Silvaco joins Japan project on gallium oxide power devices(新しいウインドウで開きます)

 Yokohama-based Silvaco Japan Co Ltd - a branch of Silvaco Inc of Santa Clara, CA, USA, a provider of technology computer-aided design (TCAD), circuit simulation and electronic design automation (EDA) software tools - has joined the cross-ministerial Strategic Innovation Promotion (SIP) program next-generation power electronics project ‘Research and Development on Fundamental Technologies of Gallium Oxide Power Devices’ promoted by New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO). Other participants in the project include National Institute of Information and Communication Technology (NICT), Tamura Corp, Tokyo University of Agriculture and Technology, and New Japan Radio Co Ltd.……

2014年11月17日 MONOist

ホンダのセダンタイプ燃料電池車は5人乗りを実現、発売は2015年度内(新しいウインドウで開きます)

ホンダは2014年11月17日、東京都内で会見を開き、セダンタイプの新型燃料電池車のコンセプトカー「Honda FCV CONCEPT」を披露した。併せて公開した、燃料電池車や電気自動車から最大出力9kWの電力を出力できる外部給電器のコンセプトモデル「Honda Power Exporter CONCEPT」とともに、2015年度中(2016年3月末まで)の国内発売を予定している。その後、米国や欧州にも展開する方針。販売価格は公表しなかったが、「競争力のあるものにする」(ホンダ社長の伊東孝紳氏)としている。
新開発の燃料電池セルスタック……からの電力の電圧を昇圧する電圧コントロールユニットを追加し、走行用モーターを高電圧で駆動できるようにした。なお、電圧コントロールユニットには次世代パワー半導体であるSiC(シリコンカーバイド)デバイスを採用することで、小型高出力化を果たした。……

2014年11月17日 TechOn!

【ISSCCプレビュー】採択論文数でアジアが首位奪還、採択率は北米や欧州に迫る(新しいウインドウで開きます)

半導体集積回路技術に関する国際会議「International Solid-State Circuits Conference(ISSCC)2015」(2015年2月22~26日、米国サンフランシスコ)のFar East Regional Subcommittee(極東地区委員会)は2014年11月17日、東京都内で記者会見を開き、ISSCC 2015の概要について説明した。プログラムなど一連の情報は11月中に解禁される。参加人数は前回と同等の約3000人を見込んでいる。……

2014年11月14日 日経産業新聞

駆動システム、インバーターと一体化 日本電産 7割小さく

日本電産は13日、インバーターと一体化し、従来比約7割小型化したモーター駆動システムの試作機を開発したと発表した。インバーターには次世代半導体の「シリコンカーバイド(SiC)半導体」を搭載し、電力損失を大幅に低減。モーターも永久磁石が不要なタイプを用いた。小型・軽量で、省電力が求められる家電や産業、車載分野向けだ。……
2014年11月17日 日刊工業新聞
日本電産、SiCインバーターと一体化したSRモーターを試作

2014年11月13日 TechOn!

SiC MOSFET採用の車載充電器、ワイヤレス給電に向ける(新しいウインドウで開きます)
Fraunhofer研が開発、GaNデバイス利用の電力変換器も出展

ドイツの研究機構であるFraunhofer-Gesellschaftは、SiCやGaNといった次世代のパワーデバイスを適用した各種電力変換器を「electronica 2014」に出展した。いずれも従来よりも小型で効率が高いことを特徴にうたう。目玉の一つが、車載電池を外部から充電するためのワイヤレス給電システムに向けた、22kVA出力の車載充電器(DC-DCコンバーター)である。SiC MOSFETを適用しており、スイッチング周波数を15kHzに高めて受動部品などを小型し、充電器全体を小さくしつつ、最大98.3%という高い変換効率を実現した。……

2014年11月13日 TechOn!

パワー半導体トップInfineonの世界戦略
車載半導体で業界首位ルネサスを追う(新しいウインドウで開きます)

ドイツInfineon Technologies社の事業戦略などを取り上げる本連載。第2回は、車載半導体製品などを扱う「オートモーティブ(ATV)」事業を取り上げる。2013年会計年度(2012年10月~2013年9月)通期で、ATV事業の売上高は17億1400万ユーロと全社の約45%を占める。同社の4つの事業分野でもっとも比率が高い。ATV事業は、アプリケーションに応じて、「パワートレーン」「ボディ」「セーフティ」の3つに分類している。このうち売上高がもっとも大きいのが、パワートレーンで同事業全体の約40%を占めるという。残りを、ボディとセーフティで約半々ずつを占めている。……

2014年11月11日 CompoundSemiconductor

SiC Demand Expected To Grow To 2,769.0 Kilotons By 2020(新しいウインドウで開きます)

 The global market for silicon carbide is expected to reach USD 4.49 billion by 2020, according to a new study by Grand View Research.  Silicon carbide is also extensively used in electronics and semiconductors applications, owing to its superior properties, that accounted for over 255 kilo tons of demand in 2013.……

2014年11月10日 EDNJapan

半導体の温故知新――ノーベル賞を受賞した半導体デバイスは実用的か(新しいウインドウで開きます)

半導体デバイスは、トランジスタの発明から発展しました。1956年にノーベル物理学賞をウィリアム・ショックレー氏と、ジョン・バーディーン氏、ウォルター・ブラッテイン氏の3人が受賞しました。2014年には、青色発光ダイオード(LED)の発明で3人の日本人が受賞しました。赤崎勇氏、天野浩氏、中村修二氏です。今回は特に実用化という意味が世の中にインパクトを与えたと思います。……

2014年11月7日 EDN Japan

これだけは知っておきたいアナログ用語:
GaN(窒化ガリウム)(新しいウインドウで開きます)

GaN(窒化ガリウム)とは、次世代パワー・デバイス(パワー半導体)に用いられる半導体材料のこと。GaNパワー・デバイスを、既存のSi(シリコン)パワー・デバイスの代わりにDC/DCコンバータやインバータなどの電源装置に搭載すれば、電力変換効率の向上や装置の小型化などを実現できる。SiC(シリコン・カーバイド)とともに、次世代パワー・デバイスを実現する材料として普及が期待されている。……

2014年10月31日 日本経済新聞

パワー半導体、省エネの切り札 日本リード、家電や鉄道で普及 新材料の実用化が焦点(ニュースな科学)

最近、「パワー半導体」という言葉を耳にするようになった。半導体といえばコンピューターで情報を記憶したり計算したりする小さな部品を思い浮かべるだろうが、パワー半導体は力を制御するためのもの。電気の電圧や周波数を調整しながら、電車のモーターを効率よく回したり、エアコンの温度をきめ細かく変えたりする。省エネ効果は大きく、電力消費量の削減につながると期待される。日本の半導体産業が衰退するなか、この技術では世界の先頭集団にいる。……

2014年10月30日 電子デバイス産業新聞

昭和電工 SiCウエハー10倍増 エコカー需要対応

昭和電工(株)は、EVなどエコカー向けの需要拡大を受け、パワーデバイス用SiC(シロコンカーバイド)エピタキシャルウエハーの生産能力を大幅に引き上げる。2020年度に売り上げ規模を現在の10倍に引き上げるべく、生産拠点の秩父事業所(埼玉県秩父市大字下影森1505)に生産設備を導入していく。
同社は、パワーエレクトロニクス産業の発展を目的としたNEDOプロジェクト「パワーエレクトロニクスインバータ基盤技術開発」で、産業技術総合研究所、電力中央研究所とともにSiCエピウエハーの研究開発に着手。その後、技術移転ベンチャーのエシキット・ジャパン(茨城県つくば市)を経て、09年1月に同事業を取得。本格的に事業を開始している。……

2014年10月30日 DoE

Energy Secretary Moniz to Keynote ARPA-E Energy Innovation Summit(新しいウインドウで開きます)

The U.S. Department of Energy today announced that Secretary Ernest Moniz will serve as a keynote speaker for the Advanced Research Projects Agency-Energy’s (ARPA-E) Energy Innovation Summit, which will be held from Feb. 9-11, 2015 in National Harbor, Md. In addition, other renowned speakers at the Summit will include, former U.S. Treasury Secretary Henry Paulson, University of California President Janet Napolitano, CPS Energy CEO Doyle N. Beneby, DBL Investors Founder and Managing Partner Nancy Pfund, SolarCity CEO Lyndon Rive and Archer Daniels Midland Company Chairman and CEO Patricia Woertz. Additional speakers will be announced as the agenda is finalized.……

2014年10月30日 semiconductorTODAY

Showa Denko qualifies Aixtron's next-generation 8x150mm SiC production system(新しいウインドウで開きます)

 Deposition equipment maker Aixtron SE of Aachen, Germany says that Japanese manufacturer Showa Denko has qualified its most recent system for manufacturing silicon carbide (SiC) epitaxial wafers. The new AIX G5 WW (Warm-Wall) chemical vapor deposition (CVD) system is configured to handle 8x150mm and 12x100mm SiC substrates. The firm says that it is currenty the largest production system available on the market, enabling highest throughput and lowest running cost per wafer.……

2014年10月28日 CompoundSemiconductor

GeneSiC releases 1700V and 1200V SiC junction transistors(新しいウインドウで開きます)

 GeneSiC Semiconductor, a US maker of SiC power semiconductors, has announced its second generation of SiC  junction transistors, a family of low on-resistance 1700V and 1200V SiC junction transistors in TO-247 packages. It describes them as the highest power single-chip transistors on the market.……
2014年10月28日 semiconductorTODAY
GeneSiC launches improved, lower on-resistance 1700V and 1200V SiC junction transistors(新しいウインドウで開きます)

2014年10月24日 TechOn!

天野氏が挑むGaNパワー素子
ナノワイヤーLEDや赤色のGaN系半導体レーザーにも関心

ノーベル物理学賞を受賞した天野浩氏は2014年10月24日、文化勲章が同氏に贈られたことを受けて、所属する名古屋大学で報道機関向けの会見を開催した。その中で、記者からの質問に受ける形で、同氏が現在力を入れて取り組んでいる研究について紹介した。
中でも重要性をアピールしたのが、パワーデバイス(パワー素子)応用である。GaNは、Siに比べてバンドギャップが広い、熱伝導率が高いなど、パワーデバイスに向く特性を備え、省エネ効果を期待できるからだ。……

2014年10月24日 TechOn!

物性に優れるGaNに大化けの可能性、ただし今は戦略的な戦力分散も一案(新しいウインドウで開きます)
パワー半導体の技術マップを探る【服部 毅氏】

パワー半導体の分野で、SiCやGaNなど化合物半導体系の材料を使った製品開発が活発化してきた。今回のSCR大喜利では、「パワー半導体の技術マップを探る」と題し、デバイスの材料を軸としてパワー半導体事業の先行きを見通していただいている。今回の回答者は服部コンサルティング インターナショナルの服部毅氏である。……

2014年10月23日 TechOn!

デンソーが語るパワーデバイス、クルマから街を変える(新しいウインドウで開きます)

(講演:デンソー 半導体先行開発部 担当次長 菅原 良一氏)
自動車において、電子制御が担う役割は徐々に高まっており、現在では自動車の進化に不可欠なものになっている。今後の自動車の進化の方向性の1つに、自動運転がある。自動運転の実現に向けて、カーエレクトロニクスの技術や市場が、さらに伸びていくことは間違いない状況にある。その支えとなるのは、半導体技術である。
現在の半導体市場において、自動車向けが占める比率は全体の約1/10で、金額では約4兆円となっている。……

2014年10月23日 TechOn!

複数材料系対応は開発負担が大きい、ただし狙った応用を確実に攻められる効果がある(新しいウインドウで開きます)
パワー半導体の技術マップを探る【大山 聡氏】

パワー半導体の分野で、SiCやGaNなど化合物半導体系の材料を使った製品開発が活発化してきた。今回のSCR大喜利では、「パワー半導体の技術マップを探る」と題し、デバイスの材料を軸としてパワー半導体事業の先行きを見通していただいている。今回の回答者はIHSテクノロジーの大山聡氏である。……

2014年10月22日 TechOn!

パワー半導体はソリューション事業、複数材料系を扱う事業開発上のシナジーは非常に大きい(新しいウインドウで開きます)
パワー半導体の技術マップを探る【三ツ谷 翔太氏】

パワー半導体の分野で、SiCやGaNなど化合物半導体系の材料を使った製品開発が活発化してきた。そして、パワー半導体を供給するメーカーごとに、技術開発と市場開拓の戦略に差が見えてきている。……
今回のSCR大喜利では、「パワー半導体の技術マップを探る」と題し、材料を軸としてパワー半導体事業の先行きを見通すことを目的とした。今回の回答者はアーサー・D・リトルの三ツ谷翔太氏である。……

2014年10月22日 半導体産業新聞

オン・セミコンダクター GaNで共同開発 トランスフォームと提携

オン・セミコンダクター(米アリゾナ州)は、トランスフォームと高電圧アプリケーションに向けたGaNベースの電力システムソリューションの共同開発、共同マーケティングについて業務提携すると発表した。
オン・セミは、エネルギー効率の高い電力ソリューションの提供に強みがあり、パワーディスクリートや高性能AC/DCコントローラー、統合スイッチャー、カスタムASIC電力管理ソリューションまで幅広い製品を提供している。
また、トランスフォームはシリコントランジスタで量産に適した600V GaNを初めて市場投入した企業であり、同技術では高い実績と信頼がある。……

2014年10月20日 日経産業新聞

法政大、パワー半導体試作 大電力制御、大幅省エネ 基板に窒化ガリウム使用、2020年めど

法政大学の中村徹教授らは発光ダイオード(LED)の主要材料である窒化ガリウムを使い、2020年をめどに大電力制御用のパワー半導体を開発する。現在主流のパワー半導体はシリコン製で、省エネ性に優れる炭化ケイ素(SiC)の活用が始まったばかりだが、窒化ガリウムを使えばさらに高い効果が得られると見込む。将来、家電に組み込む半導体がシリコンから窒化ガリウムに置き換われば、大幅な省エネにつながると期待している。
青色や緑色のLEDに使われる窒化ガリウムの能力は発光だけにとどまらない。シリコンやSiCに比べ、より大きな電力の制御に使える利点がある。高性能のパワー半導体などの研究開発が活発化しつつある。……

2014年10月20日 日刊工業新聞

東芝マテリアル、高機能ファインセラミックスの窒化ケイ素部材を増産

東芝マテリアル(横浜市磯子区、小林薫平社長)は本社工場で高機能セラミックスの窒化ケイ素製部材の生産能力を増強する。2017年度までにハイブリッド車(HV)や鉄道向けパワーデバイス用の高熱伝導性絶縁基板の年産能力を現状比倍増の4000万枚、工作機械や風力発電用の軽量で長寿命のベアリングボールも現状比5割増の年産3億個に拡大する。省エネルギー性や耐久性向上などの高度化ニーズに伴う高機能部材の需要拡大に対応する。……

2014年10月17日 日経産業新聞

新日本無線・デンソー、車載用技術、オーディオに SiC活用、共同開発進む

新日本無線とデンソーは16日、炭化ケイ素(SiC)製のオーディオ用トランジスタ(MOSFET)を共同開発すると発表した。デンソーが産業・車載用に開発してきたSiC技術を、新日本無線の高音質オーディオ用デバイス「ミューズ」シリーズに利用する。CDより高音質の「ハイレゾリューション(ハイレゾ)」対応のオーディオ機器への搭載を目指す。……
2014年10月16日 TechOn!
デンソーと新日本無線、SiC-MOSFETを共同開発しオーディオ市場に投入(新しいウインドウで開きます)

2014年10月17日 日刊工業新聞

基盤技術で勝ち抜く FJコンポジット-SiC基板、セラと銅接合

【サポイン事業採択/拡散接合法によるSiC素子用高信頼性冷却(放熱)基板の開発】

FJコンポジット(静岡県富士市)は炭素素材と異種材料との複合材料を手がけるベンチャー。戦略的基盤高度化支援事業(サポイン事業)として、2012年度から3年間「拡散接合法によるSiC素子用高信頼性冷却(放熱)基板の開発」に取り組んだ。……

2014年10月16日 日本経済新聞

地下鉄車両 電力37%減 東京メトロ銀座線、新モーター導入

東京メトロは2015年度から営業運転する銀座線の最新車両に新たな省エネ技術を取り入れる。走行時の電力ロスを減らせる特殊なモーターシステムを導入、現在の主力車両に比べ消費電力を約37%減らす。16年度までに銀座線全体の約半分に当たる18編成で採用する。
「シリコンカーバイド半導体」と呼ばれる特殊な機器をモーターシステムに組み入れる。……

2014年10月15日 TechOn!

ノーベル賞で注目のGaN研究の歴史を振り返る
GaNパワー素子の開発が活発に、ノーマリー・オフ動作にも道筋(新しいウインドウで開きます)

窒化ガリウム(GaN)は、もともとは青色LEDや次世代DVD向け半導体レーザ用の材料として研究が進められた。その結果、GaNを用いた高輝度な青色LEDや緑色LED、Blu-ray Disc用の青紫色半導体レーザが製品化され、普及している。
発光素子に続いて、GaNの優れた物性から高周波素子への応用も検討された。携帯電話基地局やレーダなどに用いる高周波トランジスタの開発が進み、こちらも実用化された。こうした発光素子や高周波素子の研究開発で培われた技術の展開先として、2000年ごろからGaNパワー素子の研究が始まり、2005年ごろから開発競争が活発化した。……

2014年10月15日 CompoundSemiconductor

DoE researchers make SiC inverter for vehicles using 3D printing (新しいウインドウで開きます)

 Liquid-cooled SiC traction drive inverter features 50 percent printed parts
 Using 3D printing and novel semiconductors, researchers at the Department of Energy's Oak Ridge National Laboratory have created a power inverter that could make electric vehicles lighter, more powerful and more efficient. At the core of this development is wide bandgap material made of SiC with qualities superior to standard semiconductor materials.……

2014年10月14日 TechOn!

SiCインバーターのEMI雑音を東芝の電力システム社がシミュレーターで解析、寄生を考慮し高精度化(新しいウインドウで開きます)

東芝の電力システム社 電力・社会システム技術開発センターの前川 佐理氏(電機・電池応用・パワエレシステム開発部 パワエレシステム技術担当 主務)が、太陽光発電システムに使う系統連係用3相400Vインバーターをモチーフとして、シミュレーターを使ったEMI雑音解析に関して講演した。この講演は、「Automotive Simulation World Congress 2014/ANSYS Electronics Simulation Expo 2014」(アンシス・ジャパンが2014年10月9日と10日に東京で開催)で行われた。……

2014年10月14日 TechOn!

CEATEC JAPAN 2014
ロームのSiC事業、SBDの6インチ生産やトレンチ型MOSFETの製品化を2014年度中に(新しいウインドウで開きます)
GaNパワートランジスタはノーマリーオフを実現

ロームは、同社のSiCパワー素子事業の最新状況を「CEATEC JAPAN 2014」(2014年10月7~11日、幕張メッセ)で明らかにした。今期中(2014年度)に、口径150mm(6インチ)のSiC基板を使い、ショットキー・バリア・ダイオード(SBD)の量産を開始する予定。現在は口径100mm(4インチ)のSiC基板を利用している。……

2014年10月14日 TechOn!

CEATEC JAPAN 2014
「SiCだからできること」、1.6kmの加速器をわずか6mに(新しいウインドウで開きます)
高電圧パルス発生器にSiC MOSFETを適用

ロームは、同社が手掛けるSiC MOSFETの応用事例を「CEATEC JAPAN 2014」(2014年10月7~11日、幕張メッセ)で展示した。加速器やプラズマ発生器、医療用X線システムなどに向けた高電圧パルス発生器で、例えば線形加速器に適用した場合、「『クライストロン真空管』を適用した場合に1.6kmだった加速器を、SiCの適用で将来的には6mにまで短縮できる」(説明員)という。……

2014年10月14日 CompoundSemiconductor

ACME Advanced makes SiC Wafers in Space(新しいウインドウで開きます)

 Last month ACME Advanced Materials, based in Alburquerque, New Mexico, announced the successful commercialisation of a process to produce large quantities of low loss, electrically defect free SiC wafers in a microgravity environment.
 According to the Albuquerque Journal, since last spring, the company has been sending batches of low-grade wafers for conversion to high-grade on contract flights in Texas, although details of the suborbital launches remain confidential.
 The company has apparently signed a three-year agreement with a flight partner, and flown monthly since April.……

2014年10月13日 semiconductorTODAY

Cree introduces all-SiC 1.2kV six-pack power module(新しいウインドウで開きます)

 Cree Inc of Durham, NC, USA has expanded its silicon carbide (SiC) 1.2 kV six-pack power module family with a new 20A all-SiC module suited for 5-15 kW three-phase applications. Based on Cree’s C2M SiC MOSFET and Z-Rec SiC Schottky diode technology, the module enables designers to unlock the traditional constraints of power density, efficiency, and cost associated with Si-based inverters used in industrial power conversion systems, says the firm.……
2014年10月14日 CompoundSemiconductor
Cree Power Modules target Inverters for Power-Generation Systems(新しいウインドウで開きます)

2014年10月13日 EDN

History of GaN-on-diamond technology(新しいウインドウで開きます)

 Although GaN RF transistors have demonstrated significantly improved solid-state device performance, they are not fulfilling their full potential due to thermal limitations. To address this weakness, an effort was begun in 2003 to develop a diamond substrate for GaN with much higher thermal conductivity. ……

2014年10月10日 MONOist

CEATEC 2014:
デンソーがSiCデバイスの外販を本格化、「REVOSIC」ブランドで展開(新しいウインドウで開きます)

デンソーはSiCデバイスの外販活動を本格化させる。「CEATEC JAPAN 2014」で展示した汎用パッケージ品を既にサンプル出荷しており、ベアチップの供給も間もなく開始する。「REVOSIC」というブランド名称で展開するという。
デンソーは、「CEATEC JAPAN 2014」(シーテック ジャパン/2014年10月7~11日、幕張メッセ)において、SiC(シリコンカーバイド)デバイスの最新の開発成果を展示した。……
2014年9月30日 MONOist
CEATEC 2014 開催直前情報:
デンソーがSiC技術「REVOSIC」を披露、何でもモビリティ化する「X-mobility」も(新しいウインドウで開きます)

2014年10月10日 EE Times Japan

CEATEC 2014:
GaN HEMT搭載のPFC評価ボードを展示――トランスフォーム(新しいウインドウで開きます)

トランスフォーム・ジャパンは、「CEATEC JAPAN 2014(CEATEC 2014)」において、耐圧600VのGaN(窒化ガリウム) HEMT(高電子移動度トランジスタ)と、GaN HEMT搭載の各種PFC評価ボードなどを展示した。耐圧600VのGaN HEMTは現在、評価用のサンプル品を提供中で、2015年春より量産出荷を始める予定である。……

2014年10月9日 CompoundSemiconductor

Adoption of SiC & GaN to impact the power electronics industry(新しいウインドウで開きます)

 Emergence of new wide bandgap (WBG) technologies such as SiC and GaN materials will definitely reshape part of the established power electronics industry, according to Yole Developpement (Yole). SiC and GaN benefits are now well known. Indeed such materials offer: higher frequency switching - higher power density - higher junction temperature - higher voltage capabilities.
 Yole will present its vision of the Power Electronics Industry, at the Power Electronics Conference “The ultimate path to CO2 reduction,” taking place from October 8th to 9th, in parallel of SEMICON Europa 2014.……

2014年10月8日 TechOn!

ノーベル賞特集
“エレクトロニクス賞”に近づくノーベル物理学賞(新しいウインドウで開きます)

2014年のノーベル物理学賞は、青色発光ダイオード(LED)の開発に携わった赤崎勇氏ら3人が受賞した。多くの室内照明が白熱灯や蛍光灯からLED照明に今まさに変わりつつある中、社会へのインパクトの大きさは、物理学に詳しくない一般の人でも分かりやすい。……

2014年10月7日 TechOn!

CEATEC JAPAN 2014
デンソーがSiCトレンチMOSをサンプル出荷、6インチ基板で作製(新しいウインドウで開きます)

デンソーは、口径150mm(6インチ)のSiC基板を使ってトレンチ型のSiC MOSFETを開発し、「CEATEC JAPAN 2014」(2014年10月7日~11日、幕張メッセ)に展示した。耐圧650V品を現在サンプル出荷中で、2015年内の量産を目指す。量産時も、口径6インチ基板で製造する予定だ。
同社はこれまで、SiC MOSFETに関してはTO247パッケージに封止したものだけを提供してきた。これからは、パワーモジュール向けにベアチップでの提供も視野に入れる。……

2014年10月7日 TechOn!

SiCの学会「ECSCRM 2014」が閉幕、日本からの参加者が多い(新しいウインドウで開きます)

 SiC(シリコンカーバイド)やその関連材料に関する学会「ECSCRM 2014」(2014年9月21~25日、フランス・グルノーブル)が閉幕した。参加者は570名以上。地域別に見ると、日本の参加者が多く、156名だった。欧州ではフランス(89名)やドイツ(50名)が多かった。日本以外のアジア地域からの参加者も増加傾向にあり、中国からは31名、韓国からは19名、台湾からは8名だった。……

2014年10月7日 TechOn!

CEATEC JAPAN 2014
デンソー、インホイールモーターシステムを参考出展(新しいウインドウで開きます)

デンソーは2014年10月7~11日に千葉市幕張メッセで開催中の「CEATEC JAPAN 2014」において、ベビーカーやショッピングカートなどの移動を支援するインホイールモーターシステムを参考出展した。個々の車輪にモーターと通信モジュール、電池を内蔵する。車輪は3個、4個など複数組み合わせ可能。スマートフォンの画面上で走行する方向を指示して動作する。……

2014年10月7日 semiconductorTODAY

PFC, PV inverter and now rail applications fueling SiC market(新しいウインドウで開きます)

 The market for silicon carbide (SiC) chips reached almost $100m in 2013 due to already well-established power factor corrector (PFC) applications, which still demands large volumes of diodes, according to Yole Developpement. Secondly, photovoltaic systems, despite a depressed market, are the beachhead for new SiC-powered inverter or micro-inverter line-ups, says the market research firm in its new report ‘SiC Modules, Devices and Substrates for Power Electronics Market’. In addition, SiC is propagating over all industrial segments, it adds.
 For example, rail applications such as train traction has surprisingly adopted SiC sooner than expected. ……

2014年10月7日 semiconductorTODAY

Cardiff University planning Research Institute for Compound Semiconductor Technology(新しいウインドウで開きます)

 At the Cardiff University’s first Innovation Fast Forward Festival in Wales, UK, vice-chancellor professor Colin Riordan has outlined plans to invest £300m to transform a site from a disused, former industrial space into a new campus comprising four new buildings.
 As well as what is claimed to be the world’s first Social Science Research Park (SPARK), an Innovation Centre and a Translational Research Facility, this includes a Research Institute for Compound Semiconductor Technology.……
2014年10月3日 CompoundSemiconductor
£300m Cardiff University investment includes compound semiconductor institute(新しいウインドウで開きます)

2014年10月7日 CompoundSemiconductor

Cree Achieves US DoD Production Milestone(新しいウインドウで開きます)
Category 1A Trusted Foundry for 100mm RF GaN facility

 Cree has achieved a major production milestone with its recent accreditation as a US Department of Defense (DoD) Category 1A Trusted Foundry for its 100mm RF GaN facility in Durham, NC.
 Granted through the Trusted Access Program Office (TAPO) and the Defense Microelectronics Activity (DMEA), this accreditation is the highest designation awarded by the DoD, and differentiates Cree as a trusted supplier of GaN technology in support of national defence applications. ……

2014年10月6日 TechOn!

6インチ化が進むSiC基板、新しい製造法の検討も(新しいウインドウで開きます)
転位の少ない6インチ品や高温CVD法のバルクも登場

SiCパワー素子の製造に不可欠なSiC基板。SiCやその関連材料に関する学会「ECSCRM 2014」(2014年9月21~25日、フランス・グルノーブル)では、SiC基板の大口径化や新しい製造法に関する研究成果がいくつか発表された。……

2014年10月6日 EDN Japan

これだけは知っておきたいアナログ用語:
IGBT(新しいウインドウで開きます)

IGBT

IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)とは、入力部がMOS構造で、出力部がバイポーラ構造のSi(シリコン)製パワー・トランジスタ(パワー半導体)のこと。日本語では、絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタと呼ぶ。……

2014年10月3日 半導体産業新聞

鉄道ビジネスとSiCパワーデバイス(新しいウインドウで開きます)
~ニーズは新幹線、ビジネスなら在来線~

電鉄用パワデバ市場は約260億円規模

2015~17年にかけての世界の鉄道市場は、約19兆5000億円。09~11年にかけての世界市場18兆円と比較して、約8.3%の伸びとなる。19兆5000億円の内訳は、新幹線などに代表される高速鉄道が1兆5000億円、在来線が15兆1000億円、路面電車が1兆1000億円、地下鉄が1兆8000億円である。……
ここで注目は、鉄道車両市場の6兆4000億円。自動車に引き続き、パワーデバイスの用途拡大が見え隠れする電鉄市場だが、主回路部の市場は車両市場の0.4%レベルと推測する。つまり、約260億円前後が、電鉄用パワーデバイスの市場規模ということになる。現在、同主回路部にはIGBTが搭載されているが、ここをSiCパワーに置き換えようというのが、独インフィニオン、日本勢の三菱電機や日立製作所などの狙いである。……

2014年10月2日 TIA-nano

第5回TIA-nano公開シンポジウム(開催結果)(新しいウインドウで開きます)
-我が国のイノベーションシステム構築にTIA-nanoの果たすべき役割- 

平成26年9月3日、イイノホール&カンファレンスセンターにおいて、第5回つくばイノベーションアリーナ(TIA-nano)公開シンポジウムを開催しました。産業界からの150余名の参加者を含む380名にのぼる聴衆を集め、盛況のうちに無事終了いたしました。
文部科学省の研究振興局 常盤豊局長、経済産業省の産業技術環境局 片瀬裕文局長の来賓挨拶で幕をあけたシンポジウムでは、「我が国のイノベーションシステム構築にTIA-nanoの果たすべき役割」を全体のテーマに、総合科学技術・イノベーション会議の久間和生議員の基調講演、第1期5年の成果報告、第2期への展望の紹介、パネルディスカッション、また、全プロジェクトのポスターによる成果発表が行われました。……

2014年10月2日 EE Times Japan

モノづくり総合版メルマガ 編集後記:
インフィニオン ドレスデン工場のもう1つの「世界初」(新しいウインドウで開きます)

先日、インフィニオン テクノロジーズのドイツ・ドレスデンにある半導体工場を取材する機会を得ました。そこで、驚いたのがロボット技術の進化です。
インフィニオン ドレスデン工場と言えば、「世界初」というパワー半導体を量産する大口径300mmウエハー製造ラインが有名です。そして、もう1つ「世界初」とする製造ラインがあります。300mmウエハーの前世代である200mmウエハー製造ラインです。……

2014年10月2日 semiconductorTODAY

Cree earns US DoD MRL8 designation after completing Title III GaN-on-SiC Production Capacity Program(新しいウインドウで開きます)

 Cree Inc of Durham, NC, USA has earned the US Department of Defense (DoD) manufacturing readiness level eight (MRL 8) designation.
 Awarded for its production of gallium nitride (GaN) monolithic microwave integrated circuits (MMICs), the designation verifies Cree’s ability to provide assured, affordable and commercially viable production capabilities and capacities for items essential to national defense. The designation was granted upon Cree’s completion of the DoD’s Defense Production Act (DPA) Title III Gallium Nitride on Silicon Carbide Production Capacity Program.……
 Cree offers foundry services for development and production using GaN HEMT MMIC processes, providing design and test services on a case-by-case basis.

2014年10月2日 CompoundSemiconductor

SiC and GaN power semiconductors growing at 63 percent CAGR(新しいウインドウで開きます)

 The market for SiC and GaN power semiconductors is expected to grow at 63 percent CAGR between 2011 and 2017, reaching around $500 million, according to The Information Network, a US market research company.
 These next generation power devices currently represent a market of $150 million. The silicon power semiconductor market is worth $14 billion.……

2014年10月1日 日本経済新聞(地方版)

次世代パワー半導体実用化へ、ローム、福島に新会社

ロームは中性子応用技術の事業化に取り組む京都ニュートロニクス(京都市)などと炭化ケイ素(SiC)製の次世代パワー半導体の実用化に向けた新会社を福島県内に立ち上げた。来年にも工場を新設し、SiCを使った高電圧パルス発生器を生産する。この発生器を組み込んだ加速器中性子源を量産し、がん診断などに使う物質の大量製造を目指す。……

2014年10月1日 TechOn!

パワー半導体に本腰入れる東芝、「Si、SiC、GaNのすべてを獲りにいく」(新しいウインドウで開きます)

東芝は、ディスクリート半導体の強化策の一環として、パワー半導体事業の拡大に乗り出す。車載・産業機器向けの高耐圧品を中心に、製品ポートフォリオを拡充。Si製IGBT(insulated gate bipolar transistor)のほか、次世代パワー半導体のSiCやGaNの生産ラインに投資し、本格的に量産を始める計画だ。東芝 執行役専務 セミコンダクター&ストレージ社 社長の成毛康雄氏が、2014年9月29日に開催した事業説明会で方針を示した。……

2014年9月30日 MONOist

CEATEC 2014 開催直前情報:
デンソーがSiC技術「REVOSIC」を披露、何でもモビリティ化する「X-mobility」も

デンソーは2014年9月30日、「CEATEC JAPAN 2014」(シーテック ジャパン/2014年10月7~11日、幕張メッセ)において、愛知県安城市で実証実験を開始する小型電気自動車(EV)を用いたカーシェアリングシステムや、次世代パワー半導体であるSiC(シリコンカーバイド)デバイスの技術「REVOSIC(Revolutionary SiC)」、インホイールモーター「X-mobility」、QRコード技術を活用した新サービス「MapQR」などを出展する。……

2014年9月30日 semiconductorTODAY

EPC launches 300V GaN power transistors for high-frequency applications(新しいウインドウで開きます)

 Efficient Power Conversion Corp (EPC) of El Segundo, CA, USA, which makes enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN) power field-effect transistors (FETs) for power management applications, has launched the EPC2025, a 300V power transistor for use in applications requiring high-frequency switching in order to achieve higher efficiency and power density. Applications enhanced by higher switching speeds include ultra-high-frequency DC-DC converters, medical diagnostic equipment, power inverters, and LED lighting. ……

2014年9月29日 産業技術総合研究所

ダイヤモンドウエハーの低欠陥コピー技術を実証
-ダイヤモンドパワーデバイスによる省エネルギー社会実現へ道を拓く-

独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】(以下「産総研」という)ユビキタスエネルギー研究部門【研究部門長 谷本 一美】ダイヤモンドデバイス化研究グループ 杢野 由明 研究グループ長、加藤 有香子 主任研究員、鹿田 真一 総括研究主幹らは、ダイレクトウエハー化技術>により、転位など欠陥の極めて少ない気相合成単結晶ダイヤモンドウエハーを作製できるダイヤモンドウエハーの低欠陥コピー技術を実証した。今回、ダイレクトウエハー化の種基板として、欠陥の極めて少ない基板を用いるとともに、このような基板に対応した結晶成長技術や基板表面処理技術を開発することにより、従来より一桁以上低い転位密度400 個cm-2の単結晶ダイヤモンドウエハーを作製できた。これにより、ダイヤモンドのパワーエレクトロニクス用材料としての可能性が示され、究極の材料特性をもつダイヤモンドパワーデバイスによる省エネルギー社会の実現へ道を拓くものと期待される。
なお、本研究成果は、2014年6月27日(日本時間)にアメリカ物理学会のApplied Physics Lettersにオンライン掲載された。……

2014年9月29日 TechOn!

ECSCRM 2014
27kVと高耐圧のSiC IGBT、Creeが開発(新しいウインドウで開きます)
京大は耐圧設計パラメーターに関する成果を発表

電力ネットワークの高度化や低損失化のために、10kVを超える高耐圧のパワー素子が求められている。SiCの分野では、超高耐圧素子に適したバイポーラ素子の研究が活発化している。SiCやその関連材料に関する学会「ECSCRM 2014」(2014年9月21~25日、フランス・グルノーブル)でも、10kV超のSiCのバイポーラ素子に関する発表が複数あった。
例えば、米Cree社と米国の陸軍研究所は共同で、耐圧27kVで、定格20AのnチャンネルSiC IGBTを試作した(講演番号:TH3-OR-02)。……

2014年9月29日 TechOn!

ECSCRM 2014
SiC MOS界面の移動度を約8倍に、Creeが発表(新しいウインドウで開きます)
バリウムを導入

米Cree社は、原子1層程度のバリウム(Ba)をSiC MOS界面に導入することで、キャリア移動度を飛躍的に高める技術を開発した。導入しない場合の移動度10cm2/V・sに対して、Baの導入で85cm2/V・sを達成した。SiC MOS界面にBaのようなII族元素を導入する方法は業界初である。同社はこの成果を、SiCやその関連材料に関する学会「ECSCRM 2014」(2014年9月21~25日、フランス・グルノーブル)で発表した(講演番号:TU3-OR-05)。……

2014年9月29日 semiconductorTODAY

Cree launches first 1.7kV, all-SiC power module(新しいウインドウで開きます)

 Cree Inc of Durham, NC, USA has released what it claims is the first all-SiC (silicon carbide) 1.7kV power module in an industry-standard 62mm housing.
 Powered by Cree’s C2M large-area SiC chip technology, the new half-bridge module exhibits 8mΩ on-resistance and 10-times higher switching efficiency than existing silicon module technology, it is claimed, making it capable of replacing silicon insulated-gate bipolar transistor (IGBT) modules rated at 400A or more. ……

2014年9月26日 マイナビニュース

ON Semi、TransphormとGaNベースの電力システムソリューションの提供で提携(新しいウインドウで開きます)

ON Semiconductorは、電力変換を専門とする米Transphormと、産業機器、コンピューティング、テレコムおよびネットワーキング分野におけるさまざまな高電圧アプリケーションに向けた、GaNベースの製品および電力システム・ソリューションの開発・マーケティングを共同で行っていくことを発表した。
同戦略的パートナーシップは、両社独自の強みを活用しようというもので、Transphormの600V GaNデバイス技術とON Semiconductorの高効率電力ソリューションを組み合わせることで、設計者がこれまで実現できなかった効率と電力密度レベルを可能とする、信頼性の高い、適格なソリューションを実現できるようになるという。……

2014年9月29日 TechOn!
ON SemiとTransphorm、GaNパワートランジスタを搭載した電源向けソリューションで提携(新しいウインドウで開きます)
2014年9月25日 semiconductorTODAY
ON Semiconductor and Transphorm to co-develop and co-market GaN-based power systems(新しいウインドウで開きます)

2014年9月25日 TechOn!

ECSCRM 2014
SiCの学会「ECSCRM 2014」が開幕、回路応用などの発表が増加(新しいウインドウで開きます)
アジア地域の発表も増加傾向

SiC(シリコンカーバイド)やその関連材料に関する学会「ECSCRM 2014」がフランス・グルノーブルで開幕した(期間は2014年9月21~25日)。同会議は、1996年から2年ごとに開催されており、今年は10回目となる。今回332件の発表がある。その内訳は、「バルク結晶成長」で41件、「エピタキシャル成長」で47件、「デバイスプロセス技術」で57件、「デバイスおよび回路応用」で74件、「理論・評価技術」で81件、窒化物半導体やグラフェンなどの関連材料で32件である。プロセス技術やデバイス、回路応用の発表件数が増えており、SiCの応用研究がより活発化していることがうかがえる。……

2014年9月25日 TechOn!

ECSCRM 2014
SiCバイポーラパワー素子作製に必要なp型SiC基板の研究が進む(新しいウインドウで開きます)

SiCやその関連材料に関する学会「ECSCRM 2014」(2014年9月21~25日、フランス・グルノーブル)では、バイポーラ素子の作製に必要なp型SiCのバルク結晶成長(基板)に関する発表が複数あった。SiCのショットキー・バリア・ダイオード(SBD)やパワーMOSFETといったユニポーラ素子ではn型基板が用いられる。そのため、各企業は、n型基板の大口径化や、高品質化に力を入れている。これまでp型基板は物性評価用やSiC MOSFETの基礎研究に使われる程度であった。……

2014年9月25日 日刊工業新聞BusinessLine

東京メトロ、銀座線新造車両にPMSMとSiCインバーターの主回路システム導入(新しいウインドウで開きます)

東京メトロは24日、銀座線1000系の新造車両に永久磁石式同期型モーター(PMSM)と、炭化ケイ素(SiC)を用いたインバーターを組み合わせた主回路システムを世界で初めて導入すると発表した。誘導電動機(IM)の主回路システムを使った同線01系と比べて約37%の電力を削減。1日平均に換算すると、1編成当たり920キロワット時の電力を削減する。……
2014年9月24日 TechOn!
東芝、SiCダイオードを採用した駆動システムを東京メトロ銀座線に納入(新しいウインドウで開きます)
シンガポールSMRT子会社と鉄道向け駆動システムの合弁会社を設立

2014年9月24日 日刊工業新聞

三菱電機、鉄道車両の回生エネルギー使う駅舎電源実証で1日600kWhの省エネ効果

三菱電機は鉄道車両の回生エネルギーを駅舎の電力に使う駅舎補助電源装置の実証試験で、駅で消費される電力のうち1日当たり約600キロワット時の省エネ効果を達成した。東京メトロ東西線の妙典駅に装置を納入し、実際に運用して試験した。
今回の装置は「S-EIV」。鉄道車両のブレーキ時に発生した電力をS-EIVが回収し、照明や昇降機など駅設備に利用する仕組み。電力を効率的に利用でき、省エネにつながる。今回の試験により、一般家庭約60世帯分の消費電力を削減できたという。……

2014年9月24日 TechOn!

SiCの潜在能力を引き出す、Cuベースの高温接合材料(新しいウインドウで開きます)
材料メーカーのナプラが開発

Siパワー素子に比べて、低損失な上、200℃を超える高温でも動作するSiCパワー素子。ところが、SiCパワー素子を搭載したパワーモジュールでは、同モジュールで利用する接合材料に課題があり、高温での動作を難しくしている。信頼性が高い接合材料を利用するとコストが高く、かといって安価な接合材料を利用すると信頼性の確保が非常に難しいからだ。……

2014年9月22日 日経産業新聞

半導体ウエハー欠陥半減 昭和電工 次世代「炭化ケイ素」――積層均一 来月に量産

昭和電工はパワー半導体材料の炭化ケイ素(SiC)ウエハーの次世代品を開発した。ウエハー表面にある0.01ミリメートル以上の平均欠陥数は1平方センチメートルあたり0.25個で、従来比半減した。このほど量産用の成膜装置を数億円かけて設置し、10月から出荷を開始する。1枚のウエハーからより多くのパワー半導体を生産できるようになり、顧客の半導体メーカーのコスト削減につながる。
開発したのは「エピタキシャルウエハー」と呼ばれる半導体材料で、炭化ケイ素基板の上に同じ構造の薄膜結晶を形成した。エピタキシャルウエハーはセ氏1500~1600度の高温にした炉で炭化ケイ素基板の上からシラン、プロパンなどのガスを流して炭化ケイ素の成分を積もらせて成膜する。……
2014年9月23日 日刊工業新聞
昭和電工、SiCウエハーの「6インチ」増強 月産能力2.75倍、新グレード出荷
2014年9月24日 TechOn!
昭和電工、150mmSiCエピウエハーの生産能力を3倍に(新しいウインドウで開きます)

2014年9月19日 semiconductorTODAY

Cree participating in roundtable on SiC-based power converters at Darnell Power Forum(新しいウインドウで開きます)

 Cree is to participate in the 11th annual Darnell Power Forum (DPF 2014) in Richmond, VI (23-25 September). As part of Darnell’s Energy Summit 2014 (a solutions-oriented conference and exhibition event that also hosts the Green Building Power Forum and the Smart Grid Electronics Forum), the international three-day forum will focus on advanced power conversion technologies enabling the development of next-generation power systems.
 On 23 September (4-5pm), in the roundtable discussion ‘Where Does SiC Fit?’ a panel of experts will highlight SiC as the ‘most mature’ of new semiconductor materials vying for a place in next-generation power converters, and address topics such as the applications in which SiC brings the most value and how SiC compares to other new materials. ……

2014年9月18日 EE Times Japan

欠陥の量を保証した6インチSiCウエハーを発売――東レ・ダウコーニング(新しいウインドウで開きます)

東レ・ダウコーニングは2014年9月18日、6インチ(150mm)サイズのSiC(炭化ケイ素)ウエハーとして、マイクロパイプ密度(MPD)や貫通らせん転位(TSD)など欠陥の量を保証した製品(3グレード)を発売したと発表した。
保証される欠陥は、MPDやTSD、基底面転位(BPD)といったデバイス性能に致命的な影響を与える「キラー欠陥」と呼ばれるもの。同社では、「SiCウエハメーカーの多くは、6インチSiCウエハーのMPDについて保証しているが、TSDやBPDといった他のキラー欠陥についても厳しい規格を明示するのは当社が初めて」と主張する。なお、同社は2014年5月に同様のキラー欠陥量を保証した4インチ(100mm)サイズのSiCウエハーを製品化している。……
2014年9月18日 TechOn!
東レ・ダウコーニングの150mmSiCウエハー、キラー欠陥の仕様を明確化(新しいウインドウで開きます)

2014年9月17日 TechOn!

SiCデバイスを安価に製造、東レの感光性高耐熱レジスト(新しいウインドウで開きます)
イオン注入プロセスを簡略化

Siパワー素子に比べて低損失ながら、高価なSiCパワー素子。同素子の製造コストを下げられる材料を東レが開発した。SiCパワー素子の製造工程にあるイオン注入プロセスを簡略化できる、高い耐熱性を備えた感光性レジストである。このレジストを利用することで、従来のSiCパワー素子のイオン注入プロセスを簡素化し、その時間を「40%以上短縮できる」(同社)という。同レジストは一部の顧客に向けてサンプル出荷中。SiCパワー素子も既に製品化されているが、「本格的に量産されるのは2017年ごろ」(東レ)とみており、同社は今回のレジストを2015年度に量産準備を整える考えだ。……

2014年9月17日 半導体産業新聞

クリー 15年度投資2億ドル 6インチへ全面切り替え

クリー(米ノースカロライナ州ダラム)は、2015会計年度(15年6月期)の設備投資額として、前年度比12%増の2億ドルを計画している。年度内に生産のほぼ100%を6インチ(150mm)ウエハーにシフトする考えだ。
同社は、本社があるダラム工場とノースカロライナ州のリサーチトライアングルパーク・テクノロジーセンターにLEDの前工程ラインを持つ。自社製のSiCウエハーを生産に適用しており、11会計年度に過去最高の2.37億ドルの投資を実施し、11年7~9月期から6インチによるチップ量産を開始した。……                 

2014年9月17日 半導体産業新聞

GaNパワーデバイス 三菱と住電が量産へ アイクストロンが成膜装置納入

独アイクストロンは、三菱電機の納入したMOCVD「 AIX 2800G4 HT Planetary Reactor system 」が稼働を始めたと発表した。三菱電機はこの装置を活用して、携帯電話用基地局向け GaN on Si パワーアンプ(PA)の開発・量産を加速する。……
また、アイクストロンは6月、4インチ対応のMOCVD「 CRIUS 」を住友電工デバイス・イノベーション(株)(SEDI)から受注したことを明らかにしている。7~9月期中に横浜市栄区にあるSEDI本社・電子デバイス事業部に納入される予定である。……

2014年9月17日 semiconductorTODAY

Cree files lawsuits to protect LED component IP (新しいウインドウで開きます)

 LED chip, lamp and lighting fixture maker Cree Inc of Durham, NC, USA has filed patent infringement lawsuits in the United States District Court for the Western District of Wisconsin to prevent Taiwan-based LED makers Harvatek Corp and Kingbright Corp from infringing its patented intellectual property. The patents protect, among other things, Cree’s LED component portfolio, including the firm’s white light LEDs. ……

2014年9月16日 TechOn!

CreeのSiC MOSFETがサニックスの9.9kWパワコンに(新しいウインドウで開きます)

米Cree社は、同社のSiC MOSFETがサニックスの太陽光発電向けパワーコンディショナー(パワコン)に採用されることを明らかにした。サニックスは、同社の新しい9.9kWのパワコンにCree社の耐圧1200VのSiC MOSFET「C2M」を適用するという。……
2014年9月9日 semiconductorTODAY
Japan's Sanix chooses Cree’s 1200V SiC MOSFETs for 9.9kW solar inverters(新しいウインドウで開きます)

2014年9月16日 semiconductorTODAY

Norstel and Ascatron ally to provide complete SiC epi offering(新しいウインドウで開きます)

 Ascatron AB of Kista (Stockholm) and Norrkoeping-based Norstel AB in Sweden have entered into a cooperation agreement to jointly address the market for silicon carbide (SiC) epitaxy.
 Spun off in 2011 from microelectronics and optics research institute Acreo AB in Kista, Ascatron specializes in silicon carbide (SiC) epitaxial material and device design. Using 3DSiC technology, the firm provides the complete doping structure based on epitaxy, enabling material quality and device performance unattainable through current methods, it is claimed. With 10 staff in Sweden currently, Ascatron focuses on fast delivery of custom-designed epiwafers in small series for market verification and ramp up to large volume production. To support customer product development , it offers complete fabrication of device wafers and technology licensing.……

2014年9月15日 semiconductorTODAY

Raytheon UK and Newcastle University team to investigate SiC interface defects(新しいウインドウで開きます)

 Raytheon UK’s semiconductor business unit in Glenrothes, Scotland, UK has embarked on a Knowledge Transfer Partnership (KTP) project, in conjunction with researchers at Newcastle University, to enhance the performance of silicon carbide (SiC) electronic devices, specifically for Raytheon’s own SiC CMOS process.
 KTPs are supported by Innovate UK (formerly the Technology Strategy Board), the UK’s innovation agency. Raytheon UK’s KTP with Newcastle University is studying the characteristics of the interface between SiC and silicon dioxide (SiO2), which critically impacts on the performance of a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET).……

2014年9月15日 semiconductorTODAY

IQE agrees MOU with WIN and Nanyang for Singapore centre of excellence(新しいウインドウで開きます)

 Epiwafer foundry and substrate maker IQE plc of Cardiff, Wales, UK has entered into a memorandum of understanding (MOU) with Taiwan’s WIN Semiconductors Inc (the world’s largest pure-play gallium arsenide foundry) and Singapore’s Nanyang Technological University (NTU) to form a centre of excellence for the development of compound semiconductor technology in Singapore. The Compound Semiconductor Development Centre (CSDC) will be jointly owned by IQE, WIN, NTU, local management and key academics.……

2014年9月12日 NEDO

府省の枠を越えSIPパワーエレクトロニクスプロジェクト始動へ
―さらなる省エネルギー化と産業競争力強化のために―(新しいウインドウで開きます)

NEDOは、省エネルギー化のためのキーテクノロジーであるパワーエレクトロニクスの性能向上や用途と普及の拡大を図り、一層の省エネルギー化の推進と産業競争力の強化を進めるため、11テーマの委託事業を開始します。
本事業は、内閣府が推進するSIP(戦略的イノベーション創造プログラム)の課題の一つである「次世代パワーエレクトロニクス」を、同テーマの管理法人としてNEDOが実施するものです。本事業の期間は2018年度末までの5年間です。……
2014年9月12日 NEDO
「SIP(戦略的イノベーション創造プログラム)/次世代パワーエレクトロニクス」に係る実施体制の決定について(新しいウインドウで開きます)

2014年9月12日 semiconductorTODAY

GaN Systems to show new gallium nitride high-power transistors at Energy Conversion Congress & Expo(新しいウインドウで開きます)

 In booth 419 at the IEEE Energy Conversion Congress & Expo (ECCE 2014) in Pittsburgh, PA, USA (14-18 September), GaN Systems Inc of Ottawa, Ontario, Canada, a fabless developer of gallium nitride (GaN)-based power switching semiconductors for power conversion and control applications, is showcasing its latest products among its range of GaN power transistors. Based on its proprietary Island Technology, the firm produces highly efficient, smaller transistors at lower cost than traditional silicon MOSFETs and IGBTs, it is claimed.……

2014年9月12日 TechOn!

キーワードで読み解く最新トピック:
GaN-on-Si パワーデバイスやLEDのコストを削減、大型M&Aの契機にも(新しいウインドウで開きます)

GaN(窒化ガリウム)は、LEDやパワーデバイス、高周波トランジスタなどに使われる半導体材料である。今、この材料を用いた半導体デバイスをSi(シリコン)基板上に作製する「GaN-on-Si(ガン・オン・シリコン)」技術が注目を集めている。LEDやパワーデバイスの大幅なコスト削減につながるからだ。
一般に、半導体デバイスは基板(母材)上に半導体薄膜を成膜して作る。この際、半導体薄膜と基板が同じ材料であれば、両者の格子定数(原子間の間隔)が同じであるため、単結晶と呼ばれる原子が規則正しく並んだ高品質の半導体薄膜を作ることができる。結果として、半導体薄膜の電気的特性や光学的特性が高まり、性能の高いデバイスを実現できる。……

2014年9月10日 TechOn!

東芝が半導体事業戦略を説明、「2000億円規模の投資を毎年続ける」 (新しいウインドウで開きます)

東芝は2014年9月9日、NANDフラッシュメモリーの製造拠点である四日市工場において、第5製造棟 第2期分の竣工式と、新・第2製造棟の着工式を開催した。式典終了後に記者会見を開き、同社幹部が半導体・ストレージ事業の戦略を説明した。……
これまでは利益確保に苦しんできたディスクリート半導体とシステムLSIでも「希望の持てるビジネスが出てきている」(田中氏)という。具体例として、車載用画像処理LSIや、米Google社のモジュール型スマートフォン「Project Ara」用のブリッジIC、白色LED、パワー半導体などを挙げた。これらの領域では「製品を絞った上で、それぞれの競争力を高めていく」(同氏)。特に、次世代パワー半導体のGaNとSiCに関しては、3次元NANDと並んで2015~2016年度の設備投資の主な対象と位置付ける。ディスクリート半導体やシステムLSIでの事業売却や工場閉鎖は「まったく考えていない」(同氏)とした。

2014年9月10日 MONOist

日産 燃料電池車 インタビュー:
燃料電池車の本格普及にはSiCインバータが必要だ(新しいウインドウで開きます)

2014年2月26日、芝浦工業大学の豊洲キャンパスで「第1回グリーンイノベーションシンポジウム」が開催された。SiC(シリコンカーバイド)デバイスを中心に、次世代パワー半導体の実用化に向けた最新の研究開発事例が報告された同シンポジウムで、基調講演に登壇したのが、日産自動車で燃料電池車(FCV)の研究開発を担当する、総合研究所 EVシステム研究所 エキスパートリーダーの飯山明裕氏である。
一見、水素を燃料とする燃料電池車と次世代パワー半導体の間には、直接の関係はないように感じられるかもしれない。しかし飯山氏は、講演の中で「燃料電池車の本格的な量産化に向けて、SiCインバータの実用化に対する期待は大きい」と語り、次世代パワー半導体関連の技術者が多くを占める来場者に訴えた。……

2014年9月10日 semiconductorTODAY

Aixtron partners with Fraunhofer IISB to enhance SiC production technology(新しいウインドウで開きます)

 Deposition equipment maker Aixtron SE of Aachen, Germany has teamed up with research institution Fraunhofer IISB (Institute for Integrated Systems and Device Technology) in Erlangen, Germany, to develop 150mm silicon carbide (SiC) epitaxy processes using Aixtron’s new 8x150mm G5WW vapor phase epitaxy (VPE) system. The Planetary Reactor tool will be installed at the IISB cleanroom laboratory in fourth-quarter 2014.
 Through this partnership we expect to further accelerate the implementation of 150mm SiC technology in the industry by pairing our process know-how in manufacturing SiC epitaxial layers with Aixtron’s SiC equipment expertise,” comments Dr Jochen Friedrich, head of the Crystal Growth Department at Fraunhofer IISB. “We will use the G5WW production system for process optimization and demonstration purposes at the IISB facilities in Erlangen.”……

2014年9月9日 semiconductorTODAY

Sweden’s Epiluvac launches as manufacturer of SiC CVD equipment(新しいウインドウで開きます)

 Epiluvac AB of Lund, Sweden says that it is now offering silicon carbide (SiC) chemical vapor deposition (CVD) epitaxy reactors in various configurations.……
 Much of the pioneering research around silicon carbide was done at Sweden’s Linkoeping University, where the hot-wall CVD reactor was developed. This reactor type has been used successfully worldwide by the most prestigious labs, says Epiluvac. With a team that has many years of experience developing hot-wall systems, Epiluvac aims to continue development of this type of reactor. ……

2014年9月8日 TechOn!

690V耐圧のダイヤモンドMOSFETなど、応物学会が2014年秋季講演会の注目講演を発表

応用物理学会は「2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会」(2014年9月17~20日、北海道大学)の注目講演を発表した。同講演会は、4057件の発表(口頭講演3174件、ポスター発表883件)と7000人前後の参加者を予定している。……

2014年9月8日 日経産業新聞

パワー半導体――省エネ社会、陰の主役(デジタル図鑑)

……次世代パワー半導体の開発も盛んだ。ウエハーに炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を使い、高温・高速で動作する際の電力ロスを減らす。新技術は再編の呼び水にもなった。
独インフィニオンテクノロジーズは米インターナショナルレクティファイアー(IRF)を30億ドル(約3千億円)で買収する。インフィニオンの副社長クラスでM&A(合併・買収)担当のアルンジャイ・ミタル氏は「技術的に補完できる」と説明する。インフィニオンはSiC、IRFはGaNを得意とする。
矢野経済研究所によると、世界市場は20年に294億5千万ドル(3兆円強)となり、13年の2倍に増える見通しだ。三菱電機が世界2位(13年、IHSグローバル)に位置するなど、日本勢の存在感も大きい。省エネ社会を支える陰の主役だけに、技術開発や再編の動きに関心が高まりそうだ。

2014年9月8日 日刊工業新聞

三菱電機など、窒化ガリウム半導体採用のマイクロ波加熱装置を開発

三菱電機は東京工業大学や国内のベンチャー企業などと共同で、窒化ガリウム(GaN)の半導体を採用したマイクロ波加熱装置の開発に10月にも乗り出す。化学工場をはじめ、鉄鋼や半導体製造における加熱工程への導入を想定する。全世界の関連市場規模は2030年に約8000億円という試算もあり、省エネルギー化に役立つ次世代半導体の新規用途としても需要を期待する。今後2年かけて現場での実証試験を重ね、事業化を目指す。……

2014年9月5日 semiconductorTODAY

Anvil transfers its 3C-SiC on silicon wafer production to Norstel(新しいウインドウで開きます)

 Anvil Semiconductors Ltd of Coventry, UK has secured a production source for its proprietary 3C-SiC on silicon epitaxial wafers through commercial silicon carbide (SiC) wafer and epitaxy supplier Norstel AB of Norrkoeping, Sweden.
 Spun off from Finnish silicon wafer manufacturer Okmetic in 2005, Norstel manufactures n-type conductive and semi-insulating SiC substrates and single-crystal epitaxial layers deposited by chemical vapour deposition (CVD). As well as wafer epitaxy, Norstel also offers services for characterization and polishing of semiconductors used in power and high-frequency electronics.……

2014年9月4日 CompoundSemiconductor

Transphorm Awarded Landmark Patents for GaN Power Conversion(新しいウインドウで開きます)

 Transphorm has just secured fundamental patents in GaN power conversion. The United States Patent and Trademark Office (USPTO) patent number 8,816,751 was granted August 26, 2014 and the patent application number 13/887,204 'Bridge Circuits and Their Components' was allowed by the USPTO on August 27, 2014.
 Both patents are directed towards the operation and use of GaN transistors in a multitude of applications including half bridges, the basic building blocks of a variety of power conversion circuits. Counterparts of these patents have also issued in China, Taiwan and are pending in several other countries.……

2014年9月2日 日刊工業新聞

経営ひと言/サイコックス・小林元樹取締役「パワー充実」

「価格競争力の高い炭化ケイ素(SiC)ウエハーを安定供給するために全力を尽くしたい」と意気込むのはサイコックス(東京都千代田区)取締役技術部長の小林元樹さん。
同社はSiCウエハーの価格を大幅に抑えられる新たな製造技術を開発。国内に生産ラインを設置しサンプル品を出荷する計画で「ウエハーの価格が高い課題を解決したい」と強調する。……

2014年9月2日 セミコンポータル

InfineonはInternational Rectifierをなぜ買うのか(新しいウインドウで開きます)

パワー半導体が得意なInfineon Technologiesが、パワー半導体だけに特化しているInternational Rectifierを買収することで合意した。なぜ、パワー半導体同士で買収合併するのだろうか。そもそもIR社は現在の縦型パワーMOSFETの源流であるHEXFETを開発した会社である。
共にパワー半導体を持つメーカーであるが、Infineonは、かつてドイツのSiemensから半導体部門だけスピンオフした企業。IRはトランジスタが発明される直前の1947年、セレン整流器製造を目的として創立されたパワーマネジメントICの老舗企業だ。Infineonは更なる成長に向けて、M&Aの機会を狙っていた。……

2014年9月1日 TechOn!

ソニーや日産自動車、東芝などが参画、省エネデバイスの市場創出プロジェクト(新しいウインドウで開きます)

NEDO(新エネルギー・産業技術総合開発機構)は、クリーンデバイス(省電力型の新デバイス)の用途を拡大するとともに、新市場の創出を目指す5テーマの委託事業を開始する。デバイスメーカーに加え、自動車や医療・ヘルスケア、プラント、ディスプレーなどの関連事業者と連携して新用途を創出する。実施期間は2014~2016年度の3年間。……

2014年8月28日 日本経済新聞

省エネ半導体の量産技術 パナソニックや阪大 16年度メド 800万世帯分の電力減

パナソニックと日立金属、大阪大学などは、電気の流れを制御するパワー半導体で省エネ型の量産技術を共同開発する。現在のシリコンではなく、新しい材料を使う。エネルギー損失が従来の6分の1以下に減る。2016年度を目標に実用化する。日本の半導体産業が衰退するなか、パワー半導体は競争力を保っており、次世代品の実現でこの地位を守る。
環境省は省エネ型パワー半導体が普及すれば、20年には少なくとも800万世帯相当の電力消費量の削減効果があるとみている。量産技術の確立を後押しするため、15年度予算の概算要求で関連費用として約14億円を盛り込んだ。16年度も研究費を助成する方針だ。……

2014年8月28日 EE Times Japan

ビジネスニュース 企業動向:
IR買収で2位東芝を引き離すインフィニオン、「相乗効果で利益率も改善する」(新しいウインドウで開きます)

 Infineon Technologies(インフィニオン テクノロジーズ)は2014年8月28日、東京都内で記者発表会を開催し、International Rectifier(IR:インターナショナル・レクティファイアー)の買収について説明した。両社は8月20日(ドイツ時間、米国時間)に、InfineonがIRを現金30億米ドルで買収することに合意したと発表している。……
 InfineonとIRはいずれもパワー半導体で業界をけん引する立場にいる。2012年における同市場のシェアランキングは、Infineonが1位、IRが6位だった。ただし、技術的には「完全に補完関係にある」(Mittal氏)と話す。Infineonは高電圧の製品に強く、IRは低電圧の製品群をそろえている。さらに、次世代パワー半導体についてもInfineonはSiC、IRはGaN、と異なる材料に注目して開発に力を入れてきた。……
2014年8月29日 TechOn!
Infineon幹部がIR社買収の狙いを説明、「多くの点で2社は補完し合える」(新しいウインドウで開きます)

2014年8月27日 TechOn!

東芝のディスクリート製品戦略、パワーデバイスやオプトデバイスなどに注力(新しいウインドウで開きます)
高耐圧はSiC、高周波はGaNを適用

東芝は2014年8月26日、同社のディスクリート製品事業の戦略を明らかにした。同事業で同社が今後さらに注力するのが、パワーデバイスやオプトデバイス、小信号デバイスである。……
次世代材料に関しては、高耐圧・高周波用途にSiCを、より高い周波数を求める用途にGaNを適用する考え。……
2014年8月26日 EE Times Japan
ビジネスニュース 企業動向:
東芝の次世代パワー半導体はSiCとGaNの並行展開(新しいウインドウで開きます)

2014年8月26日 TechOn!

次世代パワー半導体のインパクト ~SiCは次世代から現世代へ~ インフィニオン

システムの中に組み込んだ時、目に見えるメリットが得られるのか。インフィニオンでは、お客様にソリューションを提案する際、常にこのような視点から最適な技術を選択している。2014年7月4日に開催されたNE先端テクノロジーフォーラム「次世代パワー半導体のインパクト ~SiCは次世代から現世代へ~」において、Infineon Technologies AG, Senior Director SiC Champion Silicium CarbideのPeter Friedrichs氏は、SiCデバイスの効果的な利用法について解説した。……

2014年8月26日 semiconductorTODAY

Transphorm partners with Tata on GaN-based solar inverters for India(新しいウインドウで開きます)

 Transphorm Inc of Goleta, near Santa Barbara, CA, USA, which designs and provides gallium nitride (GaN)-based power conversion devices and modules for power supplies and adapters, motor drives, solar inverters and electric vehicles, is partnering with Tata Power Solar (TPS) of Bangalore, India to introduce an efficient solar inverter based on Transphorm’s GaN-based power switching platform. With its TPH Series portfolio of GaN products (backed by its GaN power IP portfolio), Transphorm claims to have established the industry’s only qualified 600V GaN device platform.
 Under the partnership, Transphorm will supply GaN transistors, while Tata Power Solar will locally manufacture and market the GaN-powered solar inverters. The first product is scheduled to be released in early 2015. ……

2014年8月25日 EE Times Japan

インターナショナル・レクティファイアー 副社長 Henning Hauenstein氏:
独自プロセス/パッケージ技術で、自動車のエネルギー効率向上に貢献する(新しいウインドウで開きます)

インターナショナル・レクティファイアー(IR)は、創業以来、「エネルギー効率の向上」に向けた独自技術を多く盛り込んだパワーデバイスの提供を続けてきた。2008年からは、車載製品事業部を立ち上げ、IRの独自パワーデバイス展開を自動車市場へも広げてきた。過去4年間で売り上げ規模が4倍になるなど急拡大するIRの車載製品事業を統括する副社長のHenning Hauenstein氏に、車載製品事業における技術/製品戦略や日本でのビジネス展開状況について聞いた。……

2014年8月21日 EE Times Japan

ビジネスニュース M&A:
インフィニオン、IRを30億ドルで買収(新しいウインドウで開きます)

Infineon Technologies(インフィニオン テクノロジーズ)は2014年8月20日、International Rectifier(IR:インターナショナル・レクティファイアー)を、現金約30億米ドルで買収することで両社が合意したと発表した。買収額は1株当たり40米ドル。IRの過去3カ月の平均株価に47.7%、前営業日(2014年8月19日)の終値に50.6%のプレミアムを上乗せした水準となっている。
InfineonとIRは、いずれもパワー半導体で業界をけん引する立場にある。Infineonは2013年2月に、300mmウエハーを使ったパワー半導体チップの生産を他社に先駆けて開始した。一方のIRは、GaNやSiCを用いた次世代パワー半導体の開発に注力してきた。InfineonはIRを買収することで、Si、SiC、GaNベースのパワー半導体製品ポートフォリオをそろえることになる。……
2014年8月22日 TechOn!
InfineonがIRを30億米ドルで買収、パワー半導体事業を強化へ(新しいウインドウで開きます)

2014年8月20日 EDN Japan

エフィシエント・パワー・コンバージョン EPC2019他:
GaNパワートランジスタ、DC-DCコン応用で効率98%を実現(新しいウインドウで開きます)

エフィシエント・パワー・コンバージョン(Efficient Power Conversion:EPC)は、eGaN(エンハンスメント・モード窒化ガリウム)パワートランジスタの新製品として、耐圧30~200Vの6製品を発売した。これらを搭載したDC-DCコンバータも評価用として提供する。……

2014年8月18日 EE Times Japan

パワー半導体 SiCデバイス:
SiCパワー素子とその応用開発を加速、パワエレ分野で日本の優位性確保へ(新しいウインドウで開きます)

新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は2014年8月、SiC(炭化ケイ素)パワーデバイスを用いた、自動車や鉄道車両向け応用システムの開発を加速するために、3テーマの助成事業と1件の委託事業を行うと発表した。パワーエレクトロニクス分野における日本の技術的優位性を確保すると同時に、パワーデバイスの用途を拡大するのが狙いである。
NEDOは、2009年度より、2019年度を最終年度とする「低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト」に取り組んでおり、新材料パワーデバイスの開発プロジェクトなどを推進してきた。今回の事業もこの一環で、助成事業は2014年度より最大6年間、委託事業は2014年度より2016年度までの3年間である。……
2014年8月19日 TechOn!
SiCパワー半導体の応用技術開発プロジェクトが始動、デンソーや富士電機などが主導(新しいウインドウで開きます)

2014年8月18日 EDN Japan

これだけは知っておきたいアナログ用語:
SiC(シリコン・カーバイド)(新しいウインドウで開きます)

SiC(シリコン・カーバイド)とは、次世代パワー・デバイス(パワー半導体)に用いられる材料のこと。SiCパワー・デバイスを、既存のSi(シリコン)パワー・デバイスの代わりに、インバータやDC/DCコンバータなどの電源装置に搭載すれば、電力変換効率の向上や装置の小型化などを実現できる。このため、研究者や開発者の間では、「省エネやCO2削減の切り札」と目されている期待の材料だ。このほか、次世代パワー・デバイスに用いる材料の候補としては、SiCのほかにGaN(窒化ガリウム)がある。
SiCパワー・デバイスを使うことで、電源装置の変換効率向上や小型化を実現できる理由は、SiCの材料特性が極めて高い点にある。具体的には、バンドギャップが3.25eVとSiの約3倍と大きいことや、絶縁破壊強度が3MV/cmとSiの約10倍と高いことなどが挙げられる。さらに、熱伝導性や耐熱性などにも優れる。……

2014年8月18日 EE Times Japan

オン・セミコンダクター 上席副社長 兼 最高技術責任者 Hans Stork氏:
イメージセンサーを増強し、車載、産業機器、スマホ分野をさらに強化(新しいウインドウで開きます)

オン・セミコンダクターは、パワーデバイスなど「高効率エネルギーソリューション」を中心にした広範に及ぶ製品ポートフォリオを武器に、オートモーティブ、産業機器、スマートフォンといった成長分野で事業を拡大させる方針。さらに直近ではこれら成長分野で需要拡大が見込まれるイメージセンサーメーカーを相次いで買収するなど製品ポートフォリオを一層広げる構えだ。同社上席副社長で最高技術責任者(CTO)を務めるHans Stork氏に、製品開発戦略やイメージセンサー事業強化の狙いを聞いた。……

2014年8月15日 NEDOニュースリリース

SiCパワー素子の自動車や鉄道車両向け応用システム開発を加速(新しいウインドウで開きます)
―日本の技術的優位性確保と新材料パワーデバイスの適用拡大を目指す―

 ……NEDOは、パワーエレクトニクス分野における日本の技術的優位性の確保と適用拡大を目指し、新たなテーマを開始します。
このプロジェクトでは、新材料であるシリコンカーバイド(SiC)を用いたパワーデバイスを活用した応用システム開発を行う3テーマの助成事業と、現状のSiCパワーデバイスと同等以上の性能を有する新世代Siパワーデバイスを開発する1件の委託事業に取り組みます。……

2014年8月12日 CompoundSemiconductor

SiC to replace silicon power devices in cars by 2020(新しいウインドウで開きます)

 Wide bandgap materials such as silicon carbide and gallium nitride are best positioned to address emerging power electronics performance needs in electric vehicles (EVs), with SiC displacing silicon as early as 2020, according to a new report by Lux Research.
 As silicon struggles to meet higher performance standards, wide bandgap (WBG) materials are benefiting from evolving battery economics. On a Tesla Model S car, for example, a 20 percent power savings can result in gains of over $6,000 in battery cost, or 8 percent of the vehicle's cost.……
 They also forecast that SiC diodes will attain commercialisation sooner than GaN, being adopted in vehicles by 2020.
 Government funding, they add, is driving WBG adoption. The US, Japan and the UK, among others, are funding research and development in power electronics. The US Department of Energy's Advanced Power Electronics and Electric Motors is spending $69 million this year and defining performance and cost targets; the Japanese government funds a joint industry and university R&D program that includes Toyota, Honda and Nissan.

2014年8月11日 ITmedia

オムロンが高圧領域への参入をアピール、得意の低圧市場でノウハウ貯めた低コストな分散設置型パワコンなど(新しいウインドウで開きます)

オムロンは、2014年7月30日~8月1日に東京ビッグサイトで開催された「PVJapan 2014」に出展し、近く市場投入を予定している高圧連系向けの太陽光発電用パワーコンディショナをはじめ、地絡過電圧継電器(OVGR)の新製品やメンテナンスツールなど、「エネルギー効率の最大化」に寄与する製品や技術を披露した。……
近々製品化を予定している新技術を組み込んだパワーコンディショナも披露した。たとえば、パワー半導体素子にSiC(シリコンカーバイド)を採用した「ALL SiCパワコン」。同容量であれば、体積を従来製品の1/2に小型化できる(同サイズなら容量が2倍)。電力損失も従来製品の1/2に抑えられるという。……

2014年8月7日 CompoundSemiconductor

Japanese group reduces defects in SiC transistors(新しいウインドウで開きます)

 A research group at the University of Tokyo Graduate School of Engineering has found a way to reduce defects in silicon carbide devices to improve performance.……
 The Tokyo University group led by Koji Kita found that the density of interface defects is significantly reduced by employing reaction conditions where the by product carbon is ejected as carbon monoxide when creating the gate dielectric film. The group achieved the lowest defect density in a metal-oxide-semiconductor test structure employing these conditions.……
 The work was published as “Fabrication of SiO2/4H-SiC (0001) Interface with Nearly-Ideal Capacitance-Voltage Characteristics by Thermal Oxidation” by Richard Heihachiro Kikuchi and Koji Kita, in Applied Physics Letters 105, 032106 (2014).

2014年8月6日 ITmedia

蓄電・発電機器:
「窒化ガリウム」で高性能、それでも安価な家庭用パワコン(新しいウインドウで開きます)

安川電機では「PV Japan 2014」で、GaN(窒化ガリウム)パワー半導体を採用した家庭用屋内設置向けのパワーコンディショナーを展示した。世界でもいち早くGaNを採用したという「名」よりも、高効率で安価な主力製品としての「実」をとる。……
中でも安川電機が展示した家庭の屋内に設置するタイプのパワーコンディショナーが興味深い。98%という変換効率の数字は、同じ会場で展示されていた三菱電機の「PV-PN44KX」と同じだ。三菱電機は内蔵するパワー半導体にシリコンを使う代わりに、より優れた特性を持つSiC(炭化ケイ素)を採用することにより、効率を高めている。安川電機はSiCと並ぶ性能を実現可能なGaN(窒化ガリウム)を採用した。GaNモジュールを採用した世界初のパワーコンディショナーをうたう。……

2014年8月5日 EE Times Japan

ビジネスニュース 市場予測:
パワー半導体世界市場、2020年に倍増の294億米ドル規模に(新しいウインドウで開きます)

矢野経済研究所は2014年8月、パワー半導体の世界市場予測をまとめ発表した。2013年実績の約143億米ドルに対して、2020年にはほぼ倍増の294億米ドルと予測する。今後も白物家電や産業機器、自動車分野が需要をけん引する見通しだ。SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)といった次世代パワー半導体市場は、2020年に約28億米ドル規模と予測した。
今回の調査は、2013年10月から2014年6月まで、パワー半導体メーカーやウエハーメーカーおよびシステムメーカーなどへのヒヤリング調査などによってまとめた。……
2020年までのパワー半導体市場見通しもまとめている。2013年から2020年までの年平均成長率は10.9%となり、2020年には294億5000万米ドルの規模に達すると予測する。パワー半導体の需要をけん引するのは、今後も白物家電や産業機器、自動車分野などが中心となる。……
パワー半導体業界で最も注目されている技術が、SiCやGaNをベースとした次世代パワー半導体と呼ばれる製品である。同調査によれば、SiCやGaNを中心とした次世代パワー半導体の世界市場規模は、2020年に28億2000万米ドルの規模に達する見通しだ。……
2014年8月4日 TechOn!
SiCパワー半導体市場は2016年から本格的に立ち上がる、矢野経済研究所 が見通し(新しいウインドウで開きます)

2014年8月4日 ITmedia

蓄電・発電機器:
シリコン系で最高水準をうたう、効率96.5%の小型パワコン(新しいウインドウで開きます)

デルタ電子は2014年7月に屋外設置が可能な太陽光発電システム用パワーコンディショナー「RPI Hシリーズ」を発売した。出力の異なる4モデルがある。……
同社は高い変換効率が実現可能なSiCパワー半導体やGaNパワー半導体などを採用せず、従来と同じシリコン系パワー半導体を採用した理由を次のように明かした。「今回は量産性と経済性を考慮して、シリコン系のパワー半導体を使用し、回路制御技術を駆使して最高の効率を追求した。シリコン系パワー半導体を使い、マルチストリング対応が可能な製品として、96.5%という効率は国内最高レベルだと考える。シリコン系の半導体で97%を達成した他社製品は外付けの接続箱や昇圧箱などが必要であり、太陽光発電システム全体としての効率は下がる」(デルタ電子)。
ただし、GaNやSiCを見据えた設計を採用しているという「将来、GaNやSiCがより安価になり、実用性が高まったときに、当社の回路制御技術と組み合わることで、98.5%の変換効率を目指せると考えている」(デルタ電子)。……

2014年8月4日 EE Times Japan

TECHNO-FRONTIER 2014:
トランスフォームがGaN評価ボードを一挙に展示、10月から日本で量産も(新しいウインドウで開きます)

トランスフォーム・ジャパンは「TECHNO-FRONTIER 2014」(テクノフロンティア/2014年7月23~25日、東京ビッグサイト)において、窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスを搭載した評価ボードを展示した。……
今回展示した評価ボードは、GaN HEMTを搭載した一体型PC向け高密度電源、出力1kWの単相インバータ、ブリッジレスのPFCなど。トランスフォーム・ジャパンの担当者は「GaNパワーデバイスは新しい素子なので、シリコン(Si)パワーデバイスに比べて使いにくいと感じるエンジニアも多い。当社は、開発工数を減らせるような、すぐに使える評価ボードを各種取りそろえている」と話す。……
単相インバータは、家庭用パワーコンディショナ(パワコン)への引き合いが最も強い評価ボードだという。……

2014年8月1日 日経産業新聞

パワー半導体の材料変化 炭化ケイ素、耐電圧で注目

高い電圧で大きな電流を制御する「パワー半導体」の分野で地殻変動が起きている。シリコン半導体の性能が限界に近づき、炭化ケイ素半導体が台頭を始めた。価格が高い課題はあるが、改良は急ピッチで進む。この分野で日本の競争力は強く「電機産業の救世主になるかもしれない」と期待を集めている。
「はるかに優れた性能がないと材料を変えるのは難しい。パワー半導体分野の炭化ケイ素はシリコンの性能をしのぎ、高い将来性を感じる」。炭化ケイ素半導体で世界最先端の成果を出している京都大学の木本恒暢教授はこう強調する。……
68年に研究に着手した京大の松波弘之名誉教授がしぶとく研究を続け、ロームや三菱電機、東京エレクトロン、住友電気工業などとの共同研究を通して実用化技術を磨いた。米ベンチャー企業のクリー(ノースカロライナ州)やドイツのインフィニオンテクノロジーズが事業化で先行したが、日本の産業界の技術水準は「世界でトップ」(木本教授)とみられる。
国内のパワー半導体市場は推定で年3000億~4000億円で、炭化ケイ素半導体はまだ約100億円の規模にとどまる。直径30センチメートルの単結晶を作れるシリコンに対し、炭化ケイ素は15センチメートルにたどり着いた段階。製品にもよるが、価格はざっと10倍の差がある。大手メーカーは炭化ケイ素でしか実現できない応用分野を見定め、市場の拡大を目指す。
これから有望とみられる分野は電子化の進む自動車や太陽光発電システム、工場や高層ビルの電源設備などだ。……

2014年8月1日 日刊工業新聞

東大、SiC由来の「界面欠陥」を大幅に減らす技術開発 パワーデバイス高性能化に道

東京大学大学院工学系研究科の喜多浩之准教授らは、次世代のパワーデバイス材料である炭化水素(SiC)の高性能化に向け、SiC膜とその上に作られる絶縁膜材料との間の「界面欠陥」を大幅に減らす技術を開発した。窒素系ガスを添加するなどの新たなプロセスを加えずに、高品質の界面を作れる。SiCパワーデバイスの長期安定性と性能向上が見込める。
開発したのは、次世代パワーデバイスの理想性能に近づく絶縁膜材料の作製手法。SiCとその表面に形成されるゲート絶縁膜(二酸化ケイ素)材料との間の界面欠陥を減らす。……
科学技術振興機構のプロジェクトの一環で開発した。成果は米物理学誌アプライド・フィジクス・レターズ電子版に掲載される。

2014年8月1日 itmedia

蓄電・発電機器:
性能を高め、使いやすくするには何が必要? 基本に立ち返ったSiCパワコン(新しいウインドウで開きます)

三菱電機は、太陽光発電に関する総合イベント「PV Japan 2014」(2014年7月30日~8月1日、東京ビッグサイト)において、住宅用のパワーコンディショナーの新製品を展示した。2014年11月以降に順次発売を開始するPV-PNシリーズ4製品だ。
パワーコンディショナーは太陽電池が作り出す直流電流を、家庭内で利用できる交流電流に変換する装置。従って、ニーズは大きく2つある。なるべく多くの電力を得る性能と、家庭内の利用シーンの幅を広げる機能だ。
性能面では3点を改善した。変換効率と、日射の変動への対応力の高さ、売電が難しい環境での対応力だ。3点ともより多くの売電が可能になる特徴である。……

2014年8月1日 TechOn!

Silicon carbide bipolar opamp performance at 500°C(新しいウインドウで開きます)

 Sweden’s Royal Institute of Technology (KTH) has created a monolithic operational amplifier circuit using 4H polytype silicon carbide (SiC) bipolar junction transistors (BJTs) [Raheleh Hedayati et al, IEEE Electron Device Letters, vol35, p693, 2014]. The researchers see applications for such devices that can potentially operate at up to 600°C as being in “Venus exploration, oil and gas drilling, aviation, and automotive”.
 Although SiC junction field-effect transistors (JFETs) have been reported as working at up to 576°C (Table 1), BJTs have higher speed, better linearity, and higher drive current. Metal-oxide-semiconductor (MOS) transistors are limited by the stability of the oxide layer to temperatures of 400°C and less.……

2014年7月30日 TechOn!

PVJapan2014
SiCやGaNのパワーモジュール利用パワコンが続々、三菱電機が発売で一番乗りへ(新しいウインドウで開きます)

再生可能エネルギー技術や製品の展示会「PVJapan2014」(東京ビッグサイト、2014年7月30日~8月1日)では、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)といった次世代パワー半導体を実装した、太陽光発電向けパワーコンディショナー(パワコン)の出展が相次いだ。特に三菱電機は、2015年1月の発売を発表したばかりの製品を出展した。「当社調べでは、SiCを用いたパワコン製品は世界で初めて」(同社)という。

2014年7月29日 EE Times Japan

TECHNO-FRONTIER 2014:
IRジャパン、GaNデバイスの開発ロードマップ示す(新しいウインドウで開きます)

インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)は、「TECHNO-FRONTIER 2014」(テクノフロンティア/2014年7月23~25日、東京ビッグサイト)において、モータ駆動用途向けにコスト効率を高めた小型IPM(インテリジェントパワーモジュール)「μIPM-DIP」ファミリや、第2世代IPM「IRAM Gen2」ファミリを紹介した。また、GaN(窒化ガリウム)によるパワー半導体の開発ロードマップなども示した。……

2014年7月28日 TechOn!

TECHNO-FRONTIER 2014
主役はSiCやGaNだけじゃない ロームがSiパワー半導体の次世代品をサンプル出荷開始(新しいウインドウで開きます)

ロームは、Si製パワー半導体の新製品2品種を「TECHNO-FRONTIER 2014」(7月23~25日、東京ビッグサイト)に出展した。第2世代のスーパージャンクションMOSFET(SJ-MOSFET)、およびIGBTとSJ-MOSFETのメリットを兼ね備えたパワーMOSFET「HybridMOS」である。
第2世代のSJ-MOSFETでは、第1世代品に比べてオン抵抗値を40%低減した。……

2014年7月28日 TechOn!

TECHNO-FRONTIER 2014
ローム、定格電流を300Aに高めたフルSiCパワーモジュールを出展(新しいウインドウで開きます)

ロームは、定格電流を300Aに高めた耐圧1200VのフルSiCパワー半導体モジュールを「TECHNO-FRONTIER 2014」(7月23~25日、東京ビッグサイト)に出展した。定格電流40A級のSiC MOSFETとSiC SBD(ショットキーバリアダイオード)を8個ずつ搭載したもので、既にサンプル出荷を開始した。……

2014年7月28日 TechOn!

TECHNO-FRONTIER 2014
SiCは医療機器の電源にも最適」 三菱電機が高周波対応のパワーモジュールを披露次世代半導体(新しいウインドウで開きます)

三菱電機は、50kHz程度までの高周波スイッチング動作を行う産業機器に向けたハイブリッドSiCパワー半導体モジュールを開発、「TECHNO-FRONTIER 2014」(7月23~25日、東京ビッグサイト)に出展した。高周波用Si-IGBTとSiC-SBD(ショットキーバリアダイオード)を組み合わせたもので、2014年5月からサンプル出荷中である。
太陽光発電用パワーコンディショナーなど各種の産業機器に向けるもので、特に、高いスイッチング周波数を採用する場合が多い医療機器用電源とは相性が良いという。……

2014年7月28日 日経BP 環境経営フォーラム

三菱電機、太陽光発電パワーコンディショナーの新製品を発売 業界最高の変換効率(新しいウインドウで開きます)

三菱電機は、住宅用太陽光発電システム向けパワーコンディショナー(電力変換器)の新製品を11月から順次、発売する。業界最高の電力変換効率98.0%を実現した、定格出力4.4kWのモデル「PV-PN44KX」をはじめ、独自の制御技術で効率を高めた、屋内設置タイプ計4機種を投入する。発電量を向上させるとともに、自立運転時の使用電力量を増やした。
太陽電池モジュールが発電した直流電力を家庭で使う交流電力に変換する。PV-PN44KXは、パワー半導体素子を全て次世代材料の炭化ケイ素(SiC)にしたパワー半導体モジュール「フルSiC-IPM」を採用した。……
2014年7月28日 三菱電機ニュースリリース
フルSiC-IPMの採用で業界最高の電力変換効率98.0%を実現、発電量を向上国内住宅用太陽光発電システム向けパワーコンディショナ新商品発売(新しいウインドウで開きます)

2014年7月28日 CompoundSemiconductor

First calls for EU's 80 billion euro Horizon 2020 research programme(新しいウインドウで開きます)

 Research partnerships between the EU, the private sector and Member States have presented their first calls for projects and partners under Horizon 2020, the EU's 80 billion euro research and innovation programme. 700 million euro of this is earmarked for a Public-Private Partnership (PPP) on photonics, a field considered to be of strategic importance for European industry.……

2014年7月27日 財経新聞

SiCパワーデバイス開発で透けてみえる“中央(政府)研究所”の終焉と産学連携の未来(新しいウインドウで開きます)

……昨年、京都の産学連携で研究開発を進める次世代半導体素材、SiC(シリコンカーバイト/炭化ケイ素)の本格的な普及を目指す取り組みが、科学技術振興機構(JST)の公募事業「研究成果展開事業」の中核として「コアクラスター」に採択された。
今後、電力損失の少ないSiCパワーデバイスは、自動車業界や家電メーカー、電力各社や鉄道事業社、そしてあらゆる産業機器に搭載され、エネルギーの効率的な利用を促進する。今年3月まで文科省が推し進めてきた「京都環境ナノクラスター」でSiC研究が進んだ。が、いまだSiCデバイスの量産化は世界でも数社に止まるとされるなか、京都大学と共同研究を進めてきたロームなどが量産で先行している。……
産学連携を非常に早い時期から模索、実行してきた京都先端産業界は、高度成長期の「何が何でも中央政府が管轄」する“中央研究所システム”が技術開発をリードする時代の終焉を見込んでいたのかも知れない。

2014年7月25日 J-Net21

科学技術振興機構(JST)、東京大学
次世代パワーデバイスの理想性能に近づく絶縁膜材料作製手法を開発~SiCと絶縁膜の界面欠陥解消による性能向上へ~

次世代のパワーデバイス材料として期待されるシリコンカーバイド(SiC)上に形成される絶縁膜材料との間の「界面欠陥」を大幅に低減し、理想性能に近づける新しい改質手法を開発しました。この手法は、窒素系ガスを添加するなどの付加的プロセスなしに、極めて高い品質の界面を実現したものであり、各種産業における利用が期待される手法と考えられます。この手法により、長期安定性も含めたSiCパワーデバイスの性能向上と普及が可能となり「エネルギーの高効率利用」への貢献が期待できます。
JST、東大発表文(新しいウインドウで開きます)

2014年7月25日 TechOn!

TECHNO-FRONTIER 2014:
Infineon、パワーデバイス向け小型パッケージをアピール(新しいウインドウで開きます)

ドイツInfineon Technologies社は、メカトロニクスやエレクトロニクス技術の展示会「TECHNO-FRONTIER 2014」において、パワーデバイス向けの小型パッケージ群を出展した。例えば、サーバーやノートパソコン向けのパワーMOSFETを封入したパッケージである「Blade 3×3」は、25V/30VのMOSFETを3.4mm×3mmに搭載。電流容量は25℃で50Aである。……

2014年7月25日 TechOn!

TECHNO-FRONTIER 2014:
GaNパワー素子で攻める海外企業 100~200A品も登場(新しいウインドウで開きます)

メカトロニクスやエレクトロニクス技術の展示会「TECHNO-FRONTIER 2014」では、海外企業による、Si基板利用のGaNパワー素子の展示が相次いだ。同素子のエコシステムが広がりつつある様子が伺えた。
耐圧650Vで、電流容量が100~200Aと大きいノーマリーオフ型のGaNパワートランジスタを出展したのが、カナダGaN Systems社である。……

2014年7月24日 semiconductorTODAY

Google and IEEE launch $1m Little Box Challenge to create smaller power inverter(新しいウインドウで開きます)

 Google and the Institute of Electrical and Electronic Engineers’ Power Electronics Society (IEEE PELS) have launched the Little Box Challenge, an open competition with a $1m prize to create a much smaller but higher-power-density inverter. ……
 The challenge is to figure out how to shrink an inverter to something smaller than a small laptop (a reduction of >10x in volume). The winning inverter will be the one that achieves the highest power density and meets a list of other specifications, as determined by a panel of judges, while undergoing testing for 100 hours.
The other specifications are: ……
The application deadline is 30 September.……
Visit: www.littleboxchallenge.com

2014年7月23日 CompoundSemiconductor

Allegro MicroSystems Announces New SiC Schottky Barrier Diodes(新しいウインドウで開きます)

 Allegro MicroSystems has announced the release of a next generation series of SiC schottky barrier diodes, manufactured by Sanken Electric, Japan. The FMCA series achieves low leakage current and high speed switching at high temperatures. It is targeted at industrial and computer markets with end applications to include servers and those that require high frequency rectification circuits.
 The FMCA series uses the next generation of power semiconductor SiC and a 650V breakdown voltage in a schottky barrier configuration, making it suitable for continuous current mode PFC circuits. ……

2014年7月23日 EE Times Japan

TECHNO-FRONTIER 2014:
STマイクロがSiC-MOSFETを国内初公開(新しいウインドウで開きます)

STマイクロエレクトロニクスは、「TECHNO-FRONTIER 2014」(テクノフロンティア/2014年7月23~25日、東京ビッグサイト)で、SiC(炭化ケイ素)によるMOSFET(SiC-MOSFET)製品を公開した。同社SiC-MOSFET製品の展示は国内で初めて。
公開したSiC-MOSFETは、耐圧1200V、定格電流45A品、オン抵抗80mΩの「SCT30N120」。現在サンプル出荷中で、直径4インチサイズのSiCウエハーを用いてイタリア・カターニャ工場で2014年9月からの量産を目指している。……

2014年7月23日 日刊工業新聞

サイコックス、SiCウエハーの価格5分の1に 16年サンプル出荷、20年めど量産

サイコックス(東京都千代田区、加藤光治社長)は、2016年に従来より価格が半値以下の炭化ケイ素(SiC)ウエハーを月数千枚規模で生産し、サンプル出荷を始める。最終的に価格を5分の1にする計画で材料メーカーなどと協業し、2020年をめどに量産品を販売する。SiCをパワー半導体に使うと消費電力を大幅に削減できる一方、ウエハー価格が高いことが課題になっている。他社に先駆けて価格競争力のあるウエハーを量産する体制を整え、早期事業化を目指す。
半導体装置メーカーと連携し6インチのSiCを生産する専用装置を開発する。……
サイコックスはSiCウエハーの新たな製造技術を確立するために12年6月に設立したベンチャー。
開発には産業技術総合研究所が参加している。科学技術振興機構(JST)の補助金事業に採択されている。

2014年7月23日 日刊工業新聞

三菱電機、EV用パワー半導体に新製品

三菱電機は22日、電気自動車(EV)やハイブリッド車(HV)用モーターのインバーター駆動に用いるパワー半導体モジュール「J1シリーズ」に新製品を追加し10月31日にサンプル出荷を始めると発表した。高電圧バッテリー対応製品と小容量インバーター対応製品の2種類で、大型車と小型車に適合するようにした。中型サイズが中心だったEV・HVのラインアップが広がっており、そのニーズを取り込む。……

2014年7月23日 日本経済新聞(大阪)

軌跡 国内外に市場広がる 省エネ半導体にかける 

 炭化ケイ素半導体を日本で初めて実用化した企業はロームだ。大手の量産品とは競合しない特注品の開発を得意とする。1990年代から京都大学の松波弘之教授らと共同研究を続け、2010年にダイオードとトランジスタの量産を開始した。「最初は炭化ケイ素の品質がよくなくて見通しはなかった。本格的な実験は02年から始めた」。炭化ケイ素半導体を担当するパワーデバイス製造部の伊野和英部長は経緯を解説する。……

2014年7月22日 日刊工業新聞

東芝、汎用インバーター向けパワー半導体モジュール事業に再参入 

東芝はエアコンやエレベーターに搭載する汎用インバーター向けパワー半導体モジュール(複合部品)事業に再参入する。耐電圧600-1200ボルト級で、電力変換効率に優れる新製品を2014年度下期以降に順次投入。16年度に数十億円規模の事業に育てる。経営資源の選択と集中を進めた東芝は04年に同事業を三菱電機に売却した。だが、その後、市場が当初の予想以上に拡大。さらに東芝は半導体事業において縮小から成長へと戦略の路線シフトを打ち出しており、再参入を決めた。……

2014年7月22日 日本経済新聞(大阪)

軌跡 省エネ半導体にかける 炭化ケイ素一筋40年余

高電圧で大電流の制御に適した新しい半導体が、日本の電機産業の救世主になりそうだと注目を集めている。消費電力を下げる性能に優れ、応用が広がり始めた。硬くて扱いにくい炭化ケイ素という材料で作られ、後発企業は簡単に後追いできない。京都大学がしぶとく研究を続け、ロームや三菱電機、住友電気工業などのメーカーが市場開拓に意欲をみせている。
松波弘之・京大名誉教授は炭化ケイ素半導体の第一人者だ。1968年に研究に着手し実用化につながる成果を積み重ね、世界で評価されている。「理論的に性能のよさは分かっていた。シリコンのように皆が認める材料の仲間に入れようと思い続けた結果だね」。この材料にこだわった理由をさらりと解説する。……

2014年7月22日 日経産業新聞

三菱電機、消費電力半減させる半導体

三菱電機は家電製品のインバーターの消費電力をほぼ半減させるパワー半導体の新製品「フルSiC DIPPFC」を発売した。トランジスタとダイオードの両方の材料に炭化ケイ素(SiC)を使う。SiCは高速・高温での動作時の電力ロスが少なく、シリコンに比べ電力損失を45%減らせる。サンプル価格は1万円(税別)。エアコンの高級機種での需要を見込む。

2014年7月17日 日刊工業新聞

三菱電機、電力損失抑えたパワー半導体

三菱電機は炭化ケイ素(SiC)をトランジスタ部とダイオード部の両方に採用し電力損失を抑えたパワー半導体を開発し、発売すると16日発表した。入力実行電流は20アンぺア、耐圧は600ボルト。シリコン(Si)素子を採用した従来製品と比べ電力損失を45%低減しており、家電製品の低消費電力化や小型化に役立つ。……

2014年7月16日 semiconductorTODAY

Mitsubishi Electric launches super-mini full-SiC DIPPFC module(新しいウインドウで開きます)

Tokyo-based Mitsubishi Electric Corp has launched a transfer-molded super-mini dual in-line package power factor correction (DIPPFC) module incorporating silicon carbide (SiC) transistors and diodes that is expected to help reduce the power consumption and size of home appliances. The new 20Arms/600V PSF20L91A6-A module will be exhibited at MOTORTECH JAPAN 2014 during the TECHNO-FRONTIER 2014 event at Tokyo Big Sight in Japan (23-25 July). ……

2014年7月16日 semiconductorTODAY

GE to lead $500m five-year State-funded New York Power Electronics Manufacturing Consortium(新しいウインドウで開きます)

 At the GE Global Research Center in Niskayuna, NY, Governor Andrew M. Cuomo has announced that New York State will partner with over 100 private companies, led by General Electric (GE) and including GlobalFoundries, Lockheed Martin and IBM, to launch the New York Power Electronics Manufacturing Consortium (NY-PEMC). The public-private partnership will invest more than $500m over five years, focused on the development of next-generation wide-bandgap semiconductor materials and processes at the State-owned R&D facility in Albany, NY.
 This partnership will create thousands of new jobs in Upstate New York [including at least 500 in the Capital region], tapping into our highly trained workforce and existing centers of high-tech research and development,” says Cuomo.
 Managed through the newly merged State University of New York (SUNY) College of Nanoscale Science and Engineering (CNSE)/SUNY Institute of Technology (SUNYIT), wide-bandgap semiconductors enable power devices to get smaller, faster and more efficient as silicon reaches its limits. “Power electronics is one of the fastest-growing global markets,” comments SUNY CNSE/SUNYIT’s CEO & officer in charge Dr Alain Kaloyeros. ……
2014年7月16日 CompoundSemiconductor
GE leads US Consortium to develop next generation SiC materials and processes(新しいウインドウで開きます)

2014年7月7日 TechOn!

次世代パワー半導体のインパクト
「使い方を見せて低価格化に道筋」、SiC第一人者の松波氏が講演(新しいウインドウで開きます)

京都大学名誉教授の松波弘之氏は、2014年7月4日開催の「次世代パワー半導体のインパクト~SiCは次世代から現世代へ~」(主催:日経エレクトロニクス)で講演した。同氏はSiCを用いたパワー半導体の第一人者である。講演ではSiCの歴史を振り返るとともに、今後の本格普及に向けた取り組みを紹介した。……

2014年7月4日 TechOn!

次世代パワー半導体のインパクト
「10年後に期待してほしい」、電力ネットワークを変革する超高耐圧デバイス(新しいウインドウで開きます)
京都大学 工学研究科 教授の木本恒暢氏が講演

京都大学 工学研究科 教授の木本恒暢氏は2014年7月4日、NE先端テクノロジーフォーラム「次世代パワー半導体のインパクト~SiCは次世代から現世代へ~」(主催:日経エレクトロニクス)において、「超高電圧応用SiCパワーデバイスの進展」と題して講演した。具体的には、日本学術振興会の最先端研究開発支援(FIRST)プログラムでの成果について報告した。……

2014年7月4日 TechOn!

次世代パワー半導体のインパクト
デバイス単体ではなくシステム全体で顧客のメリットを見極める(新しいウインドウで開きます)

パワーデバイス最大手の独Infineon Technologies社Senior Director SIC Champion Silicium CarbideであるPeter Friedrichs氏は2014年7月4日、NE先端テクノロジーフォーラム「次世代パワー半導体のインパクト ~SiCは次世代から現世代へ~」(主催:日経エレクトロニクス)に登壇し、「SiCパワー半導体 - 将来のアプリケーションに向けた設計」と題して講演した。Friedrichs氏は、SiCパワー半導体の採用にあたっては技術的な観点だけでなく、システム全体のメリットを見て検討すべきだとする。……

2014年7月4日 TechOn!

次世代パワー半導体のインパクト
データセンター向け直流給電システム、その鍵はSiC(新しいウインドウで開きます)

産業技術総合研究所(産総研) 先進パワーエレクトロニクス研究センター SiCパワーデバイスチーム チーム長の田中保宣氏は2014年7月4日、NE先端テクノロジーフォーラム「次世代パワー半導体のインパクト~SiCは次世代から現世代へ~」(主催:日経エレクトロニクス)において、「産総研におけるSiCパワーデバイス開発」と題して講演した。  産総研ではSiCについて、ウエハーからデバイス、回路、モジュールまでを一環して開発している。こうした開発体制を敷いている研究機関は世界的にも珍しいという。……

2014年7月4日 TechOn!

次世代パワー半導体のインパクト
量産効果を高めるソーラーの威力(新しいウインドウで開きます)
パワコンメーカーが語るパワー半導体への期待

「太陽光発電の需要増大でパワコンは数量が出るようになった。量産効果によるパワー半導体のコスト低下に寄与するだろう」
田淵電機でパワーエレクトロニクス事業推進本部統括を務める常務執行役員の坂本幸隆氏は、こう話す。パワコンは、パワーコンディショナー(PCS)のこと。太陽光パネルで発電した電力を直流から交流に変換(DC/AC変換)する機器だ。……

2014年7月3日 CompoundSemiconductor

Power GaN market to grow at 80 percent CAGR
Estimated market size of almost $600M by 2020

 According to a new report by Yole Developpement, 2020 could see an estimated power GaN device market size of almost $600 million, leading to approximately 580,000 x 6in wafers to be processed. Ramp-up will be quite impressive starting in 2016, at an estimated 80 percent CAGR through 2020, based upon a scenario where EV/HEV begins adopting GaN in 2018 and 2019.
 Today, the power GaN business is mainly centered on low-voltage DC-DC converters using 200V-rated devices. This business only generates a few million dollars in revenue. However, with the introduction of the 600V devices this year, GaN will grow quite fast in power-supply and PFC applications where technical added value and economics are obvious, says the report. It predicts that the power supply/PFC segment will dominate the business from 2015-2018, ultimately representing 50 percent of device sales. At that point, automotive will catch-up.……

2014年7月2日 EE Times Japan

山手線の新型車両「E235系」がSiCパワー半導体を採用へ(新しいウインドウで開きます)

 JR東日本は2014年7月2日、2015年秋頃に山手線で営業運転を開始する新型電車車両「E235系」の主制御器に、SiC(炭化ケイ素)を使用したパワー半導体を搭載すると発表した。
SiC パワー半導体の搭載を決めたJR東日本の新型車両は、2015年3月以降に走行試験を行い、2015年秋頃から山手線での営業運転を目指す「E235系」の量産先行車。将来的には、現在、山手線を走る車両「E231系500代」を置き換えるとみられる。……
2014年7月2日 TechOn!
山手線の次世代電車はネットワーク経由で状態を常時監視、駆動にはSiCを利用(新しいウインドウで開きます)
2014年7月2日 EE Times Japan
JR山手線に新型車両「E235系」 15年秋から営業運転(新しいウインドウで開きます)

2014年7月2日 JR東日本

新型通勤電車(E235系)量産先行車新造について(新しいウインドウで開きます)

JR東日本では、安全・安定性、快適性を高め、安心してご利用いただける鉄道づくりを推進し、輸送品質の向上を追求しています。
このたび、これまでの技術開発成果を取り入れた次世代の新型通勤電車(E235系)の量産先行車を製作することとしました。……

2014年7月2日 半導体産業新聞

GaNや電池材など複数テーマを開発 自動車など幅広く展開へ (公益財団法人 科学技術交流財団 スーパークラスター統括部長 上野祥樹氏)

公益財団法人科学技術交流財団(愛知県豊田市八草町秋合)は、(独)科学技術振興機構JST)の研究成果展開事業「スーパークラスタープログラム」の愛知地域の中核機関だ。GaNパワーデバイスを中心に、地域で研究されている複数のテーマの実用化を推進する。スーパークラスター統括部長の上野祥樹氏に聞いた。
―― プログラムの概要と実施内容について。
上野 JSTの委託事業として2013年12月~18年3月に実施されるもので、愛知地域は京都地域と並ぶコアクラスターに位置づけられる。ほかに福井県、長野県、山口県がサテライトクラスターに採択されており、協力して研究開発に取り組んでいく。……

2014年7月2日 半導体産業新聞

中国のIGBT 国産化体制さらに拡大 自給自足で2桁成長継続

これまでバワーディスクリート中心だった中国のパワー半導体製造は、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)の量産にシフトしている。人件費やエネルギー価格の上昇による省エネ需要の喚起が背景となっている。IGBTなどパワー半導体を専業とする中国資本のファブレスやOSAT(Out sourced Semiconductor Assembly and Test)が生産量を増やすなか、200mmウエハー対応のIGBT工場も稼働を拡大している。……

2014年7月1日 semiconductorTODAY

SiC semiconductor market to grow at 42% to $3182.9m by 2020(新しいウインドウで開きます)

 The silicon carbide (SiC) semiconductor market will increase at a compound annual growth rate (CAGR) of 42% from 2014 to $3182.89m in 2020, according to a new report from MarketsandMarkets (‘Silicon carbide (SiC) in semiconductor market by technology, product, and application (Automotive, Defense, Computers, Consumer Electronics, ICT, Industrial, Medical, Railways, and Solar), by geography - forecast and analysis to 2013 - 2020’).
 Semiconductor devices based on silicon carbide such as high-power and high-temperature devices are useful in harsh conditions, notes the report. Silicon-based semiconductor devices are slowly exiting the market and being replaced aggressively with more powerful silicon carbide, it adds.……

2014年7月1日 CompoundSemiconductor

European supply chain for advanced GaN technologies
Four year R&D project secures independent GaN production for military applications

 A four-year research project guided by the European Defence Agency (EDA) has succeeded in establishing the entire supply chain for making GaN power components within Europe. The supply chain ranges from the availability of SiC substrates for the epitaxial growth of GaN, to the industrial manufacturing of hemts.
 Project MANGA (Manufacturable GaN-SiC-substrates and GaN epitaxial wafers supply chain) was set up to ensure production of GaN devices for military applications without relying on international suppliers. Their high efficiency and robustness means GaN-based power electronic components are fast replacing established technologies in a broad spectrum of defence applications from advanced radar and communication antennas to electronic warfare. As such, the technology is regarded as critical.……

2014年6月30日 EE Times Japan

三菱電機がエアコン/産業用モータのインバータを小型/消費電力化するパワー半導体(新しいウインドウで開きます)

三菱電機は2014年6月30日、パッケージエアコンや産業用モーターのインバータを駆動するパワー半導体モジュールの新製品として、「1200V 大型DIPIPM Ver.6 シリーズ」(定格電流5~50A、耐圧1200V)と「1200V 小型DIPIPM シリーズ」(定格電流5~10A、耐圧1200V)を同年9月30日から発売すると発表した。第6世代IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)の採用により従来品に比べ損失を10%低減している。なお、新製品は同年7月23~25日に東京ビッグサイトで開催される「TECHNO-FRONTIER 2014/第32回モータ技術展」に出品する。……

2014年6月27日 日刊工業新聞

日立、パワー半導体向け両面冷却パワーモジュール開発

日立製作所は26日、パワー半導体を多数並列に並べて大容量化するためのパワーモジュールの実装技術を開発したと発表した。炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの低損失なパワー半導体向け。パワー半導体を両面から冷却することで、従来の片面冷却パワーモジュールに比べ、放熱性能が上げられ、電力容量を200%に増やせる。……
2014年6月27日 TechOn!
日立、SiC・GaNなどの低損失パワー半導体を用いた両面冷却パワーモジュールの 実装技術を開発(新しいウインドウで開きます)

2014年6月27日 CompoundSemiconductor

SiC market growing at 42 percent CAGR

 According to a new report, the silicon carbide semiconductor market is expected to reach $3182.89 million by 2020, growing by around 42 percent CAGR.
 Silicon carbide has a band-gap and thermal coefficient three times higher than silicon based semiconductors, making it attractive for solar power applications, harsh environments, and military and defence systems. Huge competition from the development of gallium nitride is one factor restraining its growth, according to the report published by Markets and Markets.……

2014年6月27日 semiconductorTODAY

Germany’s NeuLand project cuts energy losses by 35% in power electronics(新しいウインドウで開きます)

 Directed by Infineon Technologies AG together with partners Aixtron, SiCrystal AG and SMA Solar Technology AG, the three-year German project NeuLand (begun in late 2010) has developed highly integrated components and electronic circuits that, in tests during ongoing research, have enabled energy losses to be reduced by 35%.
 Key to halving energy losses is the use of silicon carbide (SiC) and gallium nitride on silicon (GaN-on-Si), whose electronic properties enable compact and efficient power electronics circuits. NeuLand is an abbreviation of the German for ‘Innovative power devices with high energy efficiency and cost effectiveness based on wide-bandgap compound semiconductors’. ……
2014年6月23日 CompoundSemiconductor
Consortium halves energy loss for power devices

2014年6月26日 EE Times Japan

TECHNO-FRONTIER 2014 開催直前情報:
トップランナー基準、次世代パワーデバイス……テクノフロンティア2014の見どころを一挙紹介(新しいウインドウで開きます)

モータ技術展、電源システム展などエレクトロニクス、メカトロニクスの要素技術に関する10の展示会を開催する「TECHNO-FRONTIER」(テクノフロンティア、主催=日本能率協会)が2014年7月23~25日の3日間、東京ビッグサイトで開催される。……
次世代パワーデバイスが勢ぞろいへ
エレクトロニクス関連展示で、注目を集めそうなのが、SiC(炭化ケイ素)、GaN(窒化ガリウム)を用いた次世代パワー半導体だ。「SiC/GaNデバイスの製品化、実用化が相次いでいることを反映して、次世代パワー半導体関連の出品を予定する出展者数が前回よりも増えている。特に、海外からの新興企業の出展が増えている」とし、国内外の次世代パワーデバイス動向が一挙に把握できる場となりそうだ。……

2014年6月20日 TechOn!

Infineonが第5世代の1200V耐圧SiCダイオードを発売、順方向電圧降下を30%削減(新しいウインドウで開きます)

独Infineon Technologies社は、同社の第5世代品に相当する1200V耐圧のSiC(炭化シリコン)ショットキーダイオードを発売した。特徴は、順方向電圧降下(VF)を前世代品に比べて30%削減したことである。+150℃の接合部温度において、順方向電圧降下は1.7V(標準値)と低い。セル構造の工夫で小型化し、微分抵抗を削減することで実現した。太陽光発電用インバーター装置や無停電電源装置(UPS)、3相対応のスイッチング電源、モーター駆動装置などに向ける。……

2014年6月18日 日経産業新聞

省エネ部品「パワー半導体」 三菱電機 大きさ4分の1 5年内実用化

三菱電機は電気自動車(EV)や家電製品などに組み込み省エネを実現する「パワー半導体」の大きさを従来の4分の1に小さくする技術を開発した。半導体内でスイッチの役割を果たすトランジスタ内部を短絡(ショート)に強い構造にする工夫を加えた。小型にすることで低コスト化が見込める。5年以内の実用化を目指す。
パワー半導体は電気の直流・交流や周波数を変換したり、電圧を上げ下げしたりする部品。電力損失が少ない炭化ケイ素(SiC)を使うタイプが登場している。
新技術は「金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)」と呼ぶ半導体で、SiC基板にトレンチという溝をつくるタイプ向け。トランジスタの内部構造を工夫し、電極の角を保護膜で覆うとともに、この膜を電気的に安定させる回路も置いた。……

2014年6月18日 日経産業新聞

STマイクロエレクトロニクス、省電力、1200ボルト耐性パワー半導体

スイスの半導体大手STマイクロエレクトロニクスは低消費電力の1200ボルト耐性パワー半導体を開発したと発表した。スイッチが入ったときの電力損失を従来の30%減、スイッチが切れたときの損失を15%低減させた。定格電流の最大4倍の電流が流れた場合でも誤動作を起こさないなど壊れにくい構造にした。……

2014年6月17日 日経産業新聞

日立化成、研究施設を外部開放 半導体解析装置など つくばで メーカーに新材料提案

日立化成が自社の半導体解析装置などを外部に開放する「オープン・ラボ」を茨城県つくば市内に立ち上げた。半導体メーカーが持ち込む開発中の製品を無償で評価・解析するほか、解析結果を活用した新材料も提案する。半導体の高密度化が進み、日立化成が手がける封止フィルムなど実装材料の高性能化も求められている。半導体メーカーと二人三脚の研究体制を構築、新たな次世代半導体材料開発を目指す。
茨城県つくば市にある日立化成の筑波総合研究所。施設内にあるクリーンルームには、十数億円かけて導入した超音波顕微鏡など6台の半導体解析装置が整然と並ぶ。さらにウエハーをマイクロ(100万分の1)メートル単位で削る機器や、ウエハーからチップを分割する機器なども導入。……

2014年6月16日 semiconductorTODAY

Arkansas researchers design SiC-based ICs operable at over 350°C(新しいウインドウで開きます)

 Researchers at the University of Arkansas have designed integrated circuits that can survive at temperatures greater than 350°C (about 660°F). Funded by the US National Science Foundation (NSF), their work could improve the functioning of processors, drivers, controllers and other analog and digital circuits used in power electronics, automobiles and aerospace equipment, all of which must perform at high and often extreme temperatures.
 “This ruggedness allows these circuits to be placed in locations where standard silicon-based parts cannot survive,” says Alan Mantooth, distinguished professor of electrical engineering (holder of the Twenty-First Century Chair in Mixed-Signal Integrated Circuit Design and Computer-Aided Design in the College of Engineering). “The circuit blocks we designed contributed to superior performance of signal processing, controllers and driver circuitry,” he adds. ……

2014年6月15日 CompoundSemiconductor

Yole: Despite low revenues GaN power market should boom

 GaN could partially displace SiC thanks to better price positioning.
According to the latest report from Yole Developpement, the GaN power industry is consolidating in preparation for significant growth.
 Overall, 2020 could see an estimated device market size of almost $600 million, leading to approximately 580,000 x 6” wafers to be processed.……
 Ramp-up is estimated to be quite impressive starting in 2016, at an estimated 80 percent CAGR through 2020, based upon a scenario where EV/HEV begins adopting GaN in 2018 - 2019.……

2014年6月12日 日刊工業新聞

GSIクレオス、パワー半導体用SiC加工に参入 仏社と提携、表面粗さ1Å以下

GSIクレオスはウエハー加工会社である仏ノヴァシック(ルブルジェドゥラック市)と日本国内向け販売代理店契約を結び、パワー半導体用の炭化ケイ素(SiC)の加工サービスに乗り出した。研磨後の表面粗さ(面粗度)で1オングストローム(Å、100億分の1メートル)以下を達成しており、結晶欠陥の低減、歩留まりや電気特性の改善が期待できる。直径6インチ(150ミリメートル)のウエハーの加工にも対応。ウエハーメーカーやデバイスメーカーに提案し、数年後に億円単位の事業に育てる。
SiCの研磨(ポリッシング)、再生、薄化、平坦(たん)化、気相成長(エピタキシャル)をそれぞれ提案する。GSIクレオスが顧客に営業して注文を受け、ノヴァシックが加工を請け負う。……

2014年6月9日 EE Times Japan

パワー半導体 SiCデバイス:
-40~250℃の温度サイクル試験で1000回達成、SiCパワー半導体向け基板(新しいウインドウで開きます)

ノリタケカンパニーリミテドは2014年6月、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体向けに、温度範囲が-40~250℃で1000回の耐熱サイクル性を実現した金属セラミック基板を開発したと発表した。NEDO(新エネルギー・産業技術総合開発機構)およびノリタケも組合員となっているファインセラミックス技術研究組合は、開発した金属セラミック基板の実用化に向けて、耐熱サイクル性のさらなる向上と、パワー半導体モジュールとしての実証研究を継続して進めていく計画である。……
2014年6月5日 NEDO
次世代高耐熱パワー半導体向け「金属セラミック基板」を開発(新しいウインドウで開きます)
― -40℃~250℃の温度範囲で1000回のサイクルが可能に―

2014年6月6日 semiconductorTODAY

ABB funds new power semiconductor professorship at ETH Zurich(新しいウインドウで開きます)

 ABB of Zurich, Switzerland, which focuses on electric power engineering and industrial automation, has granted 5m Swiss Francs to the ETH Zurich Foundation to support the development of high-performance power semiconductors, with the aim of improving the efficiency of power conversion systems and energy transmission over long distances as well as industrial solutions. The ETH Zurich Foundation acts as a bridge between companies, private individuals, foundations and ETH Zurich (the Swiss Federal Institute of Technology) to help the university reach its strategic goals.……

2014年6月6日 日刊工業新聞

基盤技術で勝ち抜く タカトリ LED基板コストを低減

タカトリの強みは、市場の90%以上を握るサファイアウエハー加工装置だ。……
ポスト「サファイア加工装置」として、次世代の研究課題にも挑戦している。13年から炭化ケイ素(SiC)を加工する装置の開発に着手。LED基板はサファイアが一般的だが、「SiCであれば高輝度タイプのLEDに応用できる」(福光副部長)として新たな活路をSiC向けに見いだすことにした。装置の構造は、樹脂コーティングワイヤソーを使い、丁寧な加工を実現する遊離砥粒形式を採用。加工時間が早いのが特徴だ。さらに従来使用するダイヤモンドワイヤで起こりやすいクラックを解消できるほか、カーブロスは半分以下に抑えられると試算。「ウエハーコストが下がり、パワー半導体などのデバイス開発が容易になる」(同)という。……

2014年6月5日 日本経済新聞

次世代パワー半導体 関西の産官学、開発キックオフ 11社・8大学など参加 多用途、中小育成も狙う

京都を中心とした関西の産官学が次世代パワー半導体の普及へ共同研究を本格始動した。ロームや住友電気工業など11社や8大学に加え、中小企業も参画する。省エネ性能の高い次世代パワー半導体は電気自動車(EV)や太陽光発電など幅広い分野に活用でき、大きな成長が期待される。先端研究の成果を広く共有し合うことで関西全体のものづくり振興など波及効果も見込む。
4日午後、京都市内で開かれた「京都地域スーパークラスタープログラム」のキックオフ会議。産官学の関係者約230人が参加した。2017年度まで5年間、独立行政法人科学技術振興機構から年約4億円の補助を受け、炭化ケイ素(SiC)製の次世代パワー半導体の実用化を目指す。……

2014年6月5日 TechOn!

大きさ1/5以下、信頼性20倍の産業用IGBTモジュール(新しいウインドウで開きます) 富士電機が開発、SiCダイオードの採用も視野

富士電機は、産業用IGBTモジュールの新製品を「PCIM Europe 2014」(2014年5月、ドイツ・ニュルンベルク開催)で発表した(図1)。特徴は、同社従来品(Vシリーズ)に比べて、信頼性が高いことと小さいことである。具体的には、耐圧1200V級のモジュールで、50℃でのパワーサイクル耐量が1×108(10の8乗)サイクルと、同耐圧の同社従来品に比べて、20倍に高めた。……
新型モジュールは、IGBTだけでなく、SiC素子の適用も視野に入れて開発された。……

2014年6月4日 半導体産業新聞

日立パワーデバイス 高耐圧IGBT主軸の専業メーカー オルタネーター用ダイオードも高シェア維持

……SiCなどの次世代デバイスについては現在、SiCダイオードとシリコンIGBTを組み合わせた3.3kVのパワーモジュールの評価を進めている。黒須氏も「性能のめどは立ってきている」としており、今後これに加えて、トランジスタもSiCに切り替えたフルSiCモジュールの開発を加速させていく考えだ。
SiCデバイス(ウエハープロセス)の生産については現状、日立グループの研究所で行っているが、今後の量産展開は日立バワーデバイスとして量産ラインを構える選択肢がある一方、「外部委託もあり得る」〔同氏)としており、今後の量産展開について未確定な部分があるようだ。……

2014年6月4日 semiconductorTODAY

Fraunhofer ISE implements 10kV SiC devices in DC-DC converter(新しいウインドウで開きます)

 Due to new components, power electronic converters for power engineering applications are becoming even more efficient. In particular, silicon carbide (SiC) devices enable the construction of extremely efficient and compact power electronic systems. Now, Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE in Freiburg, Germany has successfully implemented silicon carbide (SiC) devices with a blocking voltage of 10kV in a DC-DC converter for medium-voltage applications, presenting a demonstrator that can be used in renewable power plants.
 SiC devices with blocking voltages of up to 1700V have been commercially available for some time. Now research is focusing on SiC with even higher voltages and lower switching losses. ……

2014年6月3日 日刊工業新聞

富士電機、太陽光発電用パワコン 変換効率98.8%

富士電機はSiC(炭化ケイ素)製のパワー半導体を搭載し高い変換効率を実現した太陽光発電用パワーコンディショナー(PCS)を8月に発売する。SiCモジュールを用いることで業界最高の98.8%の変換効率を可能にしたという。個別の見積もりに応じる。大容量の発電装置向けに提供し、2015年度に400台販売する。……

2014年6月3日 日経産業新聞

本当は早い? 「トヨタ時間」 事業育成、長いスパンで

「燃費が最大1割改善できます」。このほどトヨタが発表したハイブリッド車(HV)向けのパワー半導体。モーターと電池につながるパワーコントロールユニット(PCU)に使う地味な部品だが、車全体の電気消費の無駄を大幅に減らす効能があるという。……
お金があるからと言えばそれまでだが、見逃せないのは「トヨタ時間」ともいえる雄大な時間軸のとらえ方だ。1年レベルでなく「15年、20年のスパンで経営を考えている」(幹部)。半導体も今や車に不可欠の基幹部品。目先の利益だけで事業の存廃を決めず、長い目で人を育てようとの風土がそこにはある。……

2014年6月3日 CompoundSemiconductor

Monolith and X-FAB to cut SiC power device costs

 Monolith Semiconductor, a supplier of SiC diodes and MOSFETs, has formed a strategic manufacturing partnership with X‐FAB Texas to manufacture 150mm SiC wafers in a high‐volume production line.
 Currently, the high cost of SiC devices has limited the widespread adoption of SiC power diodes and MOSFETs. The partnership between Monolith Semiconductor and X-FAB will dramatically lower the cost, improve reliability and expand availability of SiC diodes and MOSFETs, enabling their widespread adoption in high-performance and high‐efficiency power electronics systems.……

2014年6月2日 TechOn!

富士電機の次世代車載モジュール、体積45%減、重さ30%減(新しいウインドウで開きます)
現行品の水冷技術なども紹介

富士電機は、ハイブリッド自動車などの電動車両に向けた、直接水冷方式のIGBTパワーモジュールを「PCIM Europe 2014」で発表した。発表は大別して2つある。1つは、市販車に採用されたモジュールの実現技術(図1)。もう1つは、同モジュールよりもより小さく、軽い次世代モジュールである(図2)。 ……

2014年6月2日 SemiconductorTODAY

Progress on EU project SPEED being presented at CWIEME Berlin(新しいウインドウで開きます)

 This year’s CWIEME Berlin event (24-26 June) - the world’s largest coil winding, insulation and electrical manufacturing exhibition - features a seminar from Dr Daniel Fernandez, chief technical officer of Spain’s INAEL Electrical Systems S.A. and coordinator of the 4-year Euro20m European Union's Seventh Framework Program (EU FP7) project SPEED (‘Silicon Carbide Power Electronics Technology for Energy Efficient Devices’), which began in January.
 The project involves 17 companies and research institutions from nine different EU countries, including Spain’s INAEL, Centro Nacional de Microelectronica, University de Oviedo and Ingeteam Power Technology SA, Italy’s Enel Distribuzione SpA, France’s AnnealSys SAS, Switzerland’s ABB Schweiz, Sweden’s Ascatron AB and Norstel AB, Germany’s Technische Universitaet Muenchen, Gottfried Wilhelm Leibniz Universitaet Hannover and Fraunhofer-Gesellschaft, Infineon Technologies of Germany and Austria, the Czech Technical University in Prague, and the UK’s University of Nottingham. SPEED aims to make a step change in the efficiency of power generation, distribution and transmission through the use of silicon carbide (SiC) - as a higher-performing alternative to silicon - in high-power semiconductor devices.……
 Fernandez will present ‘SPEED EU Project - Power electronics and the next generation of efficiency: The EU consortium seeking to make breakthroughs with SiC technology across the supply chain’ at CWIEME Central on 26 June (11:50-12:30).

2014年5月30日 TechOn!

パナが初出展、GaNやSiC利用の電源やモジュールを展示(新しいウインドウで開きます)
欧州市場の開拓に挑む

パナソニックは、パワー素子やパワーエレクトロニクス(パワエレ)機器分野の世界最大級のイベント「PCIM Europe 2014」に初めて出展した。さらに、併設のカンファレスにも登壇した。同社がPCIMでアピールしたのが、GaNやSiCを利用したパワー素子で構成した電源回路やモジュール品である。既存のSiパワー素子を利用した製品よりも性能が優れることを訴求する。……
2014年5月22日 パナソニック
欧州でパナソニックのパワー半導体集結(新しいウインドウで開きます)
GaNパワーデバイスやPSiP、MOSFETなど高効率、小型デバイスを訴求

2014年5月30日 semiconductorTODAY

Toshiba expands line-up of 650V SiC Schottky barrier diodes(新しいウインドウで開きます)

 Toshiba Corp’s Semiconductor & Storage Products Company has expanded its family of 650V silicon carbide (SiC) Schottky barrier diodes (SBDs) with the addition of insulated TO-220F-2L packaged products. Mass production shipment has begun.
 The four new TRS6A65C, TRS8A65C, TRS10A65C and TRS12A65C TO-220F-2L packaged products expand the 6A-, 8A-, 10A- and 12A-rated line-up, correspondingly, of the existing TRS6E65C, TRS8E65C, TRS10E65C and TRS12E65C TO-220-2L packaged products.……

2014年5月29日 TechOn!

富士電機がSiC MOSFETを実用化、まずはメガソーラー向けパワコンに適用(新しいウインドウで開きます)
効率を98.8%に、体積を20%削減

富士電機は、SiC MOSFETの実用化に乗り出す。最初の適用先は、同社が2014年8月に量産する、入力電圧DC1000V、出力1000kWのメガソーラー向けパワーコンディショナー(パワコン)である。同社は既にSiCダイオードを製品化しており、同ダイオードと同社のSiC MOSFETを搭載したパワーモジュールをパワコンの昇圧回路に適用した。これにより、従来機種に比べて変換効率の向上と小型化を実現した。変換効率は98.8%で、「業界最高水準」(富士電機)である。同社従来品の効率は98.5%だった。……

2014年5月29日 日刊工業新聞

経産省、半導体復活へ異業種連携-共同組織で新事業

経済産業省は低迷する半導体産業にビジネスモデルの変革を促す新たな「枠組み」を構築する。半導体メーカーのほか異業種が参加する共同事業体を今夏に組織して、最先端の半導体を活用した事業を開発する。日本の半導体メーカーはもともと大手電機各社の一部門だったこともあって下請け意識が強く、新規市場への進出に積極的ではなかった。その“受け身”のビジネスモデルが米国、韓国など海外勢に収益で大きく劣る一因とされる。国主導で異業種連携を深め、苦しむ半導体産業の復活を目指す。
経産省は半導体メーカー、IT事業者、サービス事業者、大学などを対象に共同事業体への参加を募っており、7月までに事業の委託先を決める予定。大手企業だけでなく、ベンチャー企業の参加も期待する。事業期間は原則2年以内とする。
機器の省エネルギーにつながる先端パワー半導体や半導体メモリー、各種センサーなど実用化レベルのデバイスを活用するのが条件。……

2014年5月28日 半導体産業新聞

NEDO クリーンデバイス公募 新ビジネスモデルも視野

新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の電子・材料・ナノテクノロジー部は、省エネ化社会の実現に向けて必要不可欠なデバイスと、それを使った新製品・サービスなどの新規用途につながる新たなビジネスモデルの構築を目指す「クリーンデバイス社会実装推進事業」の公募を開始した。締め切りは6月16日。委託先は7月下旬に決定する予定だ。2014年度の事業予算は8.5億円。実施期間は原則2年で、1件あたり年間2億円以内を予定している。
クリーンデバイスとは省エネを維新する革新的なデバイスを意味し、高周波半導体や不揮発性メモリー、光エレクトロニクス、低消費電力LSI、パワーデバイス、環境発電デバイスなどを意図している。本件では、これまであまり連携してこなかったサービス事業者とデバイス事業者など異業種連携の促進も狙いで、新たなビジネスモデルの構築を狙う意欲的な国家プロジェクト。べンチャーやセットメーカーをはじめ、公的研究機関や大学などの参加も見込む。……

2014年5月27日 TechOn!

トヨタ、異例の技術発表のワケ(新しいウインドウで開きます)

トヨタ自動車は2014年5月20日に報道機関向け説明会を開催し、デンソーおよび豊田中央研究所と共同でSiCパワー半導体を開発したと発表しました。「業界に先駆けて(SiCパワー半導体を量産車に)搭載したい」――。トヨタでSiCパワー半導体の開発を指揮する同社 第3電子開発部 部付 主査 担当部長の濱田公守氏は、説明会でこう語りました。……
それでも、今回のトヨタの異例の発表が、SiCパワー半導体の車載応用に向けた技術開発を加速させることは間違いないでしょう。

2014年5月26日 TechOn!

明電舎、SiCパワー半導体を使った電動車両向けインバーターを試作、モーターと一体化(新しいウインドウで開きます)

明電舎は、SiC基板から作るダイオードとMOSFET(金属酸化物半導体電界効果トランジスタ)を使った電動車両向けインバーターを試作し、「人とくるまのテクノロジー展2014」(2014年5月21~23日、パシフィコ横浜)に出展した。インバーターの出力密度は60kW/Lと大きい。2020年ごろの実用化を目指す。……

2014年5月23日 TechOn!

SiCパワー半導体
トヨタが燃費10%改善目指しハイブリッド車に搭載へ(新しいウインドウで開きます)

トヨタ自動車は、2014年5月20日、デンソーと豊田中央研究所と共同でSiCパワー半導体を開発した。今後1年以内に開発品を使った試作車で公道実験を開始、2020年をメドにSiCパワー半導体を使った車両を量産する。
SiCパワー半導体は、パワー半導体の一般的な材料であるSi(シリコン、ケイ素)の代わりにSiC(シリコンカーバイド、炭化ケイ素)を使う。トヨタが説明会で使った資料を基にSiCの特徴について解説する。トヨタグループでは1980年代から豊田中研とデンソーがSiCの研究を始め、トヨタ自身も2007年から開発に参加している。……
2014年5月22日 MONOist
人とくるまのテクノロジー展2014:
トヨタのSiCパワー半導体の採用時期、「2020年には何らかの形で出したい」(新しいウインドウで開きます)

2014年5月21日 TechOn!

トレンチ型SiC MOSFETがいよいよ実用化へ
ロームが2014年秋から順次サンプル出荷を開始

ロームは、耐圧1200Vのトレンチ型SiC MOSFETについて、PCIM Europe 2014に併設されたカンファレンスで発表した。同MOSFETの特徴と共に、実用化時期も明らかにした。2014年秋から順次サンプル出荷を始める。同社はこれまでプレーナー型のSiC MOSFETを製品化してきたが、トレンチ型を実用化するのは今回が初めて。パワー素子業界でも、トレンチ型のSiC MOSFETを実用化するのは初めてとみられる。……

2014年5月21日 日本経済新聞

HV用新型半導体 トヨタが開発 燃費を改善

トヨタ自動車は20日、ハイブリッド車(HV)の燃費を高める新型のパワー半導体を開発したと発表した。試作車ベースでは5%の燃費改善を確認しており、将来はこれを10%にまで高める。1年以内に公道での走行実験を始め、2020年から市販するHVに搭載していく方針。実用化すれば、燃費の改善能力で世界最高レベルの車載用パワー半導体となる。
グループのデンソーと豊田中央研究所(愛知県長久手市)と共同で開発した。……
2014年5月20日 トヨタ Global Newsroom
トヨタ自動車、新素材SiCによる高効率パワー半導体を開発(新しいウインドウで開きます)
-1年以内に走行実験を開始。将来的にハイブリッド車の燃費10%向上を目指す-

2014年5月21日  MONOist

人とくるまのテクノロジー展2014:
デンソーのSiCインバータがさらに進化、出力密度は1.6倍の100kW/lに(新しいウインドウで開きます)

デンソーは、「人とくるまのテクノロジー展2014」(2014年5月21~23日、パシフィコ横浜)において、SiC(シリコンカーバイド)パワーデバイスを用いたインバータ(SiCインバータ)の最新開発成果を披露した。
SiCインバータは体積が0.75l(リットル)で出力が75kW。出力密度は100kW/lを達成している。「冷却ファンやヒートシンクなどの空冷システム、平滑用コンデンサ、ドライバ回路など、インバータに求められる機能を全てモジュール内に収めた上で達成した出力密度だ」(同社)という。
同社は、2012年5月の「人とくるまのテクノロジー展2012」で出力密度は60kW/lのSiCインバータを公開している。2年間の研究開発を経て、出力密度を67%増やすことに成功した。……
出力密度100kW/lのSiCインバータの詳細については、米国ハワイ州で開催されるパワー半導体の国際会議「International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs(ISPSD)2014」で発表する予定だ。

2014年5月21日 半導体産業新聞

インタビュー・ASTEM理事長西本清一氏:JST産官学連携事業でSiC応用拡大。オール京都で製品開発促進

公益財団法人京都高度技術研究所(ASTEM)は、京都府および京都市が2013年10月にコアクラスターとして採択された(独)科学技術振興機構(JST)の公募事業、地域研究成果展開事業(スーパークラスタープログラム)の中核機関である。京都大学名誉教授松波弘之氏が実用化への道筋をつけ、地元企業のロームが事業化しているSiCデバイスの応用拡大を産官学一体となって推進する。ASTEM理事長で代表研究統轄の西本清一氏に話を聞いた。
―― スーパークラスタープログラムの概要について
西本 次世代パワーデバイスであるSiC、GaNデバイスの社会実装を目指すもので、京都地域および愛知、名古屋地域がコアクラスターとして位置づけられている。京都地域はSiCを担当する。ASTEMを中核に大学、公設研究機関、大中小企業がネットワークを構築し、オール京都体制で取り組む。長野県、福井県、滋賀県がサテライトクラスターに位置づけられており、各県との間でも連携を進めていく。……

2014年5月21日 semiconductorTODAY

Microsemi launches 1200V SiC MOSFETs for high-voltage industrial applications(新しいウインドウで開きます)

 Microsemi Corp of Aliso Viejo, CA, USA (which designs and makes analog and RF devices, mixed-signal integrated circuits and subsystems) has introduced its new silicon carbide (SiC) MOSFET product family with new 1200V solutions. The new SiC MOSFETs are designed for high-power industrial applications where efficiency is critical, including solutions for solar inverters, electric vehicles, welding and medical devices.
 Microsemi reckons that it is well positioned to capitalize on SiC semiconductor market growth. Yole Developpement estimates that the SiC power semiconductor market will grow 39% year-on-year from 2015 to 2020, and market research estimates the SiC semiconductor market will grow 38% year-on-year to $5.3bn by 2022.……

2014年5月20日 TechOn!

パワエレの祭典「PCIM Europe」が開幕、過去最大規模に(新しいウインドウで開きます)
日本企業も出展

ドイツ・ニュルンベルクで、パワー素子やパワーエレクトロニクス(パワエレ)機器分野の世界最大級のイベント「PCIM Europe 2014」が開幕した。会期は2014年5月20~22日。展示会とカンファレンスが併設されており、同分野の最新技術や製品が発表される。社会的な環境負荷低減の要求が増えるとともに、PCIM Europeも年々拡大傾向にあり、PCIM Europeとして初めて展示会場の面積が2万m2を超えたという。
今回は世界の約30カ国から約400社が出展する。このうち18%ほどが初出展だという。……

2014年5月19日 日経産業新聞

古河電工、パワー半導体、開発から撤退

古河電気工業はハイブリッド車(HV)向けなどに使うパワー半導体の開発から撤退すると発表した。同社は2010年ごろから富士電機と手を組んでパワー半導体の事業化を模索してきたが、同業他社との技術競争も激しく、商業化は難しいと判断した。今後は自動車用の電子部品やインフラ関連機器などの事業に経営資源を集中する考えだ。……

2014年5月19日 日経産業新聞

三菱電機、電力損失40%減のパワー半導体

 三菱電機は産業機器などに使うパワー半導体で材料にSiC(炭化ケイ素)を使った新製品「高周波用ハイブリッドSiCパワー半導体モジュール」6品種のサンプル提供を始めた。動作時に熱として失われる電力損失を従来製品より約40%減らした。ダイオード部にSiC、トランジスタ部にシリコンを用いたハイブリッド構成とした。従来製品と外形をほぼ同じにしたため、置き換えが容易だという。

2014年5月16日 semiconductorTODAY

Cree launches discrete 20A and 50A 650V SiC Schottky diode rectifiers for power supplies(新しいウインドウで開きます)

 Cree Inc of Durham, NC, USA has added two new discrete 650V silicon carbide (SiC) rectifiers to its Z-Rec Schottky diode portfolio. Fabricated using Cree’s SiC technology, the C5D50065D and CVFD20065A are claimed to deliver ultrafast switching frequencies, higher efficiencies, improved thermal characteristics, enhanced reliability, simplified circuit design, and reduced costs for power electronic systems.
 Rated at a blocking voltage of 650V and a continuous forward current of 50A, the C5D50065D Schottky diode is the first member of Cree’s high-power CPW5 diode family to be released in packaged form. Available in a TO-247-3 package, it provides up to 2000A of non-repetitive surge capability at 25°C, combined with the high continuous current-carrying capability of the CPW5 family. The 50A rectifier is suited to demanding applications such as automotive on-board chargers, server power supplies, power conditioning, and high-reliability aerospace and military power systems.……

2014年5月15日 semiconductorTODAY

Cree’s new all-SiC 300A, 1.2kV 62mm half-bridge module doubles power density for converters up to megawatt level(新しいウインドウで開きます)

 Cree Inc of Durham, NC, USA says that its silicon carbide (SiC) technology continues to enable smaller, lighter, more efficient and lower-cost power systems with a new all-SiC 300A, 1.2kV half-bridge module. Packaged in an industry-standard 62mm housing, the new module is said to reduce energy loss due to switching by more than five times compared to the equivalent silicon solution. This efficiency enables for the first time, it is claimed, all-SiC high-power converters rated up to the megawatt level, extending Cree’s SiC chip technology into high-current power modules.
 The drop-in feature of Cree’s new all-SiC power module allows us to achieve 99% efficiency while reducing the power module count by a factor of 2.5 in our existing HF induction heating systems,” comments John K. Langelid, R&D manager at EFD Induction. “These benefits are greatly valued as a reduced cost of ownership by our end customers.” ……

2014年5月15日 semiconductorTODAY

Cree introduces first 1200V/25mΩ MOSFET in TO-247 package(新しいウインドウで開きます)

 Cree Inc of Durham, NC, USA claims to have shattered the on-resistance barrier of traditional 1200V MOSFET technology by introducing the first commercially available silicon carbide (SiC) 1200V MOSFET with an RDS(ON) of 25mΩ in an industry-standard TO-247-3 package. The C2M0025120D SiC MOSFET is expected to be widely adopted in photovoltaic (PV) inverters, high-voltage DC/DC converters, induction heating systems, electric vehicle (EV) charging systems, and medical CT applications.
 Based on Cree’s proven C2M SiC MOSFET technology, the new device has a pulsed current rating (IDS pulse) of 250A and a positive temperature coefficient, providing greater design flexibility to explore new design concepts. The high IDS pulse rating makes the device suitable for pulsed power applications, says Cree, and the positive temperature coefficient allows the devices to be paralleled to achieve even higher power levels.……
 Cree is exhibiting the C2M0025120D SiC MOSFET in hall 9, booth #260, at PCIM (Power Conversion Intelligent Motion) Europe 2014 in Nuremberg, Germany (20?22 May).

2014年5月15日 EDN Japan

三菱電機 NFHシリーズ:
SiCダイオードを採用した高速スイッチング特性重視型パワー半導体モジュール(新しいウインドウで開きます)

三菱電機は2014年5月15日、高速スイッチングが求められるパワーエレクトロニクス機器向けに、ダイオード部にSiC(炭化ケイ素)によるダイオードを用いたハイブリッドタイプのパワー半導体モジュール(2in1タイプ)6種のサンプル出荷を開始した。
太陽光発電用パワーコンディショナーや無停電電源装置(UPS)、医療機器用電源は比較的高速なスイッチング特性を持つパワー半導体モジュールが求められる。三菱電機も、これらの用途に対し、スイッチング特性を最適化したパワー半導体モジュール「NFHシリーズ」を展開してきた。
今回、このNFHシリーズで、ダイオード部にこれまでのシリコンダイオードに代わってSiCショットキーバリアダイオード(以下、SiC-SBD)を用いた製品を新たに開発し、サンプル出荷を始めた。……

2014年5月13日 semiconductorTODAY

GaN Systems presenting lateral transistors for HEVs; launching high-current devices(新しいウインドウで開きます)

GaN Systems Inc of Ottawa, Ontario, Canada, a fabless developer of gallium nitride (GaN)-based power switching semiconductors for power conversion and control applications, is exhibiting in booth 9-523 at PCIM (Power Conversion Intelligent Motion) Europe 2014 in Nuremberg, Germany (20-22 May).

PCIM focuses on power electronics and its applications in intelligent motion, renewable energy and energy management, and GaN Systems has selected the event to reveal its latest developments and make two announcements on its gallium nitride power semiconductors. ……

2014年5月13日 semiconductorTODAY

Dow Corning launches SiC wafer grading structure for power electronics applications(新しいウインドウで開きます)

 Dow Corning Corp of Midland, MI, USA, which provides silicon and wide-bandgap semiconductor technology, has introduced a product grading structure for silicon carbide (SiC) crystal quality that specifies new tolerances on killer device defects, such as micropipe dislocations (MPD), threading screw dislocations (TSD) and basal plane dislocations (BPD). The new grading structure aims to optimize the range, performance and cost of next-generation power electronic device designs fabricated on Dow Corning’s Prime Grade portfolio of 100mm SiC wafers, which it now offers in three new tiers of manufacturing-quality substrates labeled Prime Standard, Prime Select and Prime Ultra.
 “Wide-bandgap semiconductor technology must deliver much more than high quality alone - it must deliver exceptional overall value,” says chief technology officer Gregg Zank. “Our new SiC wafer grading structure meets this need head on,” he adds. “It is the direct result of our close collaboration with the globe’s leading power electronics device manufacturers, and aims to help give them what they need to quickly achieve their evolving design goals at an optimal price point.” ……

2014年5月13日 semiconductorTODAY

Gallium market to grow 40% by 2020 as general lighting rises from 18% to 33% of demand(新しいウインドウで開きます)

 Demand for gallium will rise rapidly between 2014 and 2020 as general lighting moves away from incandescent and fluorescent lamps to light-emitting diodes, but this strong growth is unlikely to result in any tightness in supply as the market is oversupplied and likely to remain so, forecasts market research firm Roskill Information Services Ltd in the latest edition of its report ‘Gallium: Global Industry Markets & Outlook’.
Production dominated by China……
Consumption mainly in Japan, but China is catching up……
Use of GaN expanding rapidly……
GaAs semiconductors and semi-insulators remain an important market……
Thin-film PV cells potentially a growing market for gallium ……
Impact of changes in gallium market on prices? ……

2014年5月13日 マイナビニュース

東レ・ダウコーニング、SiCウエハ製品をグレード分けして販売開始(新しいウインドウで開きます)

東レ・ダウコーニングは5月12日、SiC(炭化ケイ素)ウエハ製品(100-mm(4インチウエハ))の現プライム・グレードを3つのグレードに分けたことを発表した。これは、マイクロパイプ(MPD)や貫通らせん転位(TSD)、基底面転位(BPD)のような、デバイスの致命的なキラー欠陥に対する新たな規格を明確化したものだ。
東レ・ダウコーニングは、このグレード分けにより、次世代パワーエレクトロニクス・デバイスの性能およびコストの最適化を目指していく。「プライム・グレード」の基板は、今後「プライム・スタンダード」、「プライム・セレクト」、「プライム・ウルトラ」の3つのグレードで販売する。……

2014年5月10日 EconomicNews

第46回市村賞発表。京大教授が産業賞と学術賞でW受賞(新しいウインドウで開きます)

「書いたものより口約束こそは守れ。うそをついてはいけない」これは日本を代表する経営者の一人で、リコーを中心とする、リコー三愛グループの創始者である市村清氏の言葉。今の時代だからこそ、肝に銘じたい言葉であるが、そんな市村氏の名を冠する「市村賞」の授与式が今年も東京で開催された。……
中でも今回注目されたのが、同じく貢献賞を「高効率SiCパワーデバイス・モジュールの開発と実用化」というテーマでローム株式会社と受賞した、京都大学の木本恒暢教授だ。
その受賞は、次世代の材料として注目されているSiC(シリコンカーバイド)「炭化ケイ素」を用いたパワーデバイス・モジュールの開発と実用化の産学連携での共同研究の功績が認められたもの。……木本教授はさらに「市村学術賞」の方でも、個人で「炭化珪素パワー半導体の学理および実用化研究」のテーマで受賞していることからも、今後の進展にも期待がかかる。

2014年5月7日 EDN Japan

アジレント・テクノロジー Agilent B1506A:
パワー半導体のゲート電荷や容量なども容易に測定、アジレントのアナライザ(新しいウインドウで開きます)

 アジレント・テクノロジー(以下、アジレント)は2014年5月、パワーモジュールやインバータ、およびこれらを用いたシステムに実装されたパワー半導体素子の特性を測定することができるパワーデバイスアナライザ「Agilent B1506A」を発表した。IV特性に加えて、トランジスタ端子間容量やゲート電荷などあらゆるパラメータを、容易に測定できるようにした。inTest製装置と組み合わせて用いれば、車載用途などで必須となる-50~250℃環境におけるパワー半導体素子の特性評価を行うことができる。……

2014年4月30日 semiconductorTODAY

Mitsubishi Electric to supply 3.3kV, 1500A railcar traction inverter with all-SiC power module to Odakyu(新しいウインドウで開きます)

 Tokyo-based Mitsubishi Electric Corp has received an order for its railcar traction inverter with all-silicon carbide (SiC) power modules (made with SiC transistors and SiC diodes), placed by Odakyu Electric Railway Co Ltd. This is the first order for 3.3kV, 1500A traction inverters designed for 1500V DC catenaries, says Mitsubishi Electric.
 The inverters will be installed in a 1000 Series urban train comprising four cars in December, following the completion of running tests.……
2014年4月30日 TechOn!
鉄道にフルSiCが載る、小田急電鉄の車両に 三菱電機の製品を採用(新しいウインドウで開きます)

2014年4月25日 日経産業新聞

富士電機、国内3拠点に開発棟 パワー半導体省電力

富士電機は24日、パワー半導体を組み込んだインバーター(電力変換装置)事業などの拡大を目指し、国内3拠点に開発棟を新設すると発表した。投資額は130億円。消費電力を抑えた次世代パワー半導体の開発を加速し、工場の省エネ化など複数の機器を組み合わせたシステムとしての販売を拡大する。
既に昨年夏に約50億円の投資方針を明らかにしていた松本工場(長野県松本市)に加え、東京工場(東京都日野市)と吹上事業所(埼玉県鴻巣市)にも新設する。2015年末までに順次、開設する。各拠点内で複数の棟に分かれていた開発人員を集約し、開発を加速する考えだ。……

2014年4月25日 semiconductorTODAY

EPC launches 11-part educational video podcast series on GaN power transistors(新しいウインドウで開きます)

 Efficient Power Conversion Corp (EPC) of El Segundo, CA, USA, which makes enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN) power field-effect transistors (FETs) for power management applications, has created and posted on line an 11-part educational video podcast series designed to provide power system design engineers with a technical foundation and application-focused toolset on how to design more efficient power conversion systems using GaN-based transistors.
 Beyond giving an overview of the theoretical underpinnings and design basics for using GaN transistors, the video series provides practical examples on the use of GaN transistors in widely used power electronics applications such as DC-DC conversion for telecom and datacom systems.……

2014年4月24日 semiconductorTODAY

GaN Systems' director of US business development elected to board of Power Electronics Industry Collaborative(新しいウインドウで開きます)

 GaN Systems Inc of Ottawa, Ontario, Canada, a fabless developer of gallium nitride (GaN)-based power switching semiconductors for power conversion and control applications, says that Julian Styles, its director of business development USA, has been elected to the board of the Power Electronics Industry Collaborative (PEIC), the US industry-driven, membership-based consortium of suppliers, OEMs, research companies and other stakeholders working to accelerate the development and growth of power electronics in the USA. PEIC’s aim is to increase investment in manufacturing capabilities and advance innovation in power electronics in the USA as energy efficiency becomes increasingly important globally. ……

2014年4月21日 日刊工業新聞

セントラル硝子、パワーデバイス用封止材を試作 大気中で高い耐熱性

セントラル硝子は大気中での高い耐熱性を備えたパワーデバイス用封止材を試作開発した。大気中250度C、長期の耐熱試験でも重量減少率を1%以下に抑えた。炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワーデバイス用途で、電力変換やモーター制御など高電圧に対応したものへの搭載を見込む。すでに提案を始めており、2015年度から16年度での本格的な採用を目指していく。……

2014年4月11日 TechOn!

Infineon Technologies社ら、フェライト磁石を使ったインバーター一体型のEV用モーター開発(新しいウインドウで開きます)

ドイツInfineon Technologies社をはじめ、同Siemens社や同ZF社、ドレスデン工科大学らが参加している欧州の高効率モーターの研究プロジェクト「MotorBrain」は、2014年4月8日に「ハノーバーメッセ」でインバーター一体型の電気自動車(EV)用のモーターを開発したと発表した。
MotorBrainはInfineon Technologies社をリーダーとする欧州9カ国の30社および機関から構成し、EVの走行距離と安全性を高めるとともに、レアアースへの依存度を引き下げることを目的とした研究を2011年秋から実施している。……

2014年4月3日 TechOn!

STMicro、ターンオフ時の電力損失を40%削減した650V耐圧IGBTを発売(新しいウインドウで開きます) 

伊仏合弁STMicroelectronics社は、競合他社品に比べてターンオフ時の電力損失を40%削減できる650V耐圧IGBT「HBシリーズ」を発売した。伝導損失については、競合他社品に比べて最大で30%削減できるという。トレンチ構造のゲート電極と、フィールドストップ構造を採用することで実現した。モーター制御機器や太陽光発電用インバーター装置、車載用電子機器、誘導加熱機器、溶接機などに向ける。……

2014年3月28日 TechOn!

高温パワーデバイス実装用のAg焼成膜付きDBA基板、三菱マテリアルが開発(新しいウインドウで開きます)

三菱マテリアルは、ハイブリッド車の電源制御用インバーターなどに今後採用が期待される高温半導体素子を実装する絶縁回路基板として、アルミニウム(Al)回路上に銀(Ag)の焼成膜を直接形成した「Ag焼成膜付きDBA(direct bonded aluminum)基板」を開発した。……
2014年3月28日 三菱マテリアル プレスリリース
次世代パワーモジュール用高性能絶縁回路基板「Ag焼成膜付きDBA基板」を開発(新しいウインドウで開きます)

2014年3月27日 TechOn!

パワコンや鉄道にSiC/GaN、2015年までに次々製品化(新しいウインドウで開きます)
オムロンや安川電機、三菱電機がそれぞれ発表

太陽光発電分野や鉄道分野で、SiCやGaNといった次世代パワー半導体の採用がさらに進みそうだ。2014年2月に開催されたスマートグリッド分野の展示会「第5回[国際]スマートグリッド EXPO」では、2014~2015年ごろに製品化予定の開発品が次々と出展された。いずれも、Siに比べて低損失なSiCやGaNのパワー半導体素子(以下、パワー素子)を適用することで、高効率化と小型化を図った製品である。……
<出典:日経エレクトロニクス、2014年3月17日号、pp.16-17>

2014年3月25日 EDN Japan

ケースレー 2290シリーズ:
SiC/GaNパワー半導体素子を最大10kVでテスト、ケースレーの高電圧電源(新しいウインドウで開きます)

ケースレーインスツルメンツは2014年3月、SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)ベースのパワー半導体素子などに対して、最大10kVのブレークダウンテストが可能な高電圧電源「2290」シリーズを発売した。低電圧計測器や作業者を高電圧から保護するための保護回路モジュールを用意している。また、自動テストシステムの構築を容易にする通信インタフェース機能を標準で搭載した。……

2014年3月24日 日刊工業新聞

KASTなど、熱伝導率2倍の窒化ケイ素セラミックス開発体

神奈川科学技術アカデミー(KAST)の高橋拓実研究員、多々見純一研究代表者・横浜国立大学教授は、長岡技術科学大学の田中諭准教授と従来比約2倍の1メートル・1K(Kは絶対温度)当たり149ワットという高伝導率の窒化ケイ素セラミックスを開発した。1900度Cで同10分の1の6時間で焼成できる。電気自動車(EV)などの電力変換素子に使われる炭化ケイ素パワー半導体モジュール用絶縁放熱基板として利用が期待される。2020年までに実用化を目指す。……

2014年3月20日 TechOn!

東芝、600V耐圧のスーパージャンクション型パワーMOSFETに高速版(新しいウインドウで開きます)

東芝は、第4世代のスーパージャンクション構造を採用した耐圧600VのMOSFET「DTMOSIV」(ディーティーモス・フォー)の新製品として高速スイッチング版の「DTMOSIV-H」(ディーティーモス・フォー・エイチ)を発売した。2014年3月31日から量産を開始する。
同社は2013年4月にDTMOSIVを発売している。……

2014年3月20日 semiconductorTODAY

GaN-on-Si enabling GaN power electronics, but to capture less than 5% of LED making by 2020(新しいウインドウで開きます)

 Gallium nitride (GaN)-on-sapphire is the existing mainstream technology for LED manufacturing, but GaN-on-silicon technology has naturally appeared as an alternative to sapphire in order to reduce cost. However, a cost simulation by market analyst firm Yole Developpement indicates that the differential in silicon substrate cost is not enough to justify the transition to GaN-on-Si technology. ……
GaN-on-Si to be widely adopted for power electronics
 The power electronics market addresses applications such as AC-to-DC or DC-to-AC conversion, which is always associated with substantial energy losses that increase with higher power and operating frequencies. Incumbent silicon-based technology is reaching its limit and it is difficult to meet higher requirements, says Yole. GaN-based power electronics have the potential to significantly improve efficiency at both high power and high frequencies while reducing device complexity and weight. Power GaN is therefore emerging as a substitute to silicon-based technology. However, currently power GaN remains at an early stage and represents just a tiny portion of the power electronics market.……

2014年3月19日 日刊工業新聞

飛躍できるか大学発VB
SiCツールズ 炭化ケイ素工具を作製

「加工する人が狙った通りに加工できる工具を作りたい」。SiCツールズは江龍修名古屋工業大学教授の炭化ケイ素(SiC)の単結晶化技術をコア技術とする大学発ベンチャー。航空機などの難削材加工用工具を得意とするビーティーティー(BTT、名古屋市守山区)と組んで、半導体材料の単結晶SiCを使った工具を世界で初めて製品化した。……

2014年3月18日 TechOn!

次世代素子を使った太陽光発電用パワコン向けのパワー半導体、伊仏ST社が製品化(新しいウインドウで開きます)

大手パワー半導体メーカーの伊仏STマイクロエレクトロニクス社は3月、次世代半導体素子であるSiC(炭化ケイ素)を採用したパワーMOSFET(金属酸化物半導体型の電界効果トランジスタ)「SCT30N120」を販売すると発表した。動作温度は、業界最高レベルの200℃、耐圧は1200Vを実現した。太陽光発電向けのパワーコンディショナー(PCS)などへの採用を目指す。……

2014年3月18日 日経産業新聞

化合物半導体製造装置 原料ガス4割減 サムコ、米社製を発売

サムコは発光ダイオード(LED)やパワー半導体素子を製造する際、原料になるガスを4割削減できる化合物半導体製造装置を発売する。同装置を開発した米ベンチャーと17日、日本での独占販売代理店契約を結んだ。生産コストを軽減できることなどを強調し、電機メーカーなどに売り込む。
有機金属気相成長(MOCVD)装置と呼ばれる種類の装置で、サファイアやシリコン基板の上に窒化ガリウムなどを薄く成膜する。……

2014年3月18日 TechOn!

EV/HEV部品解剖
SiCやデジタル制御を採用 高効率・小型の車載充電器(新しいウインドウで開きます)

オムロンオートモーティブエレクトロニクスは、最大効率が92.9%以上と高く、体積が約6.6Lと小さい車載充電器を実現するメドを付けた。出力が最大6.6kWのもので、日米欧の家庭用100~240V電源で充電するプラグインハイブリッド車(PHEV)や電気自動車(EV)に使える。2016年ごろに量産することを目指す。……
<出典:日経Automotive Technology、2014年3月号、pp.108-111>

2014年3月14日 TechOn!

STMicro、+200℃におけるオン抵抗が100mΩのSiCパワーMOSFETを発売(新しいウインドウで開きます)

伊仏合弁STMicroelectronics社は、+200℃と高い動作温度における特性を規定した+1200V耐圧のSiC(炭化シリコン)パワーMOSFET「SCT30N120」を発売した。同社は、「特性を規定した温度として、+200℃は業界で最も高い」と主張する。例えば、+200℃におけるオン抵抗は100mΩ(ゲート-ソース間電圧が+20Vのときの標準値)である。+200℃での動作を保証しているため、プリント基板の面積を削減したり、放熱対策を簡略化できたりするという。太陽光発電用インバーター装置や、無停電電源装置(UPS)、モーター駆動装置、高電圧対応のDC-DCコンバーターなどの用途において、Si製IGBTの置き換えを狙う。……

2014年3月14日 日刊工業新聞

ローム、パワー半導体を拡充 専門部署新設

ロームはパワー半導体の設計や開発、販売などを担う専門部署を新設、2014年度から活動を始める。これまでパワー半導体部門は炭化ケイ素(SiC)パワー半導体など、3製造部に分かれていた。製造部門を一本化し、開発、販売体制を整備して一体提案できるようにする。自動車向けを主なターゲットとし、同事業で早期に100億円以上の売り上げを目指す。……
SiCパワー半導体についてロームは、内蔵するダイオードとトランジスタをSiC製にした「フルSiCパワーモジュール」を業界に先がけて量産。本格普及をにらみ、提案活動に力を入れている。今後はSiCとともにIGBTやIPMを一体的に提案することで、パワー半導体の訴求力を向上。競合との差別化につなげる狙いだ。

2014年3月13日 semiconductorTODAY

ST unveils 1200V SiC power MOSFETs with 200°C temperature rating(新しいウインドウで開きます)

 STMicroelectronics of Geneva, Switzerland has unveilled a family of high-voltage silicon carbide (SiC) power MOSFET products, enabling power supply designers to drive up energy efficiency in applications such as solar inverters and electric vehicles, enterprise computing and industrial motor drives.
 ST claims to be among the first firms to produce high-voltage SiC power MOSFETs, and has achieved what is said to be the industry’s highest temperature rating of 200°C. The properties of silicon carbide help to save at least 50% of the energy normally wasted passing through conventional silicon power transistors, it is reckoned. The devices can also be physically smaller for a high breakdown voltage. The technology is seen as essential for continued improvement in system energy efficiency, miniaturization and cost.……

2014年3月13日 semiconductorTODAY

Cree presenting at APEC on SiC MOSFETs(新しいウインドウで開きます)

 At the Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC 2014) in Forth Worth, Texas (16-20 March), Cree Inc of Durham, NC, USA is exhibiting in booth #1220 as well as delivering three presentations.
 Cree will provide information about its new CPW5 Z-Rec high-power Schottky diodes (claimed to be the first commercially available family of 50A SiC rectifiers).
 The firm is also conducting an exhibitor seminar (Session #4, 19 March; 3:45-4:15pm) about its second-generation SiC MOSFETs, which are said to enable smaller, higher-efficiency solutions at cost parity with silicon-based technologies.……

2014年3月6日 TechOn!

三菱電機、福岡に建設したパワー半導体の設計技術棟が稼働開始(新しいウインドウで開きます)

三菱電機は、パワーデバイス製作所(福岡県福岡市)内に建設した設計技術棟「パワーデバイス イノベーション センター」を、2014年3月10日から稼働させる。同社はSiCパワー半導体など、電力損失の低減に向けた開発を積極的に進めている。これまでは敷地内に分散していた営業・開発・設計技術部門を設計技術棟へ集約することで、各部門の連携を強める考え。需要が拡大・多様化するパワー半導体の新技術・新製品の開発を加速するとしている。……

2014年3月5日 semiconductorTODAY

Cree launches first 50A SiC rectifiers(新しいウインドウで開きます)

 Cree Inc of Durham, NC, USA has launched the CPW5 Z-Rec high-power silicon-carbide (SiC) Schottky diodes - claimed to be the first commercially available family of 50 Amp SiC rectifiers.
 Designed to deliver the cost reduction, high efficiency, system simplicity and improved reliability of SiC technology to high-power systems from 50kW to over 1MW, the new diodes address demanding applications including solar/PV inverters, industrial power supplies, induction heating, battery charging stations, wind turbine converters and traction inverters.……

2014年3月4日 EE Times Japan

実装技術 半導体パッケージ:
ワイヤボンディングの接続強度を測定、SiC/GaN半導体デバイスにも対応(新しいウインドウで開きます)

OKIエンジニアリングは2014年3月、次世代パワー半導体やタブレット端末向け高密度半導体製品などの組み立てに用いたワイヤボンディングの接続強度を測定できる「多機能ボンドテスタ」を新たに導入したと発表した。この装置を加えることでSiC(炭化ケイ素)、GaN(窒化ガリウム)などの基板材料や、Cu(銅)、Ag(銀)などのボンディングワイヤを用いて実装された半導体デバイスの接続強度を評価するための能力を高めたことになる。……

2014年3月4日 semiconductorTODAY

Transphorm giving presentations on GaN in APEC's Industry Sessions(新しいウインドウで開きます)

 At last year’s IEEE Applied Power Electronics Conference & Exposition (APEC), Transphorm Inc of Goleta, near Santa Barbara, CA, USA (which designs and delivers power conversion devices and modules) introduced the first - and only - 600V JEDEC-qualified GaN-on-silicon high-electron-mobility transistors (HEMTs). Now, at APEC 2014 in Fort Worth, TX, USA (16-20 March), Transphorm will give two presentations on 20 March, providing an update on growing industry acceptance of gallium nitride (GaN), along with the advantages of using the technology for power conversion designs in actual implementations.
 To offer an update on energy-efficient and compact power conversion technology, one presentation addresses long-term reliability of GaN devices, while the other deals with the impact of high-frequency switching on magnetic devices: ……

2014年3月4日 semiconductorTODAY

Electric vehicle to be largest application of wide-bandgap power semiconductors by 2020(新しいウインドウで開きます)

 In the last century, silicon-based power electronics (which control or convert electrical energy into usable power) transformed the computing, communication, electric vehicle and energy industries and gave consumers and businesses more powerful laptops, cell phones and motors, but over the coming decade that era will begin to come to an end, according to the IDTechEx report ‘Power Electronics for Electric Vehicles 2014-2024’, which spans inverters to battery management systems.
 Wide-bandgap (WBG) semiconductors now offer new opportunities to achieve unprecedented performance while using less electricity. In particular, WBG semiconductors such as silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) can operate at higher temperatures, have greater durability and reliability at higher voltages and frequencies, and be smaller, more efficient and cost less, notes the report. A WBG-based inverter (switching electricity from direct current to alternating current) can be four times more powerful, half the cost, and a quarter the size and weight of a traditional inverter, it is reckoned. ……

2014年3月3日 TechOn!

SiC/GaNパワー素子の“デスバレー”をどう乗り越えるか、第1回グリーンイノベーションシンポで議論(新しいウインドウで開きます)

「第1回グリーンイノベーションシンポジウム」が2014年2月26日に芝浦工業大学で開催された。このシンポジウムは同大学にグリーンイノベーション研究センターが発足したことを受けて開催されたもの。このセンターは、SiCやGaNを用いたパワーエレクトロニクスや低消費電力デバイス、高効率エネルギー伝送、環境エネルギーの利用技術など、低炭素社会の実現を目指した材料/デバイス/システムの基礎研究から応用研究までをカバーしている。……
基調講演では、京都大学名誉教授の松波弘之氏がSiC研究の歴史を紹介した。応用実現のためにはアプリケーションのターゲットを定めたうえで、川上/川下/周辺の技術を集めたプロジェクトの創造(application-initiated vertical integration)が必要だと同氏は説いた。……

2014年2月27日 EE Times Japan

パワー半導体 酸化ガリウム:
SiCには勝てる! 欧米も注目する“第3の次世代パワーデバイス”の国内開発プロジェクトが今春スタート(新しいウインドウで開きます)

情報通信研究機構(NICT)は、2014年4月をメドに次世代パワーデバイス材料の1つである酸化ガリウムを使ったデバイスの実用化を目指した本格的な開発プロジェクトを発足させる。国内電機メーカーや材料メーカー、半導体製造装置メーカー、大学などと連携して2020年までに酸化ガリウムパワー半導体デバイスの実用化を目指す。
世界規模で省エネルギー化が望まれる中、電力損失を低減するため電力変換に用いられるパワー半導体のさらなる高効率化が進められている。その中で、物理的限界に達しつつある従来材料のシリコン(Si)に代わる、よりパワー半導体に向いた新材料を用いた“次世代パワー半導体”の開発が盛んになっている。
その次世代パワー半導体の新材料としては、炭化ケイ素(シリコンカーバイト、SiC)と窒化ガリウム(ガリウムナイトライド、GaN)の2つが有名であり、近年、SiCによるMOSFET、GaNによるHEMTといったデバイスが実用化されてきた。……

勝るとも劣らない「酸化ガリウム」……
欧米が猛追、オールジャパンで対抗へ……
熱伝導率、P型……課題を克服して実用化へ……
目下のライバルはSiCに対し「十分勝てる」……

2014年2月27日 semiconductorTODAY

EPC presenting GaN technology for high-frequency resonant and envelope tracking power supplies at APEC(新しいウインドウで開きます)

 At 29th annual IEEE Applied Power Electronics Conference & Exposition (APEC 2014) in Fort Worth, TX, USA (16-20 March), Efficient Power Conversion Corp (EPC) of El Segundo, CA, USA, which makes enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN) power field-effect transistors (FETs) for power management applications, will give three application-focused technical presentations about high-frequency resonant converter, and high-frequency, hard-switched power converter design.
 Technical presentations featuring GaN FETs by EPC experts are as follows: ……

2014年2月25日 SmartGridElectronics.Net

Vincotech adds SiC Modules for Advanced Power Conversion

 Vincotech has rolled out new SiC-based products for ultra-efficient, high-frequency operation in solar inverter, UPS, and battery management applications. This generation flow SiC 0 modules come in two versions. One is a flow3xPHASE 0 SiC three-phase inverter module with 3x buck/boost and split output topology; the other is the flow3xBOOST 0 SiC with three-channel boost circuits. Both modules feature the latest generation of SiC MOSFET switches designed for ultra-fast switching frequencies >100 kHz. They are able to achieve >99 % peak efficiency at fPWM = 64 kHz. Equipped with integrated DC capacitors, these new flow 0 SiC modules provide ultra-low inductance.……

2014年2月20日 日刊工業新聞

オムロン、SiC半導体を搭載した太陽光発電用パワコン開発 変換効率97.3%

オムロンは炭化ケイ素(SiC)パワー半導体を用いた太陽光発電用のパワーコンディショナー(電力変換装置)を開発した。パワコンの昇圧回路やインバーター回路などに、電力損失の少ないSiC半導体を搭載。変換効率は同社現行品に比べ2.3ポイント高い97.3%(5.5キロワット出力時)を実現し、電力損失を約2分の1に抑えた。2015年度中の市場投入を目指す。
パワコンの安全性や性能を評価する電気安全環境研究所(JET)認証に相当する性能試験を自社で実施し、製品化時に求められる熱やノイズへの耐性を確認した。実製品に近い開発機で、97.3%の高効率を達成したのは業界で初めて。
「SiCデバイスの量産が本格化し、適正価格になればすぐに市場投入できる」(同社担当者)という。……
2014年2月20日 オムロン ニュースリリース
業界初!JET認証相当レベルまで対応し、体積1/2・電力損失1/2を実現
「次世代型ALL-SiCパワーコンディショナ」の開発について(新しいウインドウで開きます)

2014年2月20日 semiconductorTODAY

Vertical GaN transistor with 1.6kV blocking voltage(新しいウインドウで開きます)

 Researchers at Japan’s Toyoda Gosei Co Ltd have achieved a blocking voltage of 1.6kV for a vertical gallium nitride (GaN) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) structure [Tohru Oka et al, Appl. Phys. Express, vol7, p021002, 2014].
 To our knowledge, the blocking voltage is the highest ever reported for vertical GaN-based transistors on free-standing GaN substrates,” the researchers write. Previous vertical GaN transistors have achieved blocking voltages up to 1kV. Vertical Schottky barrier and pn diodes have achieved blocking voltages of up to 2kV.……

2014年2月19日 日経産業新聞

日亜化学と阪大、銀蒸着し加熱接合 次世代パワー半導体技術

日亜化学工業と大阪大学の菅沼克昭教授らは18日、次世代パワー半導体向けの接合技術を開発したと発表した。半導体の使用時に生じる高熱に耐え、加工時の歩留まりも改善できる。直流と交流を切り替える電力変換時の損失を抑えたパワー半導体の実現につながる。5年以内に家電向けに実用化し、その後は自動車や鉄道向けに売り込む。
銀の薄膜を使い、炭化ケイ素製のパワー半導体と銅の基板を接合する技術を開発した。まず半導体に銀を蒸着させた後に、セ氏250度に加熱して基板に貼り付ける。これまでは強い力で半導体を押しつけて接合していたが、半導体の配線が傷付く欠点があった。新技術は加圧が不要で歩留まりを改善できる。……

2014年2月19日 semiconductorTODAY

GaN device market to grow at 24.6% to $2.2bn in 2019(新しいウインドウで開きます)

 According to a new report ‘GaN Semiconductor Devices (Power semiconductors, Opto semiconductors) Market - Global Industry Analysis, Size, Share, Growth, Trends and Forecast, 2013-2019’ from Transparency Market Research, the market will increase from $379.82m in 2012 to $2,203.73m by 2019, rising at a compound annual growth rate (CAGR) of 24.6% from 2013 to 2019.
 North America was the largest contributor in 2012, accounting for 32.1% of the GaN device market, followed by Europe, Asia Pacific, and the rest of the world (RoW). However, Asia Pacific is expected to be the fastest-growing market during the forecast period, growing at a CAGR of 27.7% from 2013 to 2019, due mainly to the rapid growth in the electronic industry in Asia Pacific. ……

2014年2月18日 semiconductorTODAY

Power discrete device market to grow at 8.43% over 2013-2018(新しいウインドウで開きます)

 The global market for power discrete devices will rise at a compound annual growth rate (CAGR) of 8.43% over 2013-2018, forecasts a new report from TechNavio (the market research platform of Infiniti Research Ltd). ……
 In addition, silicon carbide (SiC) is currently widely used in the development of power semiconductors, including SiC MOSFETs, SiC JFETs, SiC BJTs, and SiC Schottky diodes. However, as a wide-bandgap material that offers similar performance benefits to SiC but has greater cost-reduction potential, the market for gallium nitride (GaN) power semiconductors is expected to grow rapidly in the coming years. In addition, GaN can be made available using existing silicon substrates, which can enable mass production and reduced cost.……

2014年2月14日 TechOn!

三菱電機、業界最小のSiCインバータ内蔵EV用モータを開発(新しいウインドウで開きます)

三菱電機は、インバータを構成するトランジスタやダイオードのすべてにSiC(炭化ケイ素)を使ったインバータ内蔵のEV(電気自動車)用モータを開発した。出力60kWで体積が14.1Lと業界最小の寸法を実現したのが特徴。2018年頃の実用化を目指している。……
2014年1月31日 三菱電機ニュースリリース
世界最小・高効率でモーター単体との置き換えを実現
「電気自動車(EV)用モータードライブシステム」を開発(新しいウインドウで開きます)

2014年2月14日 CompoundSemiconductor

PSMA to host industry session for GaN and SiC at APEC 2014

 Industry experts representing GaN and SiC component manufacturers, power supply manufacturers, magnetic component suppliers and academia will discuss current trends, materials and design issues
 The Power Sources Manufacturers Association (PSMA) Magnetics Committee is sponsoring the Industry Session “How Are Magnetics Catching Up To SiC & GaN?” at APEC 2014.……

2014年2月14日 CompoundSemiconductor

SiC & GaN power devices to lead power discrete market

 Currently, SiC is widely used in the development of power semiconductors. However, GaN is a wide bandgap material that offers similar performance benefits to SiC but has greater cost-reduction potential, and the market for GaN power semiconductors is expected to grow rapidly in the coming years.
 In addition, GaN can be made available using existing silicon substrates, which can enable mass production and reduced cost. Power semiconductors using next-generation materials such as SiC and GaN are characterised to have lower energy loss, high-speed switching, and higher heat resistance than conventionally-used silicon.
 The adoption of SiC and GaN power semiconductors is expected to witness a significant increase, particularly in the EV/HEV and Industrial Motor Drive segments.……

2014年2月5日 半導体産業新聞

インフィニオン PHEVにらみ戦略構築 300mmでIGBTを製造

独インフィニオンテクノロジズ(日本法人=品川区大崎)は、欧州市場で需要の拡大が期待されるプラグイン・ハイブリッド車(PHEV)向けを中心としたパワー半導体の事業戦略を説明した。1月15~17日に東京ビッグサイトで開催された第6回 国際カーエレクトロニクス技術展」で会見し、ハイブリッド車(HEV)向け半導体事業のトップを務めるマーク・ミュンツアー氏が解説した。今後はPHEV向けでデバイスの開発に注力していく構えだ。……
一方で、SiCデバイスも開発中。01年に世界で初めてSiCショットキーバリアダイオード(SBD)を開発し、以降も世界の半導体メーカーのSiCデバイス開発を常にリードしている。車載向けのSiC-SBDを現在開発中で、シリコンのIGBTと組み合わせれば、オールシリコンの組み合わせに比べて損失を20%も低減できるという。フルSiCになれば損失低減も可能だという。
ミュンツアー氏は「あと10年はシリコンが主流であり続けるだろうが、SiCが使われる場面は増えていくだろう」とし、SiCが次第に勢力を伸ばしていくとの認識を示した。
さらに、GaNデバイスの研究も進めている。SiCよりも実用化は後になる見通しだが、200mmウエハー上に素子を成長させることができるためコストメリットは高いとしており、こちらも研究開発に注力していく構えだ。

2014年2月5日 半導体産業新聞

ボッシュの電装化戦略 半導体自社開発、外販も強化 自動運転技術にも積極貢献

世界最大のTier1企業、独ボッシュのAE(オートモーティブエレクトロニクス)事業のなかで、注力分野の1つにコンポーネントビジネスが挙げられる。他のTier1企業と異なり、半導体やMEMSデバイスを自ら製造する能力を備え、自社製品に搭載するだけでなく、競合他社にまで外販している。……
パワー半導体にも積極的だ。このほど第3世代のIGBTモジュールを開発し、すでに実車に採用されている。同モジュールの量産を3年ほど前から手がけており、半導体でも付加価値が高い分野は積極的に社内に取り込んでいる。第4世代の開発も始まっており、パワー半導体でも積極的に打って出ている。……

2014年2月5日 半導体産業新聞

自動車Tier1 半導体内製化に「本腰」 差異化・付加価値戦略の源泉に

デンソー、ボッシュなど自動車向け電機・電子システム系のTier1(一次下請け)企業が、半導体部品の内製化の動きを強めている。ハイブリッド車(HEV)や電気自動車(EV)の普及に加えて、先進運転支援システム(ADAS)搭載の動きが加速しており、自動車の電装化比率が大幅に向上しているためだ。クルマの機能向上や小型・低コスト化の流れを両立し、他社よりも特徴のある商品作りをいち早く実現するため、半導体を付加価値の源泉に位置づける。現状ではMEMSセンサーをはじめIGBTなどパワー半導体がメーンだが、SiCやGaNなどのポスト・シリコンを見据えた動きも見え隠れする。……
<以下、各社の動向>

2014年2月3日 CompoundSemiconductor

Obama awards ABB $2.1 million for WBG research

 President Obama last week announced that an eighteen company coalition based at N.C. State University, in Raleigh, had been selected for a $140 million manufacturing hub for wide band gap (WBG) semiconductors.
 This team beat several competitors, including a group in New York that was anchored by General Electric.
 ABB says its credentials in power electronics and related research contributed a lot to this team being chosen. The firm is an employer of 30,000 people in North America, has its North American headquarters, global Power R&D Research Centre and regional power divisions in the Raleigh area.……

2014年2月3日 CompoundSemiconductor

Yole to discuss vertical integration and GaN substrates at CS International

 The market analyst will discuss GaN substrate technologies and industry status and vertical integration vs. outsourcing in the wide bandgap sector
 Yole Developpement is to participate in the 4th CS International conference 2014 with two presentations.
 At CS International 2014, Yole will present its latest technology and market analysis dedicated to the compound semiconductor sector.……

2014年1月31日 TechOn!

【MEMS 2014】数百℃でも働くセンサー、SiC以外に“先祖帰り”の方法も(新しいウインドウで開きます)

発電所や熱機関の精密制御による省エネルギー,地熱などの地下資源の効率的開発,原子力エネルギーの安全管理などのために,数百℃以上の高温で利用できるセンサーの実現が期待されています。MEMS分野でも,SiC-MEMSセンサーをはじめとする高温センサーが研究されてきましたが,実用にはまだ多くの問題があります。大きな問題の一つはセンサー信号の読み出しにあります。普通,センサーは電子回路で読み出しますが,高温ではSiの電子回路が使えません。小さなセンサーは出力インピーダンスが大きいので,すぐ近くに少なくも初段の増幅回路を置きたいのですが,高温ではそれが難しいわけです。……
(田中 秀治=東北大学)

2014年1月31日 semiconductorTODAY

GaN Systems presents paper on SPICE models for high-power GaN devices in automotive applications(新しいウインドウで開きます)

 At the Applied Power Electronics Conference (APEC 2014) in Fort Worth, TX, USA (16-20 March), GaN Systems Inc of Ottawa, Ontario, Canada, a fabless provider of gallium nitride (GaN)-based power switching semiconductors for power conversion and control applications, is presenting a technical paper that describes the application of SPICE models developed for very high-power GaN devices and integrated GaN drive circuits in automotive applications.
 At present, the drive-train power requirements of most hybrid vehicles (HVs) and electric vehicles (EVs) are met by using silicon insulated-gate bipolar transistor (IGBT) devices, but it is expected that GaN will take over as the technology of choice for this market in the near future, says the firm, as GaN power transistors provide greatly enhanced performance in these applications, due to lower on-resistance and minimal switching losses compared with silicon-based semiconductors. ……

2014年1月30日 CompoundSemiconductor

Key questions to be answered at CS International conference

 The compound semiconductor industry continues to evolve, developing and manufacturing new devices that will help to shape the world of tomorrow.
 This industry is currently debating answers to a handful of key questions:
 Will silicon CMOS overtake GaAs as the primary technology in the front-end handset market?
 How long will it take for GaN and SiC make a substantial impact in the RF and power electronics arenas?
 How quickly can LED chipmakers trim the cost-per-lumen and unlock a revolution in solid-state lighting?
 Does the future for triple-junction solar cells lie in space or on the ground? What devices can ‘green’ optical networks?
 Are III-Vs the logical choice for next-generation microprocessors?
 The answer to these questions and many more will be answered by the leading industry insiders who are thinking about these important issues, at the 4th CS International Conference in Germany.……

2014年1月28日 TechOn!

オムロン、最大効率92.9%以上・電力密度1.2kW/Lの車載充電器の実現にメド、SiCダイオードを採用(新しいウインドウで開きます)

オムロンオートモーティブエレクトロニクスは、最大効率が92.9%以上と高く、体積が約6.6Lと小さい車載充電器を実現するメドを付けたことを明らかにした。出力が最大6.6kWのもので、日米欧の家庭用100~240V電源で充電するプラグインハイブリッド車(PHEV)や電気自動車(EV)に使える。2016年ごろに量産することを目指す。車載電源部品では後発のオムロンだが、同技術をテコに自動車事業を拡大する考えだ。……

2014年1月27日 MONOist

ネプコンジャパン2014リポート:
進化を続ける「はんだ」、次世代パワー半導体やカメラモジュールの実装に対応(新しいウインドウで開きます)

「ネプコンジャパン2014」では、エレクトロニクス製品の製造に用いられる最新の装置や部品・材料が展示され、各社がデモを交えて最新の機能を紹介した。本稿では、実装基板を接合する技術の基本である「はんだ」に関連した最新製品や技術について報告する。
エレクトロニクス製造・実装検査に関する専門展である「ネプコンジャパン2014」(2014年1月15~17日、東京ビッグサイト)は、「第43回インターネプコンジャパン」を中心に、「第15回半導体パッケージング技術展」、「第15回プリント配線板EXPO」、「第32回エレクトロテストジャパン」、「第15回電子部品EXPO」、「第5回先端電子材料EXPO」および「第4回精密微細加工技術EXPO」の7つの専門展示会で構成されている。同時に自動車技術を中心とした展示会「オートモーティブワールド2014」や、LEDなど次世代照明技術に関する展示会「ライティングジャパン2014」も行われた。……

2014年1月27日 semiconductorTODAY

Enhancing silicon carbide epitaxy with high-speed rotation(新しいウインドウで開きます)

 Researchers in Japan have developed a single-wafer-type 150mm vertical 4H polytype silicon carbide (SiC) epitaxial reactor with high-speed wafer rotation [Hiroaki Fujibayashi et al, Appl. Phys. Express, vol7, p015502, 2014]. The team comments on the results: “The obtained growth rates and doping uniformity for 150mm-diameter wafers are much superior to those reported previously.”
 The research team involved collaboration between Central Research Institute of Electric Power Industry, DENSO Corp, NuFlare Technology Inc, Toyota Motor Corp, and Toyota Central R&D Labs. ……

2014年1月23日  CompoundSemiconductor

New partnership to enhance GaN power

 Ammono is partnering with Kyma Technologies and MicroLink Devices in two novel projects related to power electronics as the supplier of GaN substrates.
 Based on a proprietary patented technology, Ammono has expertise in low dislocation GaN substrate manufacturing, exporting its products worldwide. Main applications of GaN are high power transistors, lasers and LEDs.
 Those two partnerships are based on the development of new concepts, which explore the quality of our low dislocation GaN and allow new, better and more economic devices. The participation in ARPA-E projects shows the recognition of US industrial players for the breakthrough potential of our products,” says Piotr Wiliński, the Chief Commercial Officer at Ammono.……

2014年1月22日  semiconductorTODAY

ST launches first 650V SiC diodes with dual common-cathode or series configuration(新しいウインドウで開きます)

 STMicroelectronics of Geneva, Switzerland has launched dual-configuration Schottky silicon-carbide (SiC) diodes that are claimed to be the industry’s first such devices with a voltage rating of 650V per diode in a choice of common-cathode or series configurations, allowing use in interleaved or bridgeless power-factor correction (PFC) circuits.
 SiC power semiconductors have inherently higher energy efficiency and ruggedness compared to ordinary silicon alternatives, says ST. The firm’s STPSC6/8/10TH13TI and STPSC8/12/16/20H065C devices (which have maximum average-current rating of 6A, 8A, 10A, or 8A, 12A, 16A and 20A, respectively) combine SiC performance advantages with the space savings and electromagnetic interference (EMI) reduction of dual integrated diodes. They are suitable for interleaved or bridgeless PFC (power factor correction) topologies that enhance the energy efficiency of equipment such as server and telecom power supplies, solar inverters or electric-vehicle charging stations. ……

2014年1月21日 日経産業新聞

鉄道部品、海外で受注増 国内体制、対応分かれる 三菱電機、岐阜に新工場建設 東洋電、投資せず残業選択

鉄道車両部品メーカーが海外受注の強化に向け、国内の生産体制を整えている。三菱電機は2015年4月の稼働を目指し岐阜県に新工場を建設し、信号大手の京三製作所も新工場を稼働した。一方、電機品大手の東洋電機製造は投資せずに残業などで増産。事故や国同士の関係悪化で需要が急減するリスクを抱える鉄道分野で、各社の対応が分かれている。
兵庫県尼崎市にある、三菱電機伊丹製作所。鉄道用電機品のマザー工場であるこの拠点が、最近手狭になっている。さらなる成長に向け、このほど岐阜県恵那市に約75億円を投じ、延べ床面積約2万平方メートルの工場を新設することを決めた。……         

2014年1月20日 TechOn!

「GaNパワー素子は有望だが時期尚早」、Infineon社が見解(新しいウインドウで開きます)

「今、GaNパワー素子に対する期待はピークに来ている。実際有望な材料だ。しかし、未知な部分が多く、採用は時期尚早だろう」――。自動車関連の展示会「オートモーティブワールド 2014」に併設されたセミナーでドイツInfineon Technologies社で自動車用の高電圧パワー半導体とドライバICなどの事業を担当する、同社 Electric Drive Train Senior DirectorのMark Muenzer氏がGaNパワー素子に対する見解を示した。……

2014年1月20日  semiconductorTODAY

IQE to be key partner in Next Generation Power Electronics Innovation Institute(新しいウインドウで開きます)

 Epiwafer foundry and substrate maker IQE plc of Cardiff, Wales, UK is to play a key part in a US public-private consortium of more than 25 companies, universities and state and federal organizations selected to lead the Next Generation Power Electronics Innovation Institute, as announced on 15 January by US President Obama during a visit to consortium leader North Carolina State University (NCSU) in Raleigh, NC. ……

2014年1月17日 TechOn!

欧州でのPHEV普及を促す一つの計算式(新しいウインドウで開きます)
Infineon Technologies社の発表会から

ある計算式が、欧州におけるプラグインハイブリッド車(PHEV)の普及を促しそうだ。その式とは、欧州の燃費測定法「ECE R101」において、PHEVの二酸化炭素排出量に適用するものである。この式で算出する「reduction factor(削減係数)」が大きくなるほど、同じような走行性能を備えたハイブリッド車に比べて、ECE R101におけるPHEVの二酸化炭素排出量が減る。ドイツInfineon Technologies社が2014年1月16日に開催した報道機関向け発表会において、この話題を取り上げた。……

2014年1月16日 TechOn!

STMicro、力率改善回路に向けた650V耐圧のデュアルSiCダイオードを発売(新しいウインドウで開きます)

伊仏合弁STMicroelectronics社は、耐圧が+650VのSiC(炭化シリコン)ダイオードを1つのパッケージに2つ搭載した電源デバイスを発売した。製品は2種類ある。1つは、SiCダイオードを2つ直列に接続した「STPSC6/8/10TH13TI」。もう1つは、カソード電極を共通に2つのSiCダイオードを接続した「STPC8/12/16/20H065C」である。インタリーブ方式、もしくはブリッジレス方式の力率改善(PFC:power factor correction)回路に向ける。具体的な用途としては、通信機器の電源回路、太陽光発電システムのインバータ装置、電気自動車の充電ステーションなどを挙げている。……

2014年1月16日 CompoundSemiconductor

A growing reliance on wide band gap power electronics

 The Next Generation Power Electronics National Manufacturing Innovation Institute will use $70 million provided by the U.S. DOE to develop SiC and GaN devices over the next five years
 The share of electricity flowing through power electronics is expected to increase rapidly. By 2030, an estimated 80 percent of all U.S. electricity is expected to flow through power electronics.
 Thirty percent of electricity in the U.S. flowed through power electronics in 2005 and in 2030, it's estimated to be eighty percent.……

2014年1月15日 semiconductorTODAY

US DOE selects NCSU to lead $140m Next Generation Power Electronics Innovation Institute(新しいウインドウで開きます)

 The Obama administration has announced the selection of a consortium (headquartered in Raleigh, NC) of more than 25 companies, universities and state and federal organizations to lead a US public-private manufacturing innovation institute for next-generation power electronics. Supported by a $70m investment over five years by the Advanced Manufacturing Office within the Department of Energy’s Office of Energy Efficiency and Renewable Energy (EERE) (the largest single grant in NC State history) as well as a matching $70m in non-federal cost-share from the consortium partners, the Next Generation Power Electronics Innovation Institute aims to invent and manufacture wide-bandgap (WBG) semiconductor-based power electronics that, within the next five years, are cost-competitive and 10 times more powerful than current silicon-based technology on the market.……

2014年1月15日 US Energy Dept

Wide Bandgap Semiconductors: Essential to Our Technology Future(新しいウインドウで開きます)

 Hidden inside nearly every modern electronic is a technology -- called power electronics -- that is quietly making our world run. Yet, as things like our phones, appliances and cars advance, current power electronics will no longer be able to meet our needs, making it essential that we invest in the future of this technology.
 Today, President Obama will announce that North Carolina State University will lead the Energy Department’s new manufacturing innovation institute for the next generation of power electronics. The institute will work to drive down the costs of and build America’s manufacturing leadership in wide bandgap (WBG) semiconductor-based power electronics -- leading to more affordable products for businesses and consumers, billions of dollars in energy savings and high-quality U.S. manufacturing jobs.……
2014年1月15日 The White House
President Obama Announces New Public-Private Manufacturing Innovation Institute(新しいウインドウで開きます)

2014年1月13日 日刊工業新聞

三菱電、パワー半導体の昨年12月受注が過去最高水準に

三菱電機はパワー半導体の2013年12月の受注が、過去最高水準になったことを明らかにした。自動車用途に加え中国向けの空調や民生機器、鉄道用などで需要がおう盛という。富士電機も受注が好調なため、年末年始の休みを一部返上し工場を稼働させた。国内の産業機器向けも動きだしており、本格的な景気回復を裏付ける傾向と言えそうだ。
パワー半導体は電力供給の切り替えなどに使う「省エネ半導体」で、民生機器や自動車など幅広い分野で採用されており、個人消費や設備投資の先行指標にもなる。……

2014年1月13日 日刊工業新聞

昭和電工、有機EL撤退 パワー半導体などに集中

昭和電工が有機エレクトロ・ルミネッセンス(EL)照明事業から撤退することが分かった。……
一方、車載などを用途に需要が高まっているパワー半導体用炭化ケイ素(SiC)ウエハーを設備増強しているほか、LIB向けのラミネートフィルムや負極材、バインダーなどの事業も育ってきた。これらの事業の育成に経営資源を集中投下する。……

2014年1月9日 日刊工業新聞

日本電機の底力
デバイス立国への道 パワー半導体で優位維持

産業技術総合研究所のつくば西事業所(茨城県つくば市)で、炭化ケイ素(SiC)を使った次世代パワー半導体研究が盛り上がっている。
「企業との共同研究が増えており設備が手狭になってきた」―。SiCパワー半導体の量産技術確立を目指す共同研究組織「TPEC」の旗振り役を務める奥村元産総研先進パワーエレクトロニクス研究センター長はうれしい悲鳴を上げる。奥村センター長は共同研究で使う試作ラインの増強を決めた。……

2014年1月8日 半導体産業新聞

サンケン電気 SiC-SBD発売 トレンチMOSもES

サンケン電気(株)は、SiC(シリコンカーバイド)を用いたSBD(ショットキーバリアダイオード)の販売を2014年3月期下期から開始した。トレンチタイプMOSFETのエンジニアリングサンプル(ES)も開始しており、SiCパワー半導体の事業拡大に努める。
同社の次世代パワー半導体開発ではもともとGaN(窒化ガリウム)が先行していたが、近年はSiCにも注力している。今回販売を開始したSBDは600V耐圧で電流値10A。主にサーバー用電源への展開を想定する。耐圧1200VのSBDも山形サンケンの6インチラインを活用して試作を進めている。……           

2014年1月7日 TechOn!

「ソーシャル・デバイス」Special対談
技術が拓く新しい社会
世界が直面する課題に挑む医療機器
次世代半導体が技術革新に貢献

「誰もが健やか生活を送ることのできる未来」の実現を目指すイニシアティブ「ヘルシーマジネーション(healthymagination)」を推進する世界最大のコングロマリットGeneral Electric(GE)。その傘下で医療機器などを手掛けるGEヘルスケア・ジャパンの執行役員で技術本部長を務める星野和哉氏と、半導体メーカーのロームで新材料SiC(シリコンカーバイド)を使った電子デバイスの事業を担当するSiCパワーデバイス製造部副部長の伊野和英氏が、医療機器の革新に半導体デバイスが貢献する可能性について議論した。……

2014年1月7日 TechOn!

「ソーシャル・デバイス」Special対談
技術が拓く新しい社会
社会を意識した取り組みが加速
着実に進むインフラの技術革新

「省エネ」「少子高齢化」「インフラの老朽化」「防災/減災」など、ここにきて大きな社会課題が次々と顕在化してきた。これとともにクローズアップされてきたのが、こうした社会課題の解決に貢献する電子デバイス技術。いわゆる「ソーシャル・デバイス」の存在である。そのソーシャル・デバイスの今後の可能性などについて、代表的な社会インフラである鉄道の技術をリードしている鉄道総合技術研究所の会長を務める正田英介氏と、社会とのかかわりを意識しながら先進的な電子デバイスを展開するローム代表取締役社長の澤村諭氏が議論した。……