国内外のニュース/情報

2015年

2015年11月26日 (株)安川電機ホームページより

世界初! GaNパワー半導体を搭載したアンプ内蔵サーボモータを開発

株式会社安川電機(代表取締役会長兼社長 津田 純嗣)は、世界で初めてGaN*1パワー半導体を搭載したアンプ内蔵サーボモータを開発しました。今までサーボドライブシステムを構成していたサーボモータと サーボパック機能を組み合わせ、サーボドライブシステムのさらなる小型・高効率化を実現しました。
(出典:(株)安川電機ホームページ)
https://www.yaskawa.co.jp/newsrelease/technology/13896(新しいウインドウで開きます)          

2015年11月26日 日経Tech-Onより

ダイヤモンド基板が1インチに、並木精密宝石などが開発

並木精密宝石は、青山学院大学 教授の澤邊厚仁氏らの研究グループと共同で、ダイヤモンドの単結晶を開発した。この単結晶から、半導体素子の基板を作る。現在、30mm角品を試作済みだという。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15/112601309/?ST=powerele&rt=nocnt(新しいウインドウで開きます)            

2015年11月16日 EETimes Japanより

ルネサス、エアコン向け第7世代IGBTを発表

ルネサス エレクトロニクスは2015年11月16日、エアコンの力率改善回路(PFC)向けパワー半導体として、同社第7世代IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)技術を用いた新製品「RJP65T54DPM-E0」を発表した。
(出典:EETimes Japan)
http://eetimes.jp/ee/articles/1511/16/news064.html(新しいウインドウで開きます)

2015年11月11日 

TIAパワーエレクトロニクス研究拠点第三ラインの構築(新しいウインドウで開きます)

つくばイノベーションアリーナ(TIA)パワーエレクトロニクス研究拠点にSiCデバイスの6インチ級の新ラインが構築され、超低オン抵抗デバイスや耐圧10kV超級の超高耐圧デバイス開発での活用が期待されます。
つくばイノベーションアリーナ(TIA)パワーエレクトロニクス研究拠点は、オープンイノベーション研究拠点として、我が国のパワーエレクトロニクス研究開発を牽引する役割を担っています。この度、世界最先端のシリコンカーバイド(SiC)パワー半導体デバイス(6インチ級)の量産研究開発を目的とした新ラインを構築します。
http://www.aist.go.jp/aist_j/news/pr20151110.html(詳細は左記URLより)

2015年10月22日 電子デバイス産業新聞

フルSiCを1チップ内に集積

Hestia Power Inc.はSiC基板を用いSiC-MOSFETとSiCショットキーダイオードを1チップに集積化したデバイスを開発。1200V対応で、低コスト化が期待できる。16年後半には量産化を見込んでいる。

2015年10月21日 TechOn!

次世代パワー半導体の酸化ガリウム、エピウェハー提供始まる(新しいウインドウで開きます)

ベンチャー企業のノベルクリスタルテクノロジー(本社:埼玉県狭山市)は、次世代パワー半導体材料の1つである酸化ガリウムのエピウェハー(β方Ga2O3)を2015年10月から販売する。このウエハーは、情報通信研究機構(NICT)や東京農工大学、タムラ製作所などの研究チームの成果である。2016年度に6000万円、2020年度に7億円、2025年度に80億円の売上げを目標に掲げる。

2015年10月15日 電子デバイス産業新聞

(1)トレンチ構造を採用した大電流・低電圧を両立したGaNダイオード

パナソニック(株)は、SiCダイオードに比べ4倍の大電流動作可能なGaNダイオードを開発。耐圧は1.6kV電流密度は7600A/cm2、オン電圧は0.8V。トレンチ構造を採用し、ショットキーダイオードとPNダイオードを組み合わせて大電低電圧特性を実現した。基板は低抵抗GaN基板を採用、比オン抵抗は1.3mΩ・cm2。        

(2)電力損失を60%削減した自動車用インバータを開発

(株)日立製作所と日立オートモーティブシステム(株)はSiC半導体を用いた自動車用高効率インバータを開発した。モジュールにはSiCを複数配置し、低インダクタンスな配線実装構造とすることで、電力損失を60%低減した。並列接続をするため、制御信号配線の長さを均一化することで、整列接続SiCがその能力を十分に発揮できるようにして、損失低減を図った。          

(3)SiCモジュールを約37%小型化

ニチコン(株)はSiCを用いた1MHz,1kWの電力変換モジュールを開発した。従来比で37%の小型化を実現している。電気自動車用需給電の装置や家庭用蓄電システムへ展開できる。ゲート回路や部品の配置、ノイズの影響の検討により高周波化を実現した。効率は84%を達成。

2015年10月8日 電子デバイス産業新聞

SiC検査に新装置 1台で表面&PL検査

レーザーテック(株)がSiCウエハーの表面と内部の欠陥を同時に検査できる装置を製品化。1台の装置で基板表面のスクラッチやエピ欠陥、エピ内部の基底面転位や積層欠陥を同時に検査できる。

2015年9月3日 電子デバイス産業新聞

GaNパワーで大臣賞を受賞

名古屋工業大学とDOWAエレクトロニクス(株)はSi上にGaNをエピタキシャル成長する技術で科学技術政策担当大臣賞を受賞した。大口径のSi基板上にGaNを成長させる技術を事業化したことが行化されたものである。2010年から販売を開始しており、2014年度末までに累計40億円の販売があった。

2015年8月7日 EETimes Japan

NASA、金星探査ローバー用ICの開発に着手(新しいウインドウで開きます)

金星探査を計画している米航空宇宙局(NASA)は、金星の地表温度500℃に耐えられるSiC基板を用いた半導体デバイスの開発にアーカンソー大学のスピンオフ企業であるOzark Integrated Circuitsと共に着手した。

2015年7月27日 

松波弘之 会長 米国電気電子学会(IEEE)David Sarnoff Awardを受賞(新しいウインドウで開きます)

一般社団法人 SiCアライアンス会長 松波弘之 氏(京都大学名誉教授)が、米国電気電子学会(The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc.:IEEE)のDavid Sarnoff Awardを受賞されることになりました。
本賞は、電子工学の分野で顕著な業績を挙げた研究者・技術者に贈られるもので、松波先生の受賞理由は、「先進パワーエレクトロニクスにおける、シリコンカーバイド(SiC)結晶及びデバイス開発への貢献」とのことです。
詳細については、下記URLをご参照ください。
http://www.ieee.org/about/awards/2016_ieee_tfa_recipients_and_citations_list.pdf(新しいウインドウで開きます)

2015年4月17日 TechOn!

次世代パワー半導体、2020年に市場規模が13倍に(新しいウインドウで開きます)
SiCパワーデバイス需要の本格化は2016年、富士経済調べ

富士経済の調査によれば、パワー半導体の世界市場は販売ベースで2020年に3兆3009億円になるという。2014年の2兆4092億円と比べて、約37%増える計算になる。
中でも成長率が高いのが、SiCやGaN、酸化ガリウムなどの次世代パワー半導体である。同市場は2020年に販売ベースで1665億円と、2014年の129億円の約13倍になると試算する。SiCパワーデバイスの販売が本格化する時期を2016年とみる。……

2015年4月17日 CompoundSemiconductor

GE and SUNY partnership could process 30,000 wafers annuallly, says GE(新しいウインドウで開きます)

 New York Power consortium has potential to capture 10 percent of SiC market If General Electric Co. and SUNY Polytechnic Institute’s New York Power Electronics Manufacturing Consortium takes off, their manufacturing line could process 30,000 wafers a year, GE's Danielle Merfeld told the Northeast Semi Supply Conference this week at SUNY Poly campus.……

2015年4月17日 semiconductorTODAY

Digi-Key to distribute Global Power Technologies' SiC products worldwide(新しいウインドウで開きます)

 As part of its growth strategy to reach a broader set of customers, Global Power Technologies Group (GPTG) has announced an exclusive global distribution agreement with US-based Digi-Key Electronics, a provider of both prototype/design and production quantities of electronic components.
 As a full-service silicon carbide (SiC) manufacturer for the commercial power market, GPTG produces 100mm and 150mm epitaxial wafers, SiC discrete diodes, SiC discrete MOSFETs, SiC modules and sub-systems for multiple market sectors.……

2015年4月15日 TechOn!

ロームがフルSiCパワーモジュールの品ぞろえを拡充、1200V/300A定格品を投入(新しいウインドウで開きます)

ロームは、産業機器や太陽光発電用パワーコンディショナーなどに内蔵するインバーターやDC-DCコンバーターに向けたフルSiC(炭化ケイ素)パワーモジュールの品ぞろえを拡充した。製品化したのは、定格電圧が+1200 Vで定格電流が300Aと大きい「BSM300D12P2E001」である。従来同社は、+1200V定格の180A品と120A品を投入してきた。これを今回は300Aに引き上げた。SiCパワー素子の配置やモジュール内部の構造を最適化することで、従来品に比べて内部インダクタンスを大幅に低減することに成功した。この結果、大電流化の障害だったサージ電圧を低く抑えられたため、300A品の製品化が可能になったという。……
2015年4月15日 日刊工業新聞
ローム、SiCモジュール拡充 300アンぺア品を量産

2015年4月15日 日経産業新聞

デジタルグリッド、電力、施設間で融通自在 再生エネ「指定買い」可能

東京大学発ベンチャーのデジタルグリッド(東京・文京、陶山茂樹社長)は、電力量を自在に調整して、送電網の経路を指定して送れる機器を独自に開発した。インターネットでデータの流れを制御する技術が発想の原点だ。電力を複数の施設間で融通したり、再生可能エネルギーの導入を増やしたりできる技術として、注目を集めている。……

2015年4月9日 semiconductorTODAY

Cree announces large-signal accuracy of GaN-on-SiC HEMTs(新しいウインドウで開きます)

 Cree Inc of Durham, NC, USA has released a new application note 'Load Pull Validation of Large Signal Cree GaN Field Effect Transistor (FET) Model' describing the accuracy of its large-signal models for RF power transistors, which allow RF design engineers to reduce power amplifier (PA) design iterations, design time, and development costs.……

2015年4月8日 TechOn!

国内の新エネ向けパワコン市場、2014年度は19.5%増、2017年度から減少へ(新しいウインドウで開きます)

矢野経済研究所は4月1日、 2014年度(2014年4月~2015年3月)の国内の新エネルギー用パワーコンディショナー(PCS)市場が、前の年度に比べ19.5%増の2297億円となる見込みと発表した。
太陽光発電、風力発電、燃料電池、蓄電池向けのPCSを対象とし、メーカーの出荷金額ベースで算出した。……

2015年4月3日 TechOn!

自動車とエレクトロニクス、歴史に見る密な関係(新しいウインドウで開きます)
カー・エレクトロニクス技術を理解する【第1回】

クルマの性能はエレクトロニクス技術が決める─。こういわれて久しいが、今なおさまざまな技術が次々と搭載され、クルマは進化し続けている。そのカー・エレクトロニクスの歴史と共に成長し、クルマの電子化を支えてきたデンソーの技術陣が、4回にわたってカー・エレクトロニクス全体を俯瞰しながら、ポイントとなる技術の基礎について解説する。今回は、自動車とエレクトロニクスの歴史を振り返りながら、その密接な関連性について考察する。……
第2回~最終回の解説記事
【第2回】EVの課題をクリアしたHEV、システムと制御を徹底解剖(新しいウインドウで開きます)
【第3回】HEV用システムの主要部品、モータとインバータを探る(新しいウインドウで開きます)
【最終回】電源と高電圧補機を探る、カーエレの将来動向も展望(新しいウインドウで開きます)

2015年4月1日 日刊工業新聞

ローム、インバーター制御対応のパワー半導体モジュール開発 8月に量産開始

ロームはエアコンなどのインバーター制御に適したパワー半導体モジュールを開発した。8月に月産3万個体制で量産を始める。金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とゲートドライバーによるモジュール「BM65364S-VA/VC」で定格電流15アンぺア、耐圧600ボルト。消費税抜きのサンプル価格は3000円。前工程はローム浜松(浜松市南区)など国内3工場で、後工程はタイで生産する。……

2015年4月1日 semiconductorTODAY

SiC & GaN power semiconductors market to grow 17-fold to $2.5bn in 2023(新しいウインドウで開きます)

 Energized by growing demand for power supplies, hybrid and electric vehicles, photovoltaic (PV) inverters and other established applications, the emerging global market for silicon carbide and gallium nitride power semiconductors will grow by a factor of 17 over the 10 years from 2013 (just $150m) to 2023 ($2.5bn), forecasts market research firm IHS Inc in the report 'The World Market for SiC & GaN Power Semiconductors - 2014 Edition'. ……          

2015年4月1日 semiconductorTODAY

Nano-GaN Power Electronic Devices project aims to save 25% of power lost in energy conversion(新しいウインドウで開きます)

 Funded by Science Foundation Ireland (SFI), Invest Northern Ireland (InvestNI) and the US National Science Foundation (NSF) government agencies through the US-Ireland R&D Partnership program, over €1m has been awarded for the project 'Nano-GaN Power Electronic Devices'.……         

2015年4月1日 TechOn!

ローム、低オン抵抗のパワーMOSFETを採用したインテリジェント・パワー・モジュールを発売(新しいウインドウで開きます)

ロームは、低オン抵抗のパワーMOSFETを採用したインテリジェント・パワー・モジュール(IPM)「BM65364S-VA/-VC」を発売した。省エネ家電や産業用電子機器などに搭載する小容量のモーターをインバーター駆動する用途に向ける。すでにサンプル出荷を始めている。量産は2015年8月に、月産3万個規模で開始する予定だ。……

2015年3月31日 EDN Japan

これだけは知っておきたいアナログ用語:
GaN(窒化ガリウム)(新しいウインドウで開きます)

GaN(窒化ガリウム)とは、次世代パワー・デバイス(パワー半導体)に用いられる半導体材料のこと。GaNパワー・デバイスを、既存のSi(ケイ素)パワー・デバイスの代わりにDC/DCコンバータやインバータなどの電源装置に搭載すれば、電力変換効率の向上や装置の小型化などを実現できる。SiC(シリコン・カーバイド)とともに、次世代パワー・デバイスを実現する材料として普及が期待されている。……

2015年3月31日 CompoundSemiconductor

SiC and GaN power market to grow by factor of 17(新しいウインドウで開きます)

 The emerging market for SiC and GaN power semiconductors is forecast to grow by a factor of 17, during the next 10 years, energised by growing demand for power supplies, hybrid and electric vehicles, photovoltaic (PV) inverters and other established applications.
 Worldwide revenue from sales of SiC and GaN power semiconductors is projected to rise to $2.5 billion in 2023, up from just $150 million in 2013, according to ‘The World Market for SiC & GaN Power Semiconductors - 2014 Edition’ a new report from IHS Inc.  ……

2015年3月25日 日刊工業新聞

ローム、SiC・MOSFET特化 AC/DCコンバーター制御IC量産へ

ロームは産業機器向けに高耐圧で、交流から直流電圧に変換するAC/DCコンバーターを制御するIC「BD7682FJ―LB」を開発し、8月からサンプル出荷を始める。炭化ケイ素(SiC)による金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の制御、駆動に特化したもので、2016年春ごろまでに量産。同ICの投入で、SiC・MOSFETの電源での採用を加速したい考え。
同社では産業用に交流400ボルト前後の電圧を使う欧州など向けで、SiC・MOSFETの高耐圧という特性が生かせると判断した。……
2015年3月25日 TechOn!
ローム、SiCパワーMOSFETを使うAC/DCコンバーターに向けた電源制御ICを開発(新しいウインドウで開きます)

2015年3月25日 semiconductorTODAY

UK awards £17.3m for Cardiff University-based Compound Semiconductor Research Foundation(新しいウインドウで開きます)

 The UK Government's Universities Minister Greg Clark MP has unveiled a £17.3m funding award that will underpin the Compound Semiconductor Research Foundation - the first of its kind in the UK, with potential to become one of the leading clusters in Europe (joining four existing European semiconductor clusters), it is reckoned.
 Earmarked for the Cardiff University's Innovation Campus, the foundation aims to drive the testing and development of technology that lies behind global 'megatrends' including smart-phones and tablets, powering change across sectors including healthcare, biotechnology and mass communications.

2015年3月25日 semiconductorTODAY

Increasing GaN Schottky diode breakdown voltage with recessed double-field plate anode(新しいウインドウで開きます)

 Researchers at University of Notre Dame (UND) in the USA have claimed record high breakdown voltage for aluminium gallium nitride (AlGaN/GaN) lateral Schottky barrier diodes (SBDs) on silicon [Mingda Zhu et al, IEEE Electron Device Letters, published online 16 February 2015]. Two researchers from IQE LLC in the USA were also involved in the work.
 The team achieved a breakdown voltage (BV) of 1.93kV (Figure 1). The researchers comment that "this BV value is the highest among the reported GaN-on-silicon diodes" and that the devices are comparable in performance with "state-of-the-art GaN diodes on SiC, sapphire and bulk GaN substrates". While devices grown on these latter substrates benefit from lower dislocation density in the nitride semiconductor material, the cost of silicon is much lower.

2015年3月23日 TechOn!

東芝、パワー半導体や白色LEDの開発で新技術棟(新しいウインドウで開きます)

東芝は、パワー半導体、白色LEDなどのディスクリート半導体の開発効率向上を図るため、加賀東芝エレクトロニクス(以下、加賀東芝)に新しい技術棟を建設する。建設は2015年3月25日に開始し、同年9月に竣工予定である。

2015年3月23日 semiconductorTODAY

Flip-chip packaging and gallium nitride power transistors(新しいウインドウで開きます)

 Researchers in Taiwan have been studying the effects of flip-chip packaging on the performance of gallium nitride (GaN) high-electron-mobility transistors (HEMTs) [Szu-Ping Tsai et al, Appl. Phys. Express, vol8, p034101, 2015]. Packaging three devices in parallel, the team from National Chiao-Tung University and Yuan Ze University found increased output current and reduced on-resistance, along with greater temperature insensibility. The researchers comment: "Superior performance such as this makes flip-chip packaging a potential technology for high-power GaN electronic applications."……

2015年3月20日 TechOn!

ON SemiとTransphorm、ACアダプターなどに向けた600V耐圧のGaNパワートランジスタを発売(新しいウインドウで開きます)

 米ON Semiconductor社と米Transphorm社は、+600V耐圧のGaNパワートランジスタを発売した。両社は2014年9月に、GaNパワートランジスタの共同開発と共同販売に関する提携を発表しており、今回の製品発表はその成果の第一弾となる。ACアダプターや小型のスイッチング電源(AC-DCコンバーター)などに向ける。……

2015年3月18日 semiconductorTODAY

MACOM launches 650W GaN-on-SiC HEMT pulsed power transistor for 960-1215MHz avionics applications(新しいウインドウで開きます)

 M/A-COM Technology Solutions Inc of Lowell, MA, USA (which makes semiconductors, components and subassemblies for analog RF, microwave, millimeter-wave and photonic applications) has launched a 650W gallium nitride (GaN) on silicon carbide (SiC) HEMT pulsed power transistor for L-band pulsed avionics applications, available in standard flange (MAGX-000912-650L00) or earless flange (MAGX-000912-650L0S) packaging.……

2015年3月17日 semiconductorTODAY

Transphorm launches first 600V GaN transistor in TO-247 package(新しいウインドウで開きます)

 At the 30th IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC 2015) in Charlotte, NC, USA (15-19 March), Transphorm Inc of Goleta, near Santa Barbara, CA, USA (which designs and provides gallium nitride-based power conversion devices and modules) has announced that it is offering engineering samples of its TPH3205WS transistor, the first 600V gallium nitride (GaN) transistor in a TO-247 package, it is claimed.
 Offering 63mΩ R(on) and 34A ratings, the device uses the firm's Quiet Tab source-tab connection design, which reduces electromagnetic interference (EMI) at high dv/dt to enable low switching loss and high-speed operation in power supply and inverter applications. The new device extends Transphorm's EZ-GaN product portfolio to now support photovoltaic (PV) inverter designs with power levels ranging from a few 100W (micro-inverters) to several kW (residential central inverters).……

2015年3月16日 TechOn!

GaNパワー素子とドライバーを小型パッケージに封止(新しいウインドウで開きます)
TIが開発

 米Texas Instruments(TI)社は、GaNパワー素子2個と同素子用ドライバーを1パッケージに封止したMCM(マルチチップモジュール)「LMG5200」を開発し、サンプル出荷を開始した。パッケージはQFNで、大きさは8mm×6mmと小さい。最大入力電圧は80Vで、出力電流は定格10Aである。LMG5200を搭載した評価基板も提供する。LMG5200のサンプル価格は50米ドルで、評価基板は299米ドルである。通信機器や産業機器などに向ける。……            

2015年3月16日 semiconductorTODAY

Cree's SiC technology reduces solar power inverter size, weight and cost(新しいウインドウで開きます)

 Cree Inc of Durham, NC, USA, which manufactures silicon carbide (SiC)-based power products, says it has demonstrated that its SiC MOSFET and diode technologies enable what are claimed to be previously unattainable levels of power density in string solar inverter products, yielding ultra-high efficiencies (greater than 99.1% at peak) at one-fifth the average size and weight of existing silicon-based inverter units.
 Historically, efficiency, reliability and unit cost have been the three primary metrics that designers of string solar inverters have sought to optimize. However, in recent years size and weight have proven to significantly affect overall system cost, and have subsequently been added to a designer's list of essential design metrics, says Cree.……

2015年3月16日 semiconductorTODAY

GaN Systems' power semiconductors gain top-side cooling for simpler PCB design(新しいウインドウで開きます)

 GaN Systems Inc of Ottawa, Ontario, Canada, a fabless producer of gallium nitride (GaN)-based power switching transistors based on its proprietary Island Technology for power conversion and control applications, has announced new top-side cooling technology in its range of high-power enhancement-mode devices.
 Top-side cooling enables the use of conventional, well-understood PCB cooling techniques when incorporating the firm's devices into the latest designs for products such as inverters, uninterruptible power supplies (UPS), hybrid electric vehicles/electric vehicles (HEV/EV), high-voltage DC-DC conversion, and consumer products such as TVs. ……          

2015年3月13日 semiconductorTODAY

Transphorm and ON Semiconductor launch co-branded GaN power devices(新しいウインドウで開きます)

 At the 30th IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC 2015) in Charlotte, NC, USA (15-19 March), Transphorm Inc of Goleta, near Santa Barbara, CA, USA (which designs and provides gallium nitride-based power conversion devices and modules) - in partnership with ON Semiconductor - has announced the introduction of two co-branded 600V gallium nitride (GaN) cascode transistors and a 240W reference design that utilizes them. ……

2015年3月13日 TechOn!

日本のノーベル賞報道はおかしい、中村氏が6000人の前で異議(新しいウインドウで開きます)
第62回応用物理学会春季学術講演会から

2015年3月13日、青色LEDの発明で2014年のノーベル物理学賞を受賞した、名城大学の赤崎勇氏と名古屋大学の天野浩氏、UCSBの中村修二氏が「第62回応用物理学会春季学術講演会」で講演した。受賞者3氏が国内で講演するとあって、多くの来場者が詰め掛けた。学会関係者の発表によれば、会場にはおよそ3000人が集まり、ライブ配信を見ている人々も合わせると6000人以上が講演を視聴したという。
受賞者3氏の講演の中で大いに会場を沸かせたのが中村氏だ。同氏は冒頭で、今回のノーベル物理学賞受賞に関する日本での報道に、疑問を呈した。……

2015年3月12日 TechOn!

Fairchild、オン抵抗を削減した800V耐圧のパワーMOSFETを発売(新しいウインドウで開きます)

 米Fairchild Semiconductor社は、オン抵抗を削減した+800V耐圧のパワーMOSFETを発売した。同社の「SuperFET II MOSFET」ファミリーに含まれる製品で、パッケージとオン抵抗の違いで26製品を用意した。「+600V/650V品よりも高い耐圧が求められる電子機器向けであり、そうした機器の変換効率とコスト効率、信頼性を高められる」(同社)という。具体的な用途としては、LED照明器具や、薄型テレビ(LEDバックライト用電源)、ホームシアター向けオーディオ機器、ACアダプター、 サーバー、産業用電子機器、太陽光発電向けマイクロコンバーターなどを挙げている。……          

2015年3月12日 TechOn!

三菱電機、3.5GHz帯で出力100Wの基地局向けGaNトランジスタ(新しいウインドウで開きます)

 三菱電機は、第4世代(4G)移動通信のマクロセル基地局の電力増幅器に使う高周波デバイスの新製品として、出力電力が100Wと高いGaN HEMT「MGFS50G38FT1」を発売する。基地局の高出力化によるカバーエリア拡大に貢献するという。動作周波数は3.4G~3.8GHz。高出力モード時の出力電力は50dBm(100W)、線形利得が17dB、ドレイン効率は74%である。……           

2015年3月31日 EDN Japan

これだけは知っておきたいアナログ用語:
GaN(窒化ガリウム)(新しいウインドウで開きます)

GaN(窒化ガリウム)とは、次世代パワー・デバイス(パワー半導体)に用いられる半導体材料のこと。GaNパワー・デバイスを、既存のSi(ケイ素)パワー・デバイスの代わりにDC/DCコンバータやインバータなどの電源装置に搭載すれば、電力変換効率の向上や装置の小型化などを実現できる。SiC(シリコン・カーバイド)とともに、次世代パワー・デバイスを実現する材料として普及が期待されている。……       

2015年3月31日 CompoundSemiconductor

SiC and GaN power market to grow by factor of 17(新しいウインドウで開きます)

 The emerging market for SiC and GaN power semiconductors is forecast to grow by a factor of 17, during the next 10 years, energised by growing demand for power supplies, hybrid and electric vehicles, photovoltaic (PV) inverters and other established applications.
 Worldwide revenue from sales of SiC and GaN power semiconductors is projected to rise to $2.5 billion in 2023, up from just $150 million in 2013, according to ‘The World Market for SiC & GaN Power Semiconductors - 2014 Edition’ a new report from IHS Inc.  ……

2015年3月25日 日刊工業新聞

ローム、SiC・MOSFET特化 AC/DCコンバーター制御IC量産へ

ロームは産業機器向けに高耐圧で、交流から直流電圧に変換するAC/DCコンバーターを制御するIC「BD7682FJ―LB」を開発し、8月からサンプル出荷を始める。炭化ケイ素(SiC)による金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の制御、駆動に特化したもので、2016年春ごろまでに量産。同ICの投入で、SiC・MOSFETの電源での採用を加速したい考え。
同社では産業用に交流400ボルト前後の電圧を使う欧州など向けで、SiC・MOSFETの高耐圧という特性が生かせると判断した。……
2015年3月25日 TechOn!
ローム、SiCパワーMOSFETを使うAC/DCコンバーターに向けた電源制御ICを開発(新しいウインドウで開きます)

2015年3月25日 semiconductorTODAY

UK awards £17.3m for Cardiff University-based Compound Semiconductor Research Foundation(新しいウインドウで開きます)

 The UK Government's Universities Minister Greg Clark MP has unveiled a £17.3m funding award that will underpin the Compound Semiconductor Research Foundation - the first of its kind in the UK, with potential to become one of the leading clusters in Europe (joining four existing European semiconductor clusters), it is reckoned.
 Earmarked for the Cardiff University's Innovation Campus, the foundation aims to drive the testing and development of technology that lies behind global 'megatrends' including smart-phones and tablets, powering change across sectors including healthcare, biotechnology and mass communications.……            

2015年3月25日 semiconductorTODAY

Increasing GaN Schottky diode breakdown voltage with recessed double-field plate anode(新しいウインドウで開きます)

 Researchers at University of Notre Dame (UND) in the USA have claimed record high breakdown voltage for aluminium gallium nitride (AlGaN/GaN) lateral Schottky barrier diodes (SBDs) on silicon [Mingda Zhu et al, IEEE Electron Device Letters, published online 16 February 2015]. Two researchers from IQE LLC in the USA were also involved in the work.
 The team achieved a breakdown voltage (BV) of 1.93kV (Figure 1). The researchers comment that "this BV value is the highest among the reported GaN-on-silicon diodes" and that the devices are comparable in performance with "state-of-the-art GaN diodes on SiC, sapphire and bulk GaN substrates". While devices grown on these latter substrates benefit from lower dislocation density in the nitride semiconductor material, the cost of silicon is much lower.……

2015年3月23日 TechOn!

東芝、パワー半導体や白色LEDの開発で新技術棟(新しいウインドウで開きます)

東芝は、パワー半導体、白色LEDなどのディスクリート半導体の開発効率向上を図るため、加賀東芝エレクトロニクス(以下、加賀東芝)に新しい技術棟を建設する。建設は2015年3月25日に開始し、同年9月に竣工予定である。……

2015年3月23日 semiconductorTODAY

Flip-chip packaging and gallium nitride power transistors(新しいウインドウで開きます)

 Researchers in Taiwan have been studying the effects of flip-chip packaging on the performance of gallium nitride (GaN) high-electron-mobility transistors (HEMTs) [Szu-Ping Tsai et al, Appl. Phys. Express, vol8, p034101, 2015]. Packaging three devices in parallel, the team from National Chiao-Tung University and Yuan Ze University found increased output current and reduced on-resistance, along with greater temperature insensibility. The researchers comment: "Superior performance such as this makes flip-chip packaging a potential technology for high-power GaN electronic applications."……       

2015年3月20日 TechOn!

ON SemiとTransphorm、ACアダプターなどに向けた600V耐圧のGaNパワートランジスタを発売(新しいウインドウで開きます)

米ON Semiconductor社と米Transphorm社は、+600V耐圧のGaNパワートランジスタを発売した。両社は2014年9月に、GaNパワートランジスタの共同開発と共同販売に関する提携を発表しており、今回の製品発表はその成果の第一弾となる。ACアダプターや小型のスイッチング電源(AC-DCコンバーター)などに向ける。……        

2015年3月18日 semiconductorTODAY

MACOM launches 650W GaN-on-SiC HEMT pulsed power transistor for 960-1215MHz avionics applications(新しいウインドウで開きます)

 M/A-COM Technology Solutions Inc of Lowell, MA, USA (which makes semiconductors, components and subassemblies for analog RF, microwave, millimeter-wave and photonic applications) has launched a 650W gallium nitride (GaN) on silicon carbide (SiC) HEMT pulsed power transistor for L-band pulsed avionics applications, available in standard flange (MAGX-000912-650L00) or earless flange (MAGX-000912-650L0S) packaging.……

2015年3月17日 semiconductorTODAY

Transphorm launches first 600V GaN transistor in TO-247 package(新しいウインドウで開きます)

 At the 30th IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC 2015) in Charlotte, NC, USA (15-19 March), Transphorm Inc of Goleta, near Santa Barbara, CA, USA (which designs and provides gallium nitride-based power conversion devices and modules) has announced that it is offering engineering samples of its TPH3205WS transistor, the first 600V gallium nitride (GaN) transistor in a TO-247 package, it is claimed.
 Offering 63mΩ R(on) and 34A ratings, the device uses the firm's Quiet Tab source-tab connection design, which reduces electromagnetic interference (EMI) at high dv/dt to enable low switching loss and high-speed operation in power supply and inverter applications. The new device extends Transphorm's EZ-GaN product portfolio to now support photovoltaic (PV) inverter designs with power levels ranging from a few 100W (micro-inverters) to several kW (residential central inverters).……         

2015年3月16日 TechOn!

GaNパワー素子とドライバーを小型パッケージに封止(新しいウインドウで開きます)
TIが開発

 米Texas Instruments(TI)社は、GaNパワー素子2個と同素子用ドライバーを1パッケージに封止したMCM(マルチチップモジュール)「LMG5200」を開発し、サンプル出荷を開始した。パッケージはQFNで、大きさは8mm×6mmと小さい。最大入力電圧は80Vで、出力電流は定格10Aである。LMG5200を搭載した評価基板も提供する。LMG5200のサンプル価格は50米ドルで、評価基板は299米ドルである。通信機器や産業機器などに向ける。……

2015年3月16日 semiconductorTODAY

Cree's SiC technology reduces solar power inverter size, weight and cost(新しいウインドウで開きます)

 Cree Inc of Durham, NC, USA, which manufactures silicon carbide (SiC)-based power products, says it has demonstrated that its SiC MOSFET and diode technologies enable what are claimed to be previously unattainable levels of power density in string solar inverter products, yielding ultra-high efficiencies (greater than 99.1% at peak) at one-fifth the average size and weight of existing silicon-based inverter units.
 Historically, efficiency, reliability and unit cost have been the three primary metrics that designers of string solar inverters have sought to optimize. However, in recent years size and weight have proven to significantly affect overall system cost, and have subsequently been added to a designer's list of essential design metrics, says Cree.……

2015年3月16日 semiconductorTODAY

GaN Systems' power semiconductors gain top-side cooling for simpler PCB design(新しいウインドウで開きます)

 GaN Systems Inc of Ottawa, Ontario, Canada, a fabless producer of gallium nitride (GaN)-based power switching transistors based on its proprietary Island Technology for power conversion and control applications, has announced new top-side cooling technology in its range of high-power enhancement-mode devices.
 Top-side cooling enables the use of conventional, well-understood PCB cooling techniques when incorporating the firm's devices into the latest designs for products such as inverters, uninterruptible power supplies (UPS), hybrid electric vehicles/electric vehicles (HEV/EV), high-voltage DC-DC conversion, and consumer products such as TVs. ……

2015年3月13日 semiconductorTODAY

Transphorm and ON Semiconductor launch co-branded GaN power devices(新しいウインドウで開きます)

 At the 30th IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC 2015) in Charlotte, NC, USA (15-19 March), Transphorm Inc of Goleta, near Santa Barbara, CA, USA (which designs and provides gallium nitride-based power conversion devices and modules) - in partnership with ON Semiconductor - has announced the introduction of two co-branded 600V gallium nitride (GaN) cascode transistors and a 240W reference design that utilizes them. ……

2015年3月13日 TechOn!

日本のノーベル賞報道はおかしい、中村氏が6000人の前で異議(新しいウインドウで開きます)
第62回応用物理学会春季学術講演会から

2015年3月13日、青色LEDの発明で2014年のノーベル物理学賞を受賞した、名城大学の赤崎勇氏と名古屋大学の天野浩氏、UCSBの中村修二氏が「第62回応用物理学会春季学術講演会」で講演した。受賞者3氏が国内で講演するとあって、多くの来場者が詰め掛けた。学会関係者の発表によれば、会場にはおよそ3000人が集まり、ライブ配信を見ている人々も合わせると6000人以上が講演を視聴したという。
受賞者3氏の講演の中で大いに会場を沸かせたのが中村氏だ。同氏は冒頭で、今回のノーベル物理学賞受賞に関する日本での報道に、疑問を呈した。……

2015年3月12日 TechOn!

Fairchild、オン抵抗を削減した800V耐圧のパワーMOSFETを発売(新しいウインドウで開きます)

米Fairchild Semiconductor社は、オン抵抗を削減した+800V耐圧のパワーMOSFETを発売した。同社の「SuperFET II MOSFET」ファミリーに含まれる製品で、パッケージとオン抵抗の違いで26製品を用意した。「+600V/650V品よりも高い耐圧が求められる電子機器向けであり、そうした機器の変換効率とコスト効率、信頼性を高められる」(同社)という。具体的な用途としては、LED照明器具や、薄型テレビ(LEDバックライト用電源)、ホームシアター向けオーディオ機器、ACアダプター、 サーバー、産業用電子機器、太陽光発電向けマイクロコンバーターなどを挙げている。……      

2015年3月12日 TechOn!

三菱電機、3.5GHz帯で出力100Wの基地局向けGaNトランジスタ(新しいウインドウで開きます)

 三菱電機は、第4世代(4G)移動通信のマクロセル基地局の電力増幅器に使う高周波デバイスの新製品として、出力電力が100Wと高いGaN HEMT「MGFS50G38FT1」を発売する。基地局の高出力化によるカバーエリア拡大に貢献するという。動作周波数は3.4G~3.8GHz。高出力モード時の出力電力は50dBm(100W)、線形利得が17dB、ドレイン効率は74%である。……

2015年3月10日 EE Times Japan

パナソニックとインフィニオン、GaNパワー半導体で協業(新しいウインドウで開きます)

パナソニックとインフィニオン テクノロジーズ(Infineon Technologies)は2015年3月10日、両社でGaN(窒化ガリウム)パワーデバイスを開発することで合意したと発表した。パナソニックのノーマリオフ(エンハンスメントモード)GaNパワーデバイスを、インフィニオンの表面実装(SMD)パッケージと組み合わせる。またパナソニックはインフィニオンへノーマリオフGaNトランジスタ構造のライセンスを提供する。
今回の協業により、両社それぞれが高性能なGaNデバイスを製造できるようになる他、「これまで他のGaN on Siliconデバイスでは実現できていなかった、パッケージ互換のGaNパワースイッチを2社から調達することが可能になる」(両社)と主張する。……
2015年3月10日 TechOn!
InfineonとパナがGaNパワーデバイスでタッグ(新しいウインドウで開きます)
まずは耐圧600V、オン抵抗70mΩ品を開発
2015年3月10日 semiconductorTODAY
Infineon and Panasonic to establish dual sourcing for normally-off 600V GaN power devices(新しいウインドウで開きます)

2015年3月10日 CompoundSemiconductor

GeneSiC offers high temperature SiC Transistors and Rectifiers in TO-46(新しいウインドウで開きます)

 GeneSiC Semiconductor, a SiC power semiconductor specialist, has announced the availability of a line of compact, high temperature SiC junction transistors as well as a line of rectifiers in TO-46 metal can packages.
 These discrete components are designed and manufactured to operate under ambient temperatures of greater than 225degC. The use of high temperature, high voltage and low on-resistance capable SiC transistors and rectifiers will reduce the size/weight/volume of electronics applications requiring higher power handling at elevated temperatures, says the company. ……

2015年3月10日 semiconductorTODAY

Patent for off-axis SiC substrate process to reduce epi defects(新しいウインドウで開きます)

 Jim Edgar, a professor of chemical engineering at Kansas State University, together with researchers at the State University of New York at Stony Brook and the UK's University of Bristol, have been assigned a US patent (number 8,823,014, 'Off-axis silicon carbide substrates') for research that may help to improve electronic devices and could benefit the power electronics industry and manufacturers of semiconductor devices, it is reckoned.
 Several years ago, when Yi Zhang, a 2011 doctoral graduate in chemical engineering, was working in the laboratory, she found a substrate sample that was very smooth. The research has subsequently developed a better method for fabricating substrates that minimizes potential defects in epitaxial layers. ……

2015年3月9日 semiconductorTODAY

GaN Systems signs Websolus as distributor in South Korea and China(新しいウインドウで開きます)

 GaN Systems Inc of Ottawa, Ontario, Canada, a fabless producer of gallium nitride (GaN)-based power switching transistors based on its proprietary Island Technology for power conversion and control applications, has signed a distribution deal with Seoul-based global group Websolus.
 Listed on the Korea New Exchange (KONEX), with 13 Branch Offices in Korea, China, & Thailand, Websolus specializes in three major business sectors: IT consulting & systems integration for power grid; water & energy systems solutions for global infrastructure; and procurement & distribution for electronic components. ……         

2015年3月9日 semiconductorTODAY

Cree exhibiting and presenting SiC-based technology at APEC(新しいウインドウで開きます)

 Cree Inc of Durham, NC, USA, which manufactures silicon carbide (SiC)-based power products - including SiC MOSFETs, Schottky diodes, and modules - is exhibiting and speaking at the 30th IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC 2015) in Charlotte, NC (15-19 March), which focuses on the practical and applied aspects of the power electronics business.
 Exhibiting in booth #1417, Cree will have several onsite demonstrations designed to illustrate the broad range of power levels (60W) that SiC can support. Demos include a SiC-based LED power supply (<500W); a ZVS resonant converter targeted for telecom applications (1-10kW); a 25kW boost converter for solar applications that features a compact, new 31mm Cree module (10-25kW); and a power stack that demonstrates how Cree's 1.2kV, 300A SiC modules can revitalize older IGBT-module-based systems (100kW-1MW). ……

2015年3月9日 semiconductorTODAY

IR presenting power management solutions at APEC(新しいウインドウで開きます)

 At the 30th IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC 2015) in Charlotte, NC, USA (15-19 March), International Rectifier Corp (IR) of El Segundo, CA, USA (now part of Technologies AG of Munich, Germany) will showcase its latest power management solutions.
 IR engineering and sales staff will demonstrate the firm's latest energy-saving and high-power-density enabling technologies and products in booth 705.……           

2015年3月6日 semiconductorTODAY

Raytheon recognized by Aviation Week for GaN technology innovation(新しいウインドウで開きます)

 Raytheon Company of Waltham, MA, USA has been named a 2015 Laureate Award winner by Aviation Week for innovation in introducing gallium nitride (GaN)-based technology to military radar systems. Advancing the capability of radars and other types of sensors, GaN radio frequency (RF) amplifiers are more than five times more powerful than semiconductors currently used. For military systems, GaN delivers higher performance as well as significant cost benefit.……          

2015年3月5日 semiconductorTODAY

Skysilicon releases China's first GaN power transistor on 8-inch substrate(新しいウインドウで開きます)

 Skysilicon Co Ltd of Chong Qing City, China (which makes discrete power devices and power ICs, MEMS sensors and compound semiconductor devices) has released what is reckoned to be China's first gallium nitride (GaN) power device manufactured on an 8-inch substrate, specifically a GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistor (MISHEMT) fabricated on an 8-inch GaN-on-silicon wafer.
 The firm says that, due to its performance, the N1BH60010A device can be used widely in power electronics systems, e.g. power factor correction (PFC), DC/DC converters, DC/AC inverters etc, in consumer, automotive and industrial markets. ……

2015年3月4日 TechOn!

小型SiCパワーモジュールをパナと三社電機が共同開発(新しいウインドウで開きます)
耐圧1200V品で94mm×29.8mm×14mmと小さい

パナソニックと三社電機製作所(以下、三社電機)は、耐圧1200V品として業界最小をうたうSiCパワーモジュールを開発した。外形寸法は94mm×29.8mm×14mmで、定格電流は150A、オン抵抗は6mΩである(いずれも暫定仕様)。パナソニックがSiCパワー素子を提供し、モジュール化には三社電機の技術を利用した。大規模太陽光発電で用いるパワーコンディショナーや、鉄道車両を駆動するインバーターなどに向ける。……
なお、今回の開発品は、2015年3月15~19日に米国シャーロット市で開催されるパワーエレクトロニクスのイベント「The Applied Power Electronics Conference and Exposition 2015」に出展する予定である。
2015年3月5日 日刊工業新聞
パナソニックと三社電機、実装面積30%低減したSiCパワーモジュール開発            

2015年3月4日 semiconductorTODAY

ROHM's SiC MOSFETs used in ultra-high-voltage pulse generators(新しいウインドウで開きます)

 ROHM of Kyoto, Japan says that its SCT2080KE silicon carbide (SiC) MOSFET has been adopted in the new SiC-Pulser Series of ultra-high-voltage pulse generators launched by Japan's Fukushima SiC Applied Engineering Inc.……
 SiC switching elements combine high breakdown voltage with very low on-resistance and high-speed switching performance. ROHM says that, by adopting its SiC devices in the switch module, pulse generators can be made considerably smaller and provide a level of performance that cannot be achieved with conventional systems.……            

2015年3月3日 semiconductorTODAY

Raytheon UK delivering SiC components for use in current-limiting diode project(新しいウインドウで開きます)

 Raytheon UK's semiconductor business unit in Glenrothes, Scotland, UK is partnering on a project that would provide aircraft electronics and wiring with a more efficient device to protect against lightning strikes, which can damage sensitive equipment.……

2015年3月3日 semiconductorTODAY

Power semiconductor device market grew in 2014 after two years of stagnation(新しいウインドウで開きます)

 After two tough years of stagnation, in 2014 the power semiconductor device market returned to growth, rising by 8.4% to $11.5bn, according to the report 'Status of the Power Electronics Industry (February 2015 edition)' from Yole Developpement, which presents data for applications such as photovoltaics (PV), wind turbines, transmission and distribution, EV/HEV, rail traction, uninterruptible power supplies (UPS) and motor drives, as well as from different value chain levels spanning wafers, devices, and inverters.
 The outlook for the years ahead is also optimistic, says the market research firm. Driven by a significant increase in electric and hybrid-electric vehicle (EV/HEV) sales, as well as the ramp-up of renewable energy and more smart-grid technology implementation, the market will rise at a compound annual growth rate (CAGR) of 6.9% from 2014 to more than $17bn in 2020. ……

2015年3月3日 semiconductorTODAY

Taiwan's Episil manufactures SiC-based high-power management devices using Aixtron CVD system(新しいウインドウで開きます)

 Deposition equipment maker Aixtron SE of Aachen, Germany says that Taiwanese group Episil Semiconductor Wafer Inc has put into operation an AIX G5 WW (Warm-Wall) chemical vapor deposition (CVD) reactor for silicon carbide (SiC) epitaxy.
 "We chose the Aixtron Planetary Reactor system because we have been impressed by the excellent material quality produced on Aixtron SiC systems," comments Episil's president Dr Ian Chan. "Episil is already a leading producer of silicon-based epitaxy for power management devices and power management integrated circuits," he adds. "We also have experience with Aixtron's MOCVD technology for producing gallium nitride on silicon components (GaN-on-Si) and now plan to expand our portfolio into SiC-based devices."……         

2015年3月2日 TechOn!

GaNパワー素子採用のLED電球、電源回路面積を40%に小型化(新しいウインドウで開きます)
東芝ライテックが製品化、2015年3月6日に発売

東芝ライテックは、電源回路にGaNパワー素子を適用した、ハロゲン電球形のLED電球を開発した。2015年3月6日に発売する。GaNパワー素子の採用により、従来のSiパワー素子を利用した場合に比べて約10倍に相当する700kHzの周波数で動作可能になった。これにより、電源主回路部分の面積を、同社従来品に比べて約40%に小型化した。……

2015年2月23日  CompoundSemiconductor

Rohm reveals expanding Line of SiC power devices(新しいウインドウで開きます)

 In a recent blog, Rohm has revealed that it is producing an expanding range of SiC semiconductors including Schottky diodes, MOSFETS and power modules, with various next generation products in development.
 Rohm became the first Japanese manufacturer to mass-produce SiC Schottky diodes in 2010. Currently, second generation development is underway, according to the company, with the aim of reducing forward voltage by 0.15V compared to older 1st generation products while maintaining extremely short reverse recovery times.……                                                                                  

2015年2月19日 EE Times Japan

三菱電機 研究開発成果披露会:
足かけ20年、SiCパワーデバイス開発のこれまでとこれから(新しいウインドウで開きます)

開発初期の試作チップ公開
三菱電機は、SiC(炭化ケイ素)ベースのパワー半導体チップ開発と、それを応用したパワーモジュールおよび製品開発に注力している。SiCパワー半導体の技術革新と実用化で低炭素社会の実現に貢献していく方針だ。
SiCをベースとするトランジスタやダイオードは、材料の特性から、シリコンベースの一般的な半導体チップに比べて、高耐圧で電力損失を大幅に低減させることができるとともに、高速スイッチング動作が可能、高温動作が可能、放熱特性に優れる、といった特長がある。三菱電機は、20年も前から次世代技術としてSiCパワー半導体の開発を行ってきた。2015年2月に開催された研究開発成果披露会では、SiCパワー半導体およびモジュールなどを開発してきた歴史と今後の展望などを紹介した。……                                                                                    

2015年2月19日 semiconductorTODAY

German project to study use of high-frequency SiC power semiconductor switches in industrial applications(新しいウインドウで開きます)

 Under the project 'Modular Medium-frequency Process Power Supply with Silicon Carbide Power Semiconductor Switches' (MMPSiC), researchers in Germany at the Light Technology Institute (LTI) of Karlsruhe Institute of Technology (KIT), in cooperation with industrial partners TRUMPF Huettinger GmbH of Freiburg (which makes process power supplies) and Lampertheim-based power semiconductor module maker IXYS Semiconductor GmbH, is studying the feasibility of using high-power silicon carbide switches in power supplies. The aim of the project is to significantly enhance the efficiency of power supplies for industrial processes and hence to reduce energy consumption and CO2 emission.
 The three-year project (which started in 2014) has about Euro 800,000 funding from the German Federal Ministry of Research (BMBF) under the programs 'Information and Communication Technology 2020' (IKT 2020) and 'Power Electronics for Increasing Energy Efficiency' (LES 2). The LTI is receiving Euro 439,000. Total project funding amounts to Euro 1.3m.……

2015年2月18日 EE Times Japan

三菱電機、売上高5兆円に向けた成長戦略の要を披露(新しいウインドウで開きます)

三菱電機は、研究開発成果披露会で17件の研究成果を紹介した。「企業の成長をけん引する事業のさらなる強化」に向けて、短期的な技術案件から長期的な研究案件まで、幅広いテーマで研究開発に取り組んでいる。
三菱電機は2015年2月17日、研究開発成果披露会を開催した。「企業の成長をけん引する事業のさらなる強化」に向けて、短期的な技術案件から長期的な研究案件まで、幅広いテーマで研究開発に取り組んでいる。その中から今回の成果披露会では17件の研究成果を紹介した。……
2015年2月18日 日経産業新聞
三菱電機の先端技術総合研究所 炭化ケイ素、製品化進む

2015年2月18日 日刊工業新聞

パワー半導体『新たな地平』(5)ルネサスエレクトロニクス 製品拡充、提携戦略カギ

自動車向けマイコンで世界首位のルネサスエレクトロニクス。マイコンの陰に隠れ目立たない存在ながら、パワー半導体も重点分野として強化している。ルネサスは半導体だけでなく周辺部品や関連ソフトを含めて提案する「ソリューション」展開を経営再建の柱に位置づけている。パワー半導体もソリューションの重要“部品”の一つだ。……
「まだコストが高いので実用化の計画はない」(奈良事業部長)。SiC(炭化ケイ素)パワー半導体については、研究開発には取り組んでいるものの慎重な姿勢だ。「ソリューション戦略に沿った形で、SiCパワー半導体のメリットが出てくるかどうかを注視していく」(同)と商機を探っている。……

2015年2月17日 日本経済新聞

窒化ガリウムで大型結晶 阪大 高品質、15センチ大めざす

大阪大学の森勇介教授らは、青色発光や高電圧の制御に有望な半導体「窒化ガリウム」で、高い品質で大型の結晶を作る技術を開発した。窒化ガリウムは結晶を作るのが難しく、応用に向けた大きな課題になっている。2016年中に口径6インチ(約15センチ)大の結晶を試作し、実用的な素子作りに役立てる。
森教授らは、窒化ガリウムの微細な結晶が規則正しく並んだ基板を、液体状の原料の入った容器内に浸して結晶を成長させた。成長した結晶同士がつながって大きくなり、取り出すときに基板から自然にはがれる。結晶に反りやひびが入らず、品質の目安となる内部の小さな欠陥を従来の作製法に比べて1万分の1に減らせたという。……

2015年2月16日 日刊工業新聞

三菱電機、小型パワー半導体モジュールをサンプル提供 実装面積36%小型化

三菱電機は電気自動車(EV)やハイブリッド車(HV)用モーターのインバーター駆動に用いるパワー半導体モジュール(複合部品)で、小型サイズの新製品を開発し19日にサンプル提供を始める。独自構造の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)と、高放熱絶縁シートの採用により、同社の従来製品と比べ実装面積は約36%小型化、重量は約42%減らした。サンプル価格は1万5000円(消費税抜き)。仕様は定格電圧650ボルト、定格電流300アンぺア。……

2015年2月16日 TechOn!

NEDO、次世代材料とものづくりの未来像を議論(新しいウインドウで開きます)

新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は2015年2月13日、新材料によるイノベーション実現について議論するパネルディスカッション「材料・ナノテク技術とものづくりの未来研究開発」を実施した。
東京大学大学院 教授の染谷隆夫氏と千歳科学技術大学 教授の下村政嗣氏、トヨタ自動車 パワーエレクトロニクス開発部 主幹の戸田敬二氏の3人が登壇し、司会はNEDO電子・材料・ナノテクノロジー部 部長の岡田武氏が務めた。同パネルディスカッションは、NEDOが2月12~13日まで東京都千代田区で開催したNEDO FORUMの一環として開催されたものである。……
トヨタ自動車の戸田主幹は、2009年8月から2013年度までNEDOが実施したプロジェクト「次世代パワーエレクトロニクス技術開発」において研究開発を進めたSiC(炭化ケイ素)パワー半導体デバイスについて解説した。……

2015年2月13日 TechOn!

Avago、SiC/GaNパワーデバイスなどのゲート駆動に向けたフォトカプラーを発売(新しいウインドウで開きます)

米Avago Technologies社は、SiC(炭化シリコン)やGaN(窒化ガリウム)で製造したパワー半導体デバイスなどのゲート駆動に向けたフォトカプラーを4製品発売した。最大の特徴は、伝搬遅延時間が100ns(最大値)と短いことだ。このため高速動作が特徴のSiC/GaNパワー半導体デバイスの駆動に向く。このほか、IGBTの駆動にも使えるという。発売した4製品の違いは、最大ピーク出力電流にある。「ACPL-P349」と「ACPL-W349」は2.5A。「ACPL-P347」と「ACPL-W347」は1.0Aである。主な用途としては、電力用インバーター装置、モーター駆動機器、スイッチング電源などを挙げている。……

2015年2月12日 TechOn!

「紫外発光素子とパワー素子で革新をもたらす」、名大・天野氏が講演(新しいウインドウで開きます)
NEDO成果報告会から

ノーベル物理学賞を受賞した名古屋大学の天野浩氏が現在注力する研究分野は、紫外LEDや紫外半導体レーザーといった紫外発光素子と、パワー素子である。両分野が「新たなイノベーションを起こす」とし、天野氏が2015年2月12日から都内で開催中のNEDO成果報告会「NEDO FORUM」で講演した。……
パワー素子に取り組むのは、インバーターといった電力変換器の損失を大幅に削減できるからだ。天野氏によれば、現行のSiパワー素子からGaNパワー素子に置き換えると、電力損失を1/6以下にできるという。
天野氏が取り組むのは、GaN基板上にGaN系半導体を設ける「GaN on GaN(ガンオンガン)」のパワー素子だ。GaNパワー素子製品は現在、Si基板上に作られている。GaN基板を用いることで、耐圧を高めやすくなる。例えば自動車での応用の場合、300V系の応用にはSi基板品を、650V系の応用にGaN基板品を適用する、という使い分けを想定する。……

2015年2月12日 半導体産業新聞

躍進するローム
SiCは20年ごろ自動車に採用本格化。GaNは高速動作分野を狙う
研究開発本部統括部長パワーエレクトロニクス研究開発部部長中村孝氏に聞く

ローム(株)(京都市右京区西院溝崎町21)が近年注力している分野にパワーデバイスがある。2010年に国内で初めてSiCショットキーバリアダイオード(SBD)を量産化するなど先進的な取り組みで知られるが、シリコン(Si)パワーデバイスにおいてもラインアップを拡充し事業拡大を図っている。研究開発本部統括部長でパワーエレクトロニクス研究開発部部長の中村孝氏に聞いた。
―― パワーデバイス事業の概要と製品ラインアップについて。
中村 当社は従来小電流分野でディスクリート半導体を展開し、小信号トランジスタ、ダイオードで高シェアを持つ。自動車や産業機器分野への参入を強化するため2000年代後半にSiスーパージャンクション(SJ)MOSFETを量産化し、本格参入した。製品ラインアップは、Siデバイスが耐圧200~800Vのファストリカバリーダイオード(FRD)、同500~800VのSJ-MOSFET、同430~650VのIGBTがある。……

2015年2月10日 EE Times Japan

耐圧1200VのSiCパワーMOSFET、STマイクロが量産開始(新しいウインドウで開きます)

STマイクロエレクトロニクスは2015年2月、耐圧1200VのSiC(炭化ケイ素)パワーMOSFET「SCT20N120」を発表した。すでに量産を開始しており、EV/HEV用インバータや太陽光/風力発電システム、スマートグリッド機器などの用途に向ける。……

2015年2月10日 semiconductorTODAY

Delta involved in $3m DOE EERE grant to develop GaN-based on-board charger for plug-in electric vehicles(新しいウインドウで開きます)

 Delta Products Corporation (DPC) of Fremont, CA, USA (part of Taiwan-based power and thermal management solutions provider Delta Group) says that it is participating in a US Department of Energy (DOE) Office of Energy Efficiency and Renewable Energy (EERE) $3m award for the development of a high-efficiency, high-density, 6.6kW bi-directional on-board charger for plug-in electric vehicles (PEVs). The on-board charger will use novel designs based on gallium nitride (GaN) power switches that target energy efficiency better than 95% and reduce volume and mass by 30-50% compared with existing technology. ……

2015年2月10日 semiconductorTODAY

Strategy a key differentiator as more efficient GaN & SiC power electronics enter market(新しいウインドウで開きます)

 Power electronics based on gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC) have the potential to significantly improve efficiency. However, since these materials are higher cost, companies need market-specific strategies in order to succeed as these new wide-bandgap (WBG) materials claim market share from silicon-based semiconductors, says Lux Research in its report 'Strategic Playbook for Power Electronics: Lessons from the IC Sector Evolution' (part of the Lux Research Energy Electronics Intelligence service).
 Car makers would succeed by playing the role of an 'integrator' by vertically integrating upstream in the value chain to power modules, while a GaN or SiC developer would do well to pursue a strategy as 'technology disruptor' offering core technology expertise to solar inverter makers and incumbent system integrators like ABB, reckons Lux Research.……

2015年2月9日 TechOn!

発電が電力消費を上回る住宅が増加、光熱費はプラス11万円に(新しいウインドウで開きます)
積水化学の2014年ZEH調査

積水化学工業は、太陽電池とHEMSを搭載したオール電化住宅の2014年1~12月の電力量収支実邸調査を実施した。その結果、消費電力量よりも発電電力量が多くなる「ZEH(zero energy house)」に該当する住宅が、2013年の13%よりも4ポイント多い17%になった。同社は2020年にZEHを標準化する目標を掲げている。……

2015年2月6日 EE Times Japan

シリコンの時代は「人類滅亡の日」まで続く(後編)(新しいウインドウで開きます)

「ポストシリコン」の研究は、「半導体デバイスの性能を向上させるべく、非シリコン材料を使う研究」とも捉えることができる。SiC、GaNは、パワー半導体と発光デバイスでは既に採用が進んでいて、SiGeもCMOSロジック回路に導入されている。……
前編(新しいウインドウで開きます)

2015年2月5日 TechOn!

STMicro、1200V耐圧でオン抵抗が215mΩのSiCパワーMOSFETを発売(新しいウインドウで開きます)

伊仏合弁STMicroelectronics社は、+1200V耐圧のSiC(炭化シリコン)パワーMOSFETの品ぞろえを強化した。今回製品化したのは、ゲート-ソース間電圧が+20Vのときのオン抵抗が215mΩ(標準値)と低い「SCT20N120」だ。同じ条件でのオン抵抗の最大値は290mΩである。電気自動車(EV)やハイブリッド車(HEV)、太陽光発電システム用インバーター装置、風力発電機、モーター駆動機器、高電圧のDC-DCコンバーター、スイッチング電源などに向ける。……
2015年2月4日 semiconductorTODAY
ST extends silicon carbide portfolio with 215mΩ 1200V MOSFET(新しいウインドウで開きます)

2015年2月5日 semiconductorTODAY

Transphorm customer Yaskawa starts mass production of PV inverter(新しいウインドウで開きます)

 Transphorm Inc of Goleta, near Santa Barbara, CA, USA, which designs and provides gallium nitride (GaN)-based power conversion devices and modules, says that Japan's Yaskawa Electric Corp is launching mass production of what it claims is the smallest power conditioner in its class - and the first to use a GaN power module. Based on Transphorm's EZ-GaN IP-protected platform, Yaskawa's Enewell-SOL V1 series 4.5kW indoor PV inverter will be distributed in Japan, with a targeted annual production of 34,000 systems.……

2015年2月4日 日刊工業新聞

パワー半導体「新たな地平」 (4)富士電機 SiC次世代製品カギ

富士電機のパワー半導体事業が成長軌道に入った。2013年3月期に755億円だった売上高は、15年3月期には約26%増の950億円超に伸びる見通し。高耐久・大電流対応の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を主力に、特に産業機器市場での拡販に成功した。一段の成長に向けては、海外市場の取り込みと、ウエハーに炭化ケイ素(SiC)を採用する次世代製品の展開がカギとなる。……

2015年2月4日 semiconductorTODAY

Sumitomo Chemical buys Hitachi Metals' compound semiconductor materials business(新しいウインドウで開きます)

 Sumitomo Chemical Co Ltd of Tokyo, Japan has agreed to acquire the compound semiconductor materials business of Tokyo-based Hitachi Cable Ltd, effective from 1 April. The business includes compound semiconductor materials such as gallium arsenide (GaAs) epiwafers as well as gallium nitride (GaN) substrates and epiwafers (in which Hitachi Metals is considered to be a forerunner).
 Sumitomo Chemical says that the acquisition will allow it to expand its GaN substrate and epiwafer business for use in electronic and optical components, for which the market is taking off, while at the same time devoting effort to early commercialization of the products for use in power devices. In addition, it is reckoned that the fusion of Hitachi Metals' resources and mass-production technology with Sumitomo Chemical's technical expertise will accelerate commercialization of firm's next generation of GaN epiwafers that are currently under development. ……

2015年2月3日 TechOn!

ノーベル物理学賞受賞者3氏が応物で講演(新しいウインドウで開きます)
最大500名が無償で聴講可能

青色LEDの発明で2014年のノーベル物理学賞を受賞した、名城大学の赤崎勇氏と名古屋大学の天野浩氏、UCSBの中村修二氏が、2015年3月に開催される「第62回応用物理学会春季学術講演会」で講演する(紹介ページ(新しいウインドウで開きます))。3月13日午後に東海大学 湘南キャンパスで実施される。……

2015年2月2日 日経産業新聞

ダイヤでパワー半導体、早大、EVや電車向け、セ氏400度で1600ボルトに耐える(テクノフロンティア20XX)

早稲田大学の川原田洋教授らは人工合成したダイヤモンドを使い、高い温度と電圧でも使用できるパワー半導体を開発した。セ氏400度でも1600ボルトの高い電圧に耐えられる。従来のシリコン製は同200度以下でしか使えず、回路の破損や暴走を防ぐための冷却装置が必要だった。まだ基礎的な段階だが、炭化ケイ素や窒化ガリウムといったライバルの材料をしのぐ可能性を秘める。2020年ごろの実用的な素子の開発が視野に入ってきた。……

2015年2月2日 日経産業新聞

ケーヒン、HV半導体部品を内製化、電力制御装置、生産6倍以上に、宮城の工場に専用設備

ホンダ系部品メーカーのケーヒンは今春、ハイブリッド車(HV)用部品の内製を始める。電池からモーターに送られる電流や電圧を制御するパワーコントロールユニット(PCU)内の半導体複合部品を自社で製造する。宮城県内の工場に専用設備を導入。環境規制を背景にHV需要は増えるとみて、自社で製造技術を確立し、PCUを主力商品に育てる考えだ。
PCUは電池に蓄えられた電力をモーター向けに調節する装置。ケーヒンはPCUの中核部品である電力を調節するための半導体複合部品を内製する。これまではPCUの頭脳にあたるモーターECU(電子制御ユニット)のみを製造し、他の部品はホンダから支給を受け、PCUを組み立てていた。……

2015年1月30日 MONOist

フルSiCのPCUを「カムリ」に載せて実証実験、新型燃料電池バスにも搭載していた(新しいウインドウで開きます)

トヨタ自動車は、次世代パワー半導体であるSiC(シリコンカーバイド)デバイスを採用したパワーコントロールユニット(PCU)を搭載するハイブリッド車「カムリ」の試作車を開発。2015年2月から約1年間公道での実証試験を行う。また、同年1月から豊田市で運行している新型燃料電池バスにも、SiCデバイスを採用していることを明らかにした。……
2015年1月30日 日刊工業新聞
トヨタ、SiCパワー半導体搭載車両を開発 2月から公道で走行試験開始

2015年1月29日 TechOn!

トヨタのクルマにフルSiC、MOSFETはトレンチ型(新しいウインドウで開きます)

トヨタ自動車がSiCパワー素子の採用に向けて大きな一歩を踏み出した。モーターを駆動するパワーコントロールユニット(PCU)にSiCパワー素子を採用した試作車で、2015年2月から公道で走行試験を開始する。同社は2014年5月に、SiCパワー素子を使った試作車で公道実験を2015年5月までに始める計画を明らかにしていた。今回は、その計画を実行に移したかたちだ。これまでハイブリッド車や電気自動車といった電動車両の車載充電器に一部、SiCパワー素子が採用されてきた。今後は、車体を動かす駆動システムにまでSiCが広がりそうだ。……
2015年1月29日 TechOn!
SiCパワー半導体を搭載したHEV、トヨタが2月に公道実験を開始(新しいウインドウで開きます)

2015年1月29日 TOYOTA Global Newsroom

トヨタ自動車、新素材SiCパワー半導体搭載車両の公道走行を開始(新しいウインドウで開きます)

トヨタ自動車(株)(以下、トヨタ)は、SiCパワー半導体*1の実用化に向けた取り組みの一環として、ハイブリッド車(以下、HV)などのモーター駆動力を制御するパワーコントロールユニット(以下、PCU)に新素材SiCパワー半導体を搭載したカムリ(HV)の試作車を開発し、2015年2月初めより約1年間、豊田市を中心に公道での走行試験を行う。……
さらに、2015年1月9日から、豊田市内の路線バス(とよたおいでんバス「豊田東環状線」)として営業運行している燃料電池バス(FCバス)においても、FCスタックの電圧を制御するFC昇圧コンバーターにSiCダイオードを搭載しており、走行データを取得し、燃費向上効果を検証する。……

2015年1月29日 semiconductorTODAY

Toyota to road test SiC power semiconductors in hybrid prototype car and fuel cell bus(新しいウインドウで開きます)

 Using a Camry hybrid prototype and a fuel cell bus, Tokyo-based Toyota Motor Corporation aims this year to conduct tests on the streets of Japan that will evaluate the performance of silicon carbide (SiC) power semiconductors, which could lead to significant efficiency improvements in hybrids and other vehicles with electric powertrains.
 Power semiconductors are found in power control units (PCUs) that are used to control motor drive power in hybrids and other vehicles with electric powertrains. PCUs play a crucial role in the use of electricity, supplying battery power to the motors during operation and recharging the battery using energy recovered during deceleration. ……

2015年1月29日 日刊工業新聞

三菱マテリアル、銅の放熱板接合して放熱性高めた絶縁基板を開発-175度Cまで対応

三菱マテリアルは28日、銅の放熱板を接合して放熱性を高めた絶縁回路基板「Cu放熱板一体型DBA基板」を開発したと発表した。これまで150度Cまでの温度域が限界だったが、より高温域の175度Cまで対応できる。高出力化する次世代型パワーモジュール用の絶縁回路基板として、ハイブリッド車(HV)や鉄道用などでの利用を見込む。DBA基板全体の販売量を2020年度に現行比で1.5―2倍に引き上げる。……

2015年1月28日 日刊工業新聞

米トランスフォームと富士通セミコン、電源用GaNパワー半導体量産

米トランスフォームと富士通セミコンダクターは27日、富士通セミコンの福島県会津若松市の生産子会社で、ウエハーに窒化ガリウム(GaN)を採用した電源用パワー半導体の量産を始めたと発表した。超小型ACアダプターやパソコン、サーバー、高効率モーター制御装置向けに供給する。……

2015年1月28日 TechOn!

東芝が1200V耐圧のSiCショットキー・バリアー・ダイオードを発売、産業機器など向け(新しいウインドウで開きます)

東芝は、耐圧が+1200Vと高い、SiC(炭化シリコン)材料で製造したショットキー・バリアー・ダイオード「TRS20J120C」を発売した。同社によると、「SiC材料を採用することで、Si(シリコン)材料では+200Vが限界だったショットキー・バリアー・ダイオードの耐圧を+1200Vまで高めることが可能になった」という。交流(AC)400V系の高電圧ラインなどに使える。具体的な用途としては、スイッチング電源の力率改善(PFC)回路、DC-DCコンバーター、太陽光発電用インバーター装置、無停電電源装置(UPS)、車載用無線給電装置などを挙げている。……

2015年1月28日 semiconductorTODAY

Cree adds four new 650V SiC Schottky diodes(新しいウインドウで開きます)

 Cree Inc of Durham, NC, USA has expanded its portfolio of silicon carbide (SiC) Schottky diodes with the addition of four new 650V diodes. Developed in response to the power supply industry's recent demand for components with a nominal voltage rating slightly higher than 600V, the new 650V Cree Z-Rec SiC Schottky diodes enable high-efficiency power systems with improved reliability, simplicity and total cost, the firm says.
 Beneficial characteristics of the new diodes are said to include: zero reverse recovery current, high-frequency operation with low electromagnetic interference (EMI), temperature-independent switching behavior, reduced heat-sink requirements, and significantly higher surge and avalanche capabilities. The devices also exhibit higher efficiency than comparable silicon diodes, with essentially no switching losses, while a positive temperature coefficient on VF enables parallel devices without thermal runaway.……

2015年1月27日 EE Times Japan

Transphorm、富士通6インチ工場でGaNパワーデバイスの量産を開始(新しいウインドウで開きます)

米Transphormと同社日本法人トランスフォーム・ジャパン、富士通セミコンダクター(以下、富士通セミコン)の3社は、福島県会津若松市にある富士通セミコングループの150mm(6インチ)ウエハー対応半導体工場で、窒化ガリウム(GaN)を用いたパワートランジスタの量産を開始したと発表した。
Transphormは、米国に本社を置くGaNパワーデバイスを主力とする新興メーカーで2014年に富士通セミコンのGaNパワーデバイス事業と統合。現在、富士通セミコンはTransphormの少数株主として出資を行っている関係にある。
量産を開始したGaNパワートランジスタは、シリコン基板上にGaNを形成する「GaN on Silicon」技術を用いた定格電圧600VクラスのパワーHEMT(高電子移動度トランジスタ)。……
2015年1月27日 TechOn!
富士通セミコンがTransphormのGaNパワー素子を量産(新しいウインドウで開きます)
会津若松工場の150mmウエハーラインを利用

2015年1月27日 semiconductorTODAY

GaN Systems adds Ecomal Europe as distributor of GaN power switching transistors(新しいウインドウで開きます)

 GaN Systems Inc of Ottawa, Ontario, Canada has signed an agreement for Ecomal Europe to promote and distribute its gallium nitride (GaN)-based high-power switching transistors.
 GaN Systems' gallium nitride power transistors are based on its proprietary Island Technology and offer what are claimed to be significant advantages over traditional silicon MOSFETs and IGBTs for smaller, lighter and more efficient power electronics. Ecomal Europe was selected for its expertise in power systems and complementary line-cards. ……

2015年1月23日 日刊工業新聞

基盤技術で勝ち抜く ニートレックス パワー半導体、研削効率化

 【サポイン事業採択/次世代パワーデバイス用ウエハ加工工程を簡略化する超均一組織研削砥石の開発】
ニートレックスは、愛知県武豊町に本社工場を持つ産業用砥(と)石のメーカー。主要取引先の自動車業界でパワー半導体(電力制御用半導体)の需要が急拡大していることに対応し、同半導体の加工効率を上げる特殊な砥石(といし)の開発を始めた。2014年度には戦略的基盤技術高度化支援事業に採択された。

パワー半導体の材料には炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)といった“硬くてもろい”物質が使われる。このため加工時に砥石に大きな負担がかかる。……

2015年1月22日 semiconductorTODAY

EPC launches monolithic GaN power transistor half-bridge enabling 97% system efficiency for 48V to 12V buck converter at 20A output(新しいウインドウで開きます)

 Efficient Power Conversion Corp (EPC) of El Segundo, CA, USA, which makes enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN) power field-effect transistors (FETs) for power management applications, has introduced the 60V EPC2102 and the 80V EPC2103 enhancement-mode monolithic GaN transistor half-bridges.
 By integrating two eGaN power FETs into a single device, interconnect inductances and the interstitial space needed on the PCB are eliminated, resulting in a 50% reduction in board area occupied by the transistors. This increases both efficiency (especially at higher frequencies) and power density, while reducing assembly costs to the end-user’s power conversion system. The half-bridges are suitable for high-frequency DC-DC conversion. ……

2015年1月19日 EE Times Japan

国際カーエレクトロニクス技術展:
ロームの第3世代SiC-MOSFET、オン抵抗が現行品の半分に(新しいウインドウで開きます)

ロームは、国際カーエレクトロニクス技術展(2015年1月14~16日、東京ビッグサイト)において、トレンチ型構造の第3世代SiC(炭化ケイ素)MOSFETを紹介した。第2世代品に比べて、同一チップサイズであればオン抵抗をほぼ半分に低減した。
同社はSiCを用いたMOSFETやダイオードの実用化で先行し、現在は第2世代品を供給している。これまでのMOSFETはプレーナ型構造であったが、第3世代のSiC-MOSFETはトレンチ型構造を採用している。第2世代品は耐圧1200Vで、オン抵抗が45mΩであったのに対して、第3世代品では耐圧1200Vでオン抵抗を22mΩとした。耐圧650Vであれば、オン抵抗は17mΩまで下げることができるとしている。……

2015年1月16日 日本経済新聞

HVモーター制御装置、3分の1に小型化 ルネサスが開発(新しいウインドウで開きます)

ルネサスエレクトロニクスはハイブリッド車や電気自動車(EV)のモーターを制御するインバーターで、大きさが従来の3分の1の製品を開発した。小型化でモーター本体に組み込むことができ、ワイヤハーネス(組み電線)での接続が不要になり、車体の軽量化につながる。燃費向上を競う自動車業界の需要を取り込む。……

2015年1月16日 TechOn!

三菱電機、尼崎の先端技術総合研究所に「新実験棟」(新しいウインドウで開きます)

三菱電機は、兵庫県尼崎市の先端技術総合研究所の敷地内に「新実験棟」を建設する。老朽化した実験設備を更新するとともに、点在する実験施設を統合することで、研究開発力の強化を図る。投資総額は約18億円。
2015年2月に着工し、同年12月に竣工する予定。2016年2月から順次稼働していく。建物は鉄骨造の地上6階建てで、建築面積は約1190m2、延べ面積は約4500m2。……

2015年1月16日 EE Times Japan

オン抵抗を改善し実装面積も大幅削減、車載向け新型MOSFETを開発(新しいウインドウで開きます)

インフィニオン テクノロジーズ(以下、インフィニオン)は2015年1月15日、車載用パワー半導体事業に関して、新たなプロセス技術やパッケージを用いたMOSFETの概要、48V電源システムへの対応などについて、東京都内で記者説明会を開催した。現行製品に比べて、単位面積当たりのオン抵抗を改善し、実装面積を削減できるMOSFETを新たに投入することで市場の要求に応えていく。
インフィニオンは、2014年の売上高が43億2000万ユーロとなった。このうち車載向け半導体の売上高は19億6500万ユーロで、全体の約45%を占める基幹事業である。特に、自動車の「パワートレイン」、「セーフティ」、「ボディ」用途に向けた半導体デバイスにフォーカスして事業を展開する。……

2015年1月16日 semiconductorTODAY

FBH uses LayTec's EpiCurve in-situ metrology to eliminate SiC/GaN wafer cracking in ICP etching(新しいウインドウで開きます)

 In-situ metrology system maker LayTec AG of Berlin, Germany says that researchers at Berlin-based Ferdinand-Braun-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik (FBH) have applied EpiCurve in-situ metrology for optimizing etching recipes in a Sentech SI 500 inductively coupled plasma reactive-ion etch (ICP-RIE) tool.
 With standard etching recipes the SiC/GaN wafer (pasted to a glass or sapphire carrier) frequently cracks because it suffers from a ±50μm wafer bow due to vertical temperature gradients and differences in the thermal expansion coefficients of carrier, substrate and GaN. ……

2015年1月15日 日刊工業新聞

阪大、ナトリウムフラックス法と結晶結合技術で大型・高品質なGaN結晶を作製(新しいウインドウで開きます)

大阪大学大学院工学研究科の森勇介教授は、ナトリウムフラックス法と呼ばれる結晶成長手法と結晶結合技術により、大型で高品質な窒化ガリウム(GaN)結晶を作製した。
採用したナトリウムフラックス法は、800度―900度Cに加熱したガリウムとナトリウムの融液に窒素を加圧し、GaN結晶を液相の中で育成する手法。ガリウムの液化には約1万気圧が必要だった。ナトリウムを混合することで、加圧を30気圧程度に低減できた。……

2015年1月15日 semiconductorTODAY

SAMCO announces MOCVD demonstration availability for VPE's GaN-550 system for power device manufacturing(新しいウインドウで開きます)

 SAMCO Inc of Kyoto, Japan, a supplier of plasma etch, chemical vapour deposition (CVD) and surface treatment systems to compound semiconductors device makers, has announced metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD) demonstration capability on the new GaN-550 gallium nitride on silicon (GaN-on-Si) system from Valence Process Equipment Inc (VPE) of Branchburg, NJ, USA.
 Following an agreement last April, SAMCO sells and distributes VPE‘s GaN-550, which is equipped with a 550mm-diameter carrier for mass production of GaN power devices. The demo system will be available for customer demonstrations at SAMCO’s R&D facility in early 2015. ……

2015年1月15日 semiconductorTODAY

Market for discrete GaN power conversion devices to reach $1.1bn in 2024(新しいウインドウで開きます)

 Since gallium nitride (GaN) materials can create much more efficient devices for electric power conversion in devices from cell phone chargers to hybrid electric vehicles, the market for GaN discrete components will grow to $1.1bn in 2024, according to Lux Research in its report ‘Breaking Down the Gallium Nitride Power Electronics Market’ (part of the Lux Research Energy Electronics Intelligence service).
 However, the substrate on which the GaN device is grown - silicon (Si), silicon carbide (SiC), or GaN - makes a big difference in the cost and performance of the device. GaN-on-Si will dominate the GaN market for at least the next decade, growing to $1bn in 2024 (a 90% share), forecasts Lux. ……

2015年1月14日 TechOn!

千住金属、400℃を超える高温実装に対応のはんだリフロー炉を出品(新しいウインドウで開きます)

千住金属工業は、400℃を超える高温実装に対応したはんだリフロー炉「SNR-615H」を、2015年1月14日~16日に東京ビッグサイトで開催の「第16回プリント配線板 EXPO」で展示した(ブース番号:東44-28)。鉛フリーはんだ対応で窒素雰囲気の小型リフロー炉「SNR-615」の高温版である。
ブースの説明員によれば、放熱のために上部ケースがメッシュ状になったことを除けば、装置の寸法や外観は既存のSNR-615とほぼ同じ。ただし、420℃のリフロープロファイルを作成できるようにするために、内部の機構をガラリと変えたという。……

2015年1月14日 半導体産業新聞

インタビュー:京都電機器(株)代表取締役社長小西秀人氏
フルSiC電源を試作 UV-LED照明電源を開発へ

京都電機器(株)(京都府宇治市槙島町 16-19-1、0774-25-7700)は、産業用に電源機器や瞬低保護装置、LED照明用電源・機器を展開している。積極的に新製品開発を進めており、フルSiCの電源を試作したほか、今後需要拡大が見込めるUV-LED照明電源の開発にも取り組む。小西秀人社長に話を聞いた。……
(小西)……各種電源の心臓部となるコンバーターユニットは、(独)科学技術振興機構(JST)のスーパークラスタープログラムに参画し、SiCデバイス搭載電源として開発している。ダイオードとMOSFETを搭載したフルSiC品を試作し、高耐圧に加えて小型・高効率を実現した。今後は顧客と共同で実用化に向けた詳細ニーズ対応を進める。……

2015年1月14日 EE Times Japan

ビジネスニュース M&A:
インフィニオン、IRの買収を完了(新しいウインドウで開きます)

インフィニオン テクノロジーズは2015年1月13日、インターナショナル・レクティファイアー(IR)の買収を完了したと発表した。
インフィニオンは2014年8月20日、IRを現金約30億米ドルで買収すると発表。IRの発行済み株式について1株当たり40米ドルを支払うことで承認された。その後、関係当局の承認を取得するとともに、IRの株主投票では99.5%の大多数を持って承認されたという。……

2015年1月14日 semiconductorTODAY

EPC launches 450V E-mode GaN power transistor for high-frequency applications(新しいウインドウで開きます)

 Efficient Power Conversion Corp (EPC) of El Segundo, CA, USA, which makes enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN) power field-effect transistors (FETs) for power management applications, has launched the EPC2027, a 450V normally off (enhancement-mode) power transistor capable of rise times of 4ns for applications requiring high-frequency switching in order to achieve higher efficiency and power density. Applications enhanced by high-voltage, higher switching speeds include ultra-high-frequency DC-DC converters, medical diagnostic equipment, solar power inverters, and LED lighting. ……

2015年1月13日 日刊工業新聞

パワー半導体研究拠点整備、名古屋大学に補正予算12億円-新プロ“知の集約”で加速

文部科学省の2014年度補正予算で、名古屋大学でのパワー半導体研究の拠点形成に向けた経費12億円が盛り込まれた。昨年、ノーベル物理学賞を受賞した天野浩名大教授の研究を支援するのが目的だ。パワー半導体は応用範囲が広く“省エネルギーの切り札”とされ、国内外から最先端の研究者を集められるとの期待もある。そのため、新設備を有効活用する文科省の新プロジェクトについては、関連省庁との調整を経て16年度概算要求で探ることになりそうだ。
【7工程に導入】
補正予算では、結晶成長、評価・解析、デバイス化、システム装置など、パワー半導体の実現に向けた7段階の工程の設備について、導入費用を盛り込んだ。……
2015年1月13日 毎日新聞
半導体開発:天野教授らに14億円支援 省エネ原発4基分

2015年1月13日 EDN Japan

津田建二の技術解説コラム【入門編】:
半導体の基礎知識(6)――パワー半導体の広がり(新しいウインドウで開きます)

パワー半導体は、日本のメーカーが得意な技術であり、国内で期待されている分野です。ここでは、基礎的な知識としてのパワー半導体について解説します。
パワー半導体とは、使用電圧が数十V以上、電流1A以上をオン・オフしたり、増幅したりするような大きな電力を必要とする半導体の総称です。理想的なパワートランジスタは、少ない入力電力で大きな出力電流が得られます。このために電流増幅率が大きいトランジスタが求められます。入力のゲートあるいはベースをオン・オフするだけで、出力電流を流したり止めたり自由自在にできます。

   電源、モータ制御が主な用途……
     モータ制御で省エネ……
     サイリスタからIGBT、バイポーラからIGBT……
     SiCやGaNの出番はこれから……

2015年1月13日 semiconductorTODAY

Epiluvac receives order for SiC reactor from European research center(新しいウインドウで開きます)

 Epiluvac AB of Lund, Sweden has received an order for its EPI-1000X silicon carbide (SiC) reactor from a “leading European research center”. Installation and commissioning of the system will be completed during first-quarter 2015.
 As a management buyout from Aixtron, Epiluvac designs and manufactures chemical vapor deposition (CVD) reactors consisting of SiC reactors (both bulk and epitaxy), GaN-pi reactors, and graphene/SiC reactors as well as other types of reactor, such as CVD for SiGeSnC and hydride vapor phase epitaxy (HVPE). ……

2015年1月12日 日刊工業新聞

茨城大と千住金属、300度C耐久の無鉛ハンダを開発-電力損失、大幅改善

茨城大学大学院理工学研究科の大貫仁特任教授と玉橋邦裕産学連携研究員、菅原良孝特命教授らは千住金属工業(東京都足立区)と共同で、300度Cに耐える無鉛ハンダを開発した。車載用パワーデバイスの炭化ケイ素(SiC)半導体の実装に提案する。動作温度を高く設計でき、SiC半導体の電力損失を4分1に抑えられるという。千住金属工業が製品化して各ユーザーと信頼性試験を進め、3年内の実用化を目指す。
アルミ亜鉛合金で300度Cの実用に耐える高温ハンダ材を開発した。SiCは原理的には400度C以上で動作するが、接合材料のハンダなど周辺材の高温耐久性に限界があった。動作温度が高ければデバイスの冷却機構を小型化できる。……

2015年1月9日 日刊工業新聞

龍谷大など、SiC合成向けナノ粒子を開発-2000度C焼結も強度保持

龍谷大学理工学部の大柳満之教授らの研究グループは、米カリフォルニア大学デービス校のズヘア・ムニール教授らと共同で、炭化ケイ素(SiC)合成向けに、酸化物を使わず2000度C程度の高温で焼結しても強度を保てるナノ(ナノは10億分の1)粒子を開発した。積層を不規則な構造にした点が特徴で、焼結助剤も用いずに緻密なSiC焼結体ができるという。セラミックスエンジンのような構造材料やパワーデバイスでの応用を見込み、5年後をめどに実用化を目指す。……

2015年1月7日 日経産業新聞

三菱電機、パワー半導体部品、省エネ型

三菱電機は大型産業用機器の消費エネルギーの抑制につながるパワー半導体モジュール(複合部品)を開発した。新開発のモジュールはパワーコンディショナーなど電力変換装置の中核部品となり、現在の主流機種より消費電力を約30%低減できる「3レベルインバーター」に対応したのが特徴だ。6月から順次発売する。

2015年1月7日 日刊工業新聞

パワー半導体『新たな地平』 (1)三菱電機-高付加価値路線で先陣

省エネ意識の浸透やモノのインターネット(IoT)分野の市場拡大を見据えて、あらゆる電気機器に組み込まれる「パワー半導体」の市場が成長している。過去に半導体ビジネスで辛酸をなめてきた日本メーカーは競合の海外勢と対峙(たいじ)しつつ、技術の強みとコラボレーション(連携)の模索などによりパワー半導体の分野で「新たな地平」を切り開く。同分野で攻勢を仕掛ける各社の戦略を点検する。第1回は三菱電機。

三菱電機のパワー半導体は、高付加価値製品に集中して事業展開している点が特徴だ。高耐圧のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)モジュールでは、独インフィニオン・テクノロジーズと世界シェア首位を争う。今後の成長に向けIGBTモジュールの一層の高機能化に取り組み、産業機器などの分野で顧客開拓を加速する。……
ウエハーに炭化ケイ素(SiC)を採用した次世代パワー半導体においても、他社に先駆けてモジュール製品を投入していく方針。高速スイッチング、低オン抵抗というSiCパワー半導体の特徴が生かせる分野として、パワーコンディショナーやUPS(無停電電源装置)での採用拡大を見込む。ただ「SiC製品は不良が多く、価格が高くなってしまうのがネック。解決は容易ではない」(眞田常務執行役)と課題も明かす。……

2015年1月7日 日経産業新聞

次世代パワー半導体のFLOSFIA――低コスト、環境負荷小さく(新進気鋭)

FLOSFIA(フロスフィア、京都市)は電力損失が少ない次世代パワー半導体の開発を手掛ける。京都大学が持つ酸化膜の形成技術を使い、低コストで環境負荷の小さい半導体膜の製造技術を確立。2015年にも出荷を始めて、新エネルギー機器や次世代自動車向け市場を狙う。
半導体業界ではシリコンに代わる新材料の実用化に向けた研究開発が活発だ。フロスフィアが着目するのは酸化ガリウム。人羅俊実社長(38)は「電力損失はシリコンの10分の1以下に抑えられる。市場を塗り替える可能性を秘める」と期待する。……

2015年1月7日 EE Times Japan

インフィニオンとUMCが関係拡大、車載向け130nmパワー半導体製造で合意(新しいウインドウで開きます)

インフィニオンテクノロジーズとUMC(United Microelectronics Corporation)は2014年12月、車載用途向けパワー半導体の製造委託で合意した。インフィニオンが開発した車載用途向け130nmプロセス技術「SPT9」を用いて設計したパワー半導体を、UMCの300mmウエハーファブで2018年前半より量産開始する計画である。……

2015年1月7日 朝日新聞

名大に「パワー半導体」拠点 ノーベル賞・天野氏研究 国、補正予算案で調整

下村博文文部科学相は6日の閣議後会見で、昨年ノーベル物理学賞を受賞した天野浩・名古屋大教授らが手がける、省エネルギーにつながる「パワー半導体」の研究拠点を名古屋大に設ける考えを明らかにした。週内にもまとまる今年度補正予算案に実験設備などの費用として12億円を盛り込む方向で調整している。……

2015年1月6日 semiconductorTODAY

Cree releases new 1200V MOSFET design kit(新しいウインドウで開きます)

 Cree Inc of Durham, NC, USA, which makes silicon carbide (SiC) power devices, has introduced a new MOSFET design kit that includes all of the components needed to evaluate Cree MOSFET and Schottky diode performance in a configurable half-bridge circuit. ……

2015年1月5日 セミコンポータル

IoTとSiC/GaNパワー半導体の時代到来へ

年が改まってから、日本経済新聞や日経産業新聞、日刊工業新聞からニュースを見ていると、IoT(Internet of Things)に関する記事が目につき、日刊工業はパワー半導体を大きく採り上げている。2020年に500億台というIoTの台数予測はさておき、IoTは工業用途で地歩を固めていくだろう。……
日刊工業は、新しいパワー半導体、SiCやGaNなどのMOSFET、HEMTデバイスを1日採り上げている。「”日の丸”、最後の砦死守へ」、という見出しだが、企業はもはや日の丸にこだわる必要はない。各企業が世界で勝つための方策、戦略を考えればよいのである。日本企業が世界で勝てる体質を作り、売り上げ・利益を成長させていけば、結果的に税金として国益にかなうからだ。
SiCパワーMOSFETは小田急電鉄に納入され、電車のモータの回転数を自由自在に変えられるインバータに使われる。MOSFETはIGBTよりも高速のスイッチングができるため、エネルギーをためるコイルやコンデンサを小さくできる。……

2015年1月1日 日刊工業新聞

パワー半導体「新たな地平」-“日の丸”、最後の砦死守へ

パワー半導体市場が急成長している。省エネ意識の高まりや、モノのインターネット(IoT)の盛り上がりを背景に、デジタル機器だけでなく自動車や工作機械、産業インフラなどでも需要が拡大。パワー半導体で高い競争力を持つ日本メーカーにとって商機が広がる。ただ海外メーカーが攻勢を強めているほか、ウエハーに炭化ケイ素(SiC)を採用するなどの次世代技術を巡る開発競争が激化している。過去、敗戦を繰り返してきた“日の丸半導体”。パワー半導体という最後の砦(とりで)を死守しつつ、新たな地平を切り開けるか。
【車・産機向け市場拡大】
■再チャレンジ
 「成長が期待できる市場。再チャレンジする」―。東芝の成毛康雄執行役専務は力を込める。2014年冬、同社は汎用インバーター向けパワー半導体モジュール事業に再参入した。半導体事業の選択と集中を進める中で、同事業は04年に三菱電機に売却していた。再参入の背中を押したのはパワー半導体市場の盛り上がりだ。……

2015年1月1日 日刊工業新聞

経産省、今年度からパワー半導体の開発戦略を大転換 大局的に開発支援

経済産業省は、2014年度からパワー半導体の開発戦略を大転換した。00年代以降、炭化ケイ素(SiC)製半導体の開発に特化してきたが、新たに既存のシリコン製と窒化ガリウム(GaN)製も開発対象に追加した。次世代パワー半導体の本命が依然見通せない中で、SiC偏重はリスクが大きい。また既存のシリコン製を巡っても中国、韓国、台湾など新興国勢が猛追している。日本のパワー半導体メーカーが5年後、10年後も高い国際競争力を維持できるよう、より大局的な開発支援体制に切り替えることにした。
経産省の方針転換はパワー半導体材料の対象拡大だけでなく、応用開発重視の姿勢を打ち出したこともポイントだ。……

2015年1月1日 TechOn!

編集長が語る2015年
右肩上がりで拡大続く半導体市場、今は主役が代わる端境期(新しいウインドウで開きます)

大久保 聡=日経BP半導体リサーチ編集長
皆さま、あけましておめでとうございます。昨年は『日経BP半導体リサーチ』をご愛読いただきまして、ありがとうございました。2013年4月に正式スタートいたしました日経BP半導体リサーチは2015年、3年目の年を迎えました。本年も、巨大な半導体市場の変革点を的確にとらえ、情報を読み解くポイントを読者の皆さんに提供できるよう活動していく所存です。
2013年に過去最高を記録した半導体市場は、2014年も過去最高を達成したとみられます。WSTS(世界半導体市場統計)の2014年秋季半導体市場予測では、2014年の世界半導体市場は対前年比で9.0%成長して3331億米ドルに拡大するとしています。この傾向は今年も続き、WSTSの予測では対前年比で+3.4%成長して3445億米ドルになるとみています。2013年、2014年に続き、2015年も世界半導体市場は過去最高を記録することになりそうです。さらにWSTSは、来年は同+3.1%成長すると予測しています。……