国内外のニュース/情報

2016年

2016年12月15日

ディスコ、取り数1.5倍のSiCインゴットスライス装置を展示

ディスコは、「SEMICON Japan 2016」において、6インチのSiCウエハーの加工に向けレーザーソーによるスライスを実現する装置「DAL7420」を参考出展した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/121505480/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2016年12月14日

SiCウエハーの外観検査に最適、ジャパンクリエイトが縦型装置

ジャパンクリエイトは、縦型のウエハー外観検査装置を「SEMICON Japan 2016」のブースに参考出品した。既存のウエハー外観検査装置に比べて、小型・検査時間が短い・低価格という特徴がある。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/120905422/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

東芝、オン抵抗を削減した40V/45V耐圧のパワーMOSFET

東芝は、オン抵抗を削減した+40V/+45V耐圧のnチャネル型パワーMOSFETを発売した。同社最新のプロセス技術「U-MOS IX-H」で製造することで、性能指数(FOM)を低減した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/121300605/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2016年12月8日

SiCウエハーの非破壊検査装置、日立ハイテクが開発

日立ハイテクノロジーズは、SiCウエハーの検査を行うミラー電子式検査装置「Mirelis VM1000」を開発した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/120205300/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2016年12月3日~7日

IEEE IEDM2016より(筑波大まとめ)

サンフランシスコで第62回IEEE IEDM2016が開催された。232を超える口頭発表、1600人を超える参加者があった。

(1) 1700V 縦型GaNトランジスタ(Panasonic)
パナソニックは、耐圧1700Vでオン抵抗1.0mΩcm2のノーマリ-オフ縦型GaNパワートランジスタを発表した。ゲートしきい値は+2.5V。本素子はGaN基板上に作成した縦型構造素子である。(出典:アブストラクトpp248-251より和訳・要約)

(2) GaN ショットキダイオード(Massachusetts Institute of Technology)
耐圧が700Vでリーク電流を大幅に改善したGaNショットキーダイオードを報告した。非オン抵抗は2 mΩ・cm2で、250℃での動作を確認している。
(出典:アブストラクトpp252-255より和訳・要約)

(3) GaN GIT(Panasonic)
耐圧 1kV 以上のGaN-GITの報告である。高速動作の指標としてのRonQoss を評価し、 940 mΩnC であったと報告している。 (出典:アブストラクトpp256-259より和訳・要約)

(4) GaN MIS-FET(The Hong Kong University of Science and Technology)
LPCVD-SiNx をリセスゲート構造デバイスのゲート酸化膜として用い安定したGaN MIS-FETの特性を実現した。閾値電圧は2.37Vである。
(出典:アブストラクトpp260-263より和訳・要約)

(5) SiC pMOSFETの短絡耐量(University of Tsukuba)
新たに開発した縦型pチャネルSiC-MOSFETの短絡耐量を評価した。試作したデバイスの耐圧は700Vで、nチャネルSiC-MOSFETに比べ15%ほど大きな短絡耐量を示した。
(出典:アブストラクトpp264-267より和訳・要約)

(6) 3D IGBT(Tokyo Inst. of Technology)
微細化したIGBTの特性に関し報告している。オン電圧に関しては、微細化係数3の場合1.7Vから1.26Vに低くなった。微細化はデバイスの縦横の寸法とゲート電圧に適用されている。
(出典:アブストラクトpp268-271より和訳・要約)

2016年11月22日

村田がエネルギー関連でアピール、直流給電や電源向けで

村田製作所は、「electronica 2016」に2つのブースを構え、内一つに同社がエネルギー関連と位置付ける製品群を出展した。ブース内の中央に大きく置かれていたのが、直流給電システムに向けた製品群である。AC-DCコンバーターとLiイオン2次電池、「パワーシェルフ」(DC-DCコンバーター)の3つ。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/110100086/112200064/?ST=device(新しいウインドウで開きます) 

IGBTパワーモジュールに力を入れるフィリピンの大手EMS

フィリピンに本社を持つEMS(電子機器受託製造サービス)企業であるIntegrated Micro-Electronics(IMI)が成長軌道に入っている。2015年の営業利益は3790万米ドルと、対前年比27.6%増を達成。自動車や産業機器向けを得意とするが、2015年にはパワー半導体のモジュール事業にも参入するなど、事業の拡大を積極的に進めている。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/112205157/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2016年11月15日

パナがGaNパワー素子をついに量産

パナソニックは、「electronica 2016」にGaNパワートランジスタと同デバイスの応用事例を展示した。これに合わせて、耐圧600VのGaNパワートランジスタ「PGA26E07BA」と「PGA26E19BA」の量産を開始することを明らかにした。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/110100086/111500044/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2016年11月14,15日

電気学会 電子デバイス半導体電力変換合同研究会(@九州工業大学)より(筑波大まとめ)

(1)低損失新型Si-IGBT
富士電機ならびに日立製作所はミラー容量の低減を目指した低損失新型IGBTを発表した。耐圧クラスは富士電機が600Vクラス、日立製作所は1700Vクラス。ミラー容量を低減することにより、ターンオン波形の制御性向上とターンオン損失の低減が図られるとしている。 ・EDD-16-077,SPC-16-164;低ミラー容量を実現するシールドトレンチ構造IGBT(富士電機)
・EDD-16-076,SPC-16-163;新しいゲート構造を有する低損失・低ノイズ サイドゲートHiGTの開発(日立製作所)

(2)RC-IGBT
三菱電機ならびに東芝は、ダイオード構造ならびに面積比を最適化したRC-IGBTを発表した。耐圧クラスは、三菱電機が600Vクラス、東芝が1200Vクラス。内蔵するダイオードの注入効率、ライフタイム、さらには面積比を最適化することで、スイッチング時の波形振動等が抑制され、また最新のIGBTモジュールと比較しパーケージサイズで30%縮小可能であるとしている。
・EDD-16-075,SPC-16-162;FWD構造・配置を最適化した第2世代600V級RC-IGBTの開発(三菱電機)
・EDD-16-072,SPC-16-159;1200V系RC-IGBTの高速動作化へ向けたトレンチダイオード構造の検討(東芝)

(3)GaN-HEMTのアバランシェ耐量メカニズム
東芝からp型ゲート構造を有するGaN-HEMTに関しそのアバランシェ耐量のメカニズムについての発表があった。評価は、UIS試験回路用いて実施された。アバランシェ耐量は、オフ時のゲート電圧と基板の接続状態に大きく依存し、アバランシェで発生したホールを排出することが耐量向上の重要な因子であるとしている。
・EDD-16-049,SPC-16-136;高耐圧GaN-HEMTのアバランシェ耐量とそのメカニズム(東芝)

2016年10月28日

Infineon、18k~40kHzのスイッチング用途向け低損失IGBT

独Infineon Technologies社は、18k~40kHzのスイッチング周波数に対応した低損失の1200V耐圧IGBT(絶縁ゲート・バイポーラー・トランジスタ)「RC-Eシリーズ」を発売した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/102500544/(新しいウインドウで開きます)

2016年10月26日

STMicro、雑音性能を高めた40V耐圧の車載用MOSFET

伊仏合弁STMicroelectronics社は、雑音性能を高めた+40V耐圧の車載用パワーMOSFET「STL140N4F7AG/STL190N4F7AG」を発売した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/102500546/(新しいウインドウで開きます)

2016年10月24日

SiCパワー半導体を搭載した北米向け大容量無停電電源装置の発売>

情報システムのクラウド化やIoTの導入などにより、世界的にデータセンターの需要が伸びている。北米ではデータセンターの建設が拡大しており、そこでは電力の安定供給のため、蓄電池を内蔵し停電時にも電源を供給し続けるUPSが使われる。
富士電機(株)の発表によると今回発売した北米向けUPSはSiCパワー半導体を搭載した業界最高レベルの97.5%の装置変換効率を実現し、また、低負荷(負荷率25%時)においても96.3%の装置変換効率を達成している。
(出典:富士電機(株)ニュースリリース)
http://www.fujielectric.co.jp/about/news/detail/2016/20161024110036220.html(新しいウインドウで開きます)

2016年10月23日

Infineon、オン抵抗を25%削減した150V耐圧パワーMOSFET

独Infineon Technologies社は、同社従来のSuperSO8封止品に比べてオン抵抗を25%削減した+150V耐圧のパワーMOSFET「OptiMOS 5 150V」を発売した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/102200542/(新しいウインドウで開きます)

2016年9月25日~29日 

Halkidiki, Greece ECSCRM2016 (11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials)

(1)Tu1.05: 再結合促進バッファ層によるpinダイオードの順方向劣化抑制(産総研・富士電機など)
バイポーラ劣化抑制のためのSiCエピ技術。窒素の高濃度ドーピング層、または窒素+ホウ素のドーピング層により少数キャリヤ寿命を数十nsにしたバッファ層を基板上に成膜することで、基板に正孔が到達するのを防ぎ、基板内の基底面転位が積層欠陥になるのを防いだ。600A/cm2の電流ストレスを印可しても劣化がないことを確認している。
(関連発表:Tu2.02 B:ドーピングによるライフタイム制御(電中研など))

(2)Tu3.01: DMOSFETにSBDを内蔵し、ボディダイオードを不活性化(三菱電機)
SBD内蔵SiC- DMOSFETのデモンストレーション。バイポーラ劣化抑制のためのSiCエピ技術。ゲート間のn領域にSBDを埋め込むことで、SBD外付けとする場合と比べて合計チップ面積を半分以下にした。250A/cm2、175℃、4000時間でも特性劣化せず。

(3)MoP.01: SJ-V溝トレンチMOSFET(産総研、住友電工)
スーパージャンクションSiC-MOSFETのデモンストレーション。ドリフト層に部分SJ構造を適用したV溝トレンチMOSFETを作製。特性オン抵抗0.97mΩcm2、耐圧820V。

(4)Tu3.05: ゲート酸化膜界面にB導入したDMOSFET
B, BaなどSiO2/SiC界面導入によるチャネル移動度向上。耐圧1.7、3.3、4.5kV級のDMOSFETにBドープ酸化膜界面を有するゲート構造を適用。移動度30cm2/Vs。

(5)Th1.04: N2O酸化とB添加の組み合わせよるチャネル移動度向上(スペインCNM-CSICなど)
N2O酸化後にB導入し、TEOS堆積膜形成。移動度約160cm2/Vs。改良プロセスで220cm2/Vs。
(提供:筑波大学)

2016年9月28日

新パワー半導体「酸化ガリウム」、積年の課題の解決に道

ベンチャー企業のFLOSFIA(本社・京都)と京都大学(工学系研究科 教授の藤田静雄氏や同科 助教の金子健太郎氏ら)のグループは、「酸化ガリウム(Ga2O3)」によるパワートランジスタ実現に必要なp型層の作製に成功した。これにより、酸化ガリウムを適用したパワーMOSFETの作製が可能になるという。
出典;日経Tech-on:http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/092804278/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2016年9月15,16日

応用物理学会情報

(1)再結合促進層を用いた4H-SiC PiN ダイオード順方向劣化の抑制(産総研、富士電機、電中研、京都大学)
4H-SiCのPiNダイオードの順方向通電時に基底面転位(BPD)から積層欠陥が拡大するバイポーラ劣化現象を抑制するため、エピ/基板界面に少数キャリヤ寿命の短いバッファ層(再結合促進層)を導入することを提案。再結合促進層付きの素子ではVfが安定しており、積層欠陥も発生していなかった。

(2) 1kV耐圧Ga2O3フィールドプレート付きショットキーバリアダイオード(情通機構、タムラ製作所、東京農工大、リンチョピン大)フィールドプレート付き1kV耐圧縦型SBDを試作。もれ電流大きいものの、耐圧1076V,特性オン抵抗5.1mΩcm2,理想係数1.04を実現

(3)A Distributed Model for Near-Interface Traps in4H-SiC MOS Capacitors(筑波大学、産総研)
SiC/SiO2界面近傍Near Interface Trap分布モデルの提案。界面近傍トラップが酸化膜中に存在しトンネリングによって電子のやり取りが発生するモデルを、分布回路網を使って解説。矛盾なく説明することができる。
(提供:筑波大学)

2016年9月5日~9日 

Karlsruhe, Germany EPE ECCE Europe 2016

(1)investigation on Diode Surge Forward Current Ruggedness of Si and SiC Power Module ; GE Global Research
ダイオードのサージ電流に対する振る舞いを検討。対象はSi-PiNダイオード、SiC-BD、SiC-SBD。10ms半サイクルのサージ電流に対する耐性を、熱モデルを用いて解析。Siは7093Aで劣化が見られた。SBDは2357Aで劣化が見られた。SiC-BDは5503Aでオープンとなった。サージ電流耐量の大きさは、デバイス温度、半田接合温度の上昇によって説明でき、Si、SiC-MOSFETのDB、SiC-SBDの順で強いことが計算された。

(2)Investigation of the Turn-on Behaviour of Silicon pin-Diode and SiC-Schottky-Diode and its Impact on the Anti-parallel IGBT ; Univ. of Bremen
高速のスイッチングにおいては、ダイオードは順方向電圧降下を生じ、この電圧が逆並列に接続されているIGBTに逆方向電圧として印加される。このダイオードの順方向降下を計測とシミュレーションで解析。Siダイオードは定常状態になるまでに順方向の電圧上昇が起こるがSiCのショットキーダイオードは発生しない。1100Vで1500Aをダイオードに流した時、Siダイオードは151Vの順電圧を発生させたが、SiCショットキーダイオードは17Vであった。高速にIGBTをターンオフさせるためには、高速にダイオードをターンオンさせる必要があるが、Siダイオードの場合過渡的な電圧が発生し、IGBTの逆導通動作を引き起こし、損失の増加や素子破壊の危険性が増す。従って高速動作のためにはSiCショットキーダイオードが重要になる。
(提供:筑波大学)

2016年8月25日

1.ドライバーなどを集積したGaNパワー素子、ACアダプター向け英Dialog Semiconductor社は、同社初となるGaNパワーIC「SmartGaN DA8801」を開発した。特徴は、GaN FETやゲートドライバー回路、レベルシフター回路などを1チップに集積したこと。外形寸法は5mm角と小さい。耐圧は650Vで、スマートフォンやタブレット端末な どの充電に利用する、25~35W級のACアダプターに向ける。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/082503697/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2.Alpha & mega、IH調理器などに向けた1350V耐圧IGBT
米Alpha and Omega Semiconductor社は、ソフトスイッチング用途のスイッチング損失を低減できる1350V耐圧IGBT「AOK30B135W1」を発売した(ニュースリリース)。IHヒーター、炊飯器、インバーター利用の電子レンジなどの家電機器に向ける。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/082400464/?ST=device(新しいウインドウで開きます)           

2016年8月24日

ノーマリ-オフのダイヤモンド半導体を作成、動作も実証

金沢大学は、2016年8月19日、産業技術総合研究所とデンソーなどとの共同研究で、ダイヤモンド半導体を用いた反転層チャネルMOSFETを作成し、その動作実証に成功したと発表した。自動車や新幹線、飛行機、ロボット、人工衛星、ロケット、送配電システムなどに導入されることで、省エネ・低炭素社会への貢献が期待されるとする。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/082203630/           

2016年8月23日

村田製作所、EV/HEVに向けた絶縁型DC-DCコンバーター

村田製作所は、電気自動車やハイブリッド車、プラグインハイブリッド車などに向けた絶縁型DC-DCコンバーターモジュール「MYISシリーズ」を開発し、2016年12月に量産を開始する(ニュースリリース)。最大出力電力は3W。入力電圧範囲は+6~16V。外形寸法は16mm×27mm×8mmで、表面実装に対応する。「AEC-Q」に準拠している。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/082200460/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2016年8月17日

三菱がフルSiCの「DIPIPM」、第2世代のMOSFET搭載

三菱電機は、トランジスタとダイオードの両方にSiCパワー素子を利用した、「フルSiC」のモジュール製品を発売した(発表資料(新しいウインドウで開きます))。エアコンなどに向けた「DIPIPM」と呼ぶタイプのモジュールである。耐圧 600V、出力電流15Aの「PSF15S92F6」の量産を2016年8月17日から始めた。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/081703586/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2016年8月9日

TIが語るGaNへの期待

 米Texas Instruments(TI)社は、同社Silicon Valley Analog(SVA)事業部 senior vice presidentのDavid Heacock氏の来日を機に東京で報道機関向けに発表会を開催した。その発表会の中で、最近力を入れているGaNパワーデバイスに対する同社の意気込み を語った。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/080903526/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2016年8月9日

「高価なSiCよさらば」、生産枚数1.5倍のウエハー加工技術

ディスコは、SiCインゴットからSiCウエハーを切り出すのにレーザーを利用する新たなプロセス「KABRA(カブラ)」を開発した(発表資料(新しいウインドウで開きます))。ワイヤーソーを利用する従来方法に比べて、SiCウエハーの生産時の加工時間を約1/4に、生産枚数を約1.5倍に高められるという。今回の加工法は、既に一部の顧客が試験運用中である。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/080903524/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2016年8月9日

STMicro、端子間距離が4.25mmの1500V耐圧パワーMOSFET

伊仏合弁STMicroelectronics社は、端子間距離が4.25mmと広い1500V耐圧のパワーMOSFET「STFH12N150K5」を発売した(ニュースリリース)。TO-220FullPAKに封止した。電源メーカーは、安全規格に準拠しやすくなると同時に、フィールドでの故障発生を最小限に抑えられる。液晶テレビやパソコンなどに搭載するスイッチング電源に向ける。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/080700446/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2016年7月15日

Wolfspeed売却

米国Cree, Inc.の子会社であるWolfspeedがドイツのInfineon Technologies AGに売却されることになった。WolfspeedはCreeの高周波デバイス、パワーデバイスビジネスを担当している子会社で、今回の売却にはCreeで行っているパワーデバイス及び高周波デバイス用半導体基板ビジネスも含まれている。売却額は、8億5000万米ドルで、この売却によってInfineonの 車載半導体事業、IoT用通信事業が強化されるとのことである。詳細については、下記URLを参照されたい。
http://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/2016/INFXX201607-071.html(新しいウインドウで開きます)
http://investor.cree.com/releasedetail.cfm?ReleaseID=979530(新しいウインドウで開きます)

2016年7月15日

世界初、大電流動作可能な高耐圧GaNパワー半導体を開発

豊田合成株式会社は、窒化ガリウム(GaN)を用いて、20Aを超える大電流動作が可能な1.2kV級パワー半導体デバイス1チップを世界で初めて開発した。素子を並列動作させる配線技術を確立し、1.5mm角のチップサイズで縦型GaNトランジスタとして世界で初めて20Aを超える電流を流すことに成功した。
(豊田合成株式会社プレスリリース:豊田合成HPより)
http://www.toyoda-gosei.co.jp/news/detail/?id=506(新しいウインドウで開きます)

2016年7月15日

SiC-MOSFETのUIS耐量解析

ICEE2016(The International Conference on Electrical Engineering 2016)(主催:電気学会; 7月3日- 7日 沖縄県那覇市自治会館 参加者600名以上)にて、筑波大学よりSiC-MOSFETのUIS耐量解析の報告があった。破壊に至る際の素子内温度は900Kにまで達し、その結果、表面アルミ電極が溶融することが破壊の原因であると推定している。
(筑波大学/岩室)

2016年6月30日

第22回半導体・オブ・ザ・イヤー受賞

本法人会員企業であるローム(株)殿、レーザーテック(株)殿が、第22回半導体・オブ・ザ・イヤーを受賞されました。本賞は、電子デバイス産業新聞の記者投票によって選出され、2015年4月~2016年3月の間に発表された新製品の中から、特に優れた半導体製品・技術に贈られます。ローム(株)殿は、「トレンチ構造採用のSiC-MOSFET」の開発に対して、半導体デバイス部門のグランプリを、レーザーテック(株)殿は、「SiCウエハー欠陥検査/レビュー装置:WASAVIシリーズSICA88」の開発に対して、半導体製造装置部門の優秀賞を受賞されました。詳細については以下のURLをご参照ください。
http://www.sangyo-times.jp/seminarDtl.aspx?ID=194(新しいウインドウで開きます)
http://www.lasertec.co.jp/topics/2016/20160601.html(新しいウインドウで開きます)

IEEE Workshop on Control and Modeling for Power Electronics (COMPEL)
2016年6月27日から30日 Trondheim, Norway

COMPEL 2016でのトピックス

1.ηρ-Pareto Optimization and Comparative Evaluation of Inverter Concepts Considered for the Google Little Box Challenge
ETH Zurich COMPEL2016, O8-1(ID:163)
GoogleとIEEEが主催する,2kVAの太陽光インバータをモデルケースにした変換器のコンペテションにおいて,ETH-Zurich,Fraunhofer Institut for Reliability and Microintegration (FH-IZM) ,Fraza companyによるグループの試作品の設計に関する発表があった。450V直流入力,240Vrms,60Hzの交流に連系するインバータにおいて8.18kW/dm3の電力密度を達成している。これは100時間のテストに耐える実運転可能なものである。パワーデバイスとしてInfineonからサンプル提供されたGaN GITを使用している。小型化と高効率化に関する最適化についての考察を発表した。

IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)
2016年6月12日から16日 Prague, Czech Republic

ISPSD 2016でのトピックス

1.B-dopeゲート酸化プロセスを適用した4.5kV SiC-MOSFET
ABBとスペインの研究グループらは、熱酸化膜+N2Oアニールしたゲート酸化膜にボロンを拡散するプロセスを4.5kV SiC-MOSFETに適用し素子を試作。その結果を発表した。オン抵抗RonA=62mΩcm2(@Vg=20V)、素子耐圧5kVを実現。また同一ウェハ内横MOSFETで評価した電界効果移動度はピークで35~40cm2/V・s。さらにボロンドーププロセスを最適化すれば電界効果移動度はピークで80~100cm2/V・sも実現可能としている。ゲートしきい値は4.0~4.5V(@R.T)、しきい値の安定性については、+2%(Vg=+25V 3600秒印加)、+12%(Vg=-10V 3600秒印加)であると報告している。(ISPSD2016 pp.283)

2.「GaN素子をCMOSプロセスのSi素子に張り合わせ。X-FABなどが提案
ドイツX-FAB Semiconductor Foundries社らのグループは、GaNパワー素子と、CMOSプロセスで製造したSi素子を接合して集積する製造技術を発表。同社は「Micro Transfer Printing」と呼ぶ。(日経テクノロジーオンライン 2016.6.17)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/061200065/061700011/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

3.「世界初」の双方向SiC MOSFET、京大とロームが」試作
京都大学とロームの研究グループは、耐圧3kV、オン抵抗20mΩcm2の双方向SiC MOSFETを試作し、「ISPSD 2016」で発表した。同MOSFETの実現は「世界初」(同グループ)である。 ?(日経テクノロジーオンライン 2016.6.16)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/061200065/061600007/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

4.三菱電機、RC-IGBTで白物家電向けモジュールを30%小さく
三菱電機グループ(メルコセミコンダクタエンジニアリングと三菱電機)は、白物家電向けの耐圧600Vの小型パワーモジュール「SLIMDIP」シリーズに搭載した新しい「RC-IGBT」について発表。(日経テクノロジーオンライン 2016.6.16)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/061200065/061500005/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

5.富士電機が低損失な新型IGBT、「シールドトレンチ」で実現
富士電機は、「シールドトレンチ」と呼ぶ構造を設けた新しいIGBTを開発、発表した。同構造によってミラー容量(帰還容量)成分を削減し、スイッチング損失を従来のIGBTに比べて小さくした。(日経テクノロジーオンライン 2016.6.16)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/061200065/061600006/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年6月10日 昭和電工HPより

パワー半導体用SiCエピウェハー 高品質グレードの生産能力増強

昭和電工株式会社が、パワー半導体材料であるSiCエピタキシャルウェハーの高品質
グレードにおいて、月産3000枚の生産体制を確立し、量産を開始。
(昭和電工株式会社ニュースリリース)
http://www.sdk.co.jp/news/2016/15916.html(新しいウインドウで開きます)         

2016年6月9日

山手線用車両の新造計画について

JR東日本が、2017年春ごろからフルまたはハイブリッドSiC半導体素子を搭載したE235系通勤形車両(11 両編成)を49 編成(539 両)投入することを発表しました。投入完了は2020年春頃とのことです。詳しくは下記URLをご参照ください。http://www.jreast.co.jp/press/2016/20160606.pdf(新しいウインドウで開きます)

2016年5月25日 日経Tech-Onより

PCIM Europe 2016 三菱電機が明かす、産業用IGBTモジュールの新技術 耐圧1.7kV品に採用

IGBTモジュールの大手である三菱電機。同社は、2016年5月10~12日にドイツ・ニュルンベルクで開催されたパワーデバイスやパワーエレクトロニクス機器の展示会「PCIM Europe 2016」で、産業用IGBTモジュールの新製品を出展した。同社の第7世代のIGBTを搭載した「IGBTモジュールTシリーズ」の定格電圧(耐圧)1.7kV品である。(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/050600058/052500012/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年5月24日 日経Tech-Onより

富士電機、電力密度2倍の車載用直接水冷型パワーモジュールの新製品

富士電機は、電気自動車(EV)やハイブリッド自動車(HEV)といった電動車両向けのIGBTモジュールの新製品を開発した。
同社従来技術を適用した場合に比べて、50%の小型化と60%の軽量化を実現したという。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/052402241/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年5月16日 日経Tech-Onより

PCIM Europe 2016 Infineonが耐圧650VのSJ MOSFETの新製品、60%小型化

ドイツInfineon Technologies社は、super junction型MOSFET(SJ-MOSFET)「CoolMOS」の「C7」シリーズのラインアップを拡充した。「C7 Gold」と呼ぶもので、「PCIM Europe 2016」に出展した。耐圧は650V品で、同耐圧の従来のC7に比べて、約60%小さいパッケージを採用した点を特徴にする。サーバーや通信機器、太陽光発電システム、産業機器などに向ける。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/050600058/051600011/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年5月13日 日経Tech-Onより

PCIM Europe 2016 車載IGBTも300mmウエハーで作るInfineon 電動車両向けパワーモジュールに搭載

ドイツInfineon Technologies社は、口径300mmのSiウエハー上に作成した車載向けのIGBT「EDT2」と、同IGBTを利用した車載用パワーモジュールを「PCIM Europe 2016」に出展した。IGBTの耐圧は750Vで、パワーモジュールは電気自動車(EV)やハイブリッド自動車といった電動車両のメーンのモーターを駆動するインバーターなどの電力変換器に向けたものである。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/050600058/051300008/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年5月13日 日経Tech-Onより

PCIM Europe 2016 信頼性を10倍に高めたパワー素子の実装技術、焼結Cuを利用 日立製作所が発表

日立製作所は、焼結Cuによるパワー素子の実装技術について、「PCIM Europe 2016」併設のカンファレンスで発表した。特徴は、Pb(鉛)フリーの実装材料でありながら、材料コストの抑制と信頼性の向上を図れることである。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/050600058/051300009/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年5月13日 日経Tech-Onより

PCIM Europe 2016 GEがSiCに本腰、MOSFETからモジュール、インバーターまで製品化へ 2017年から6インチ基板を利用

米General Electric(GE)社は、同社が手掛けるSiC関連製品を「PCIM Europe 2016」に出展した。SiC MOSFETや同MOSFETを用いたモジュール、同モジュールを用いたインバーターをアピールしていた。(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/050600058/051300010/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年5月12日 日経Tech-Onより

PCIM Europe 2016 オン抵抗を約1/6にした耐圧900VのSiC MOSFET Wolfspeedが講演

米Wolfspeed社は、「PCIM Europe 2016」に併設されたカンファレスで、同社のSiC MOSFETの最新製品の特性などについて発表した。耐圧900Vでオン抵抗が10mΩと小さく、電流容量が100Aと大きい製品の紹介に重きを置いていた。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/050600058/051200005/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年5月12日 日経Tech-Onより

PCIM Europe 2016 富士電機が明かした新幹線車両向けSiCパワーモジュールの実力

富士電機は、新幹線車両用駆動システムに向けたSiCパワーモジュールについて、「PCIM Europe 2016」に併設されているカンファレスで講演した。東海旅客鉄道(JR東海)が「N700系」の試験車両の駆動システムに採用しているものである。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/050600058/051200006/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年5月12日 日経Tech-Onより

PCIM Europe 2016 パナソニック、蓄電池システム向けSiC電力変換器を初披露 新たにモジュールを開発

パナソニックは、同社のSiCパワー素子や同素子を利用したモジュール品を適用した蓄電池システム向けの電力変換器の試作品を出展した。実機を展示するのは今回が初めてである。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/050600058/051200007/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)          

2016年5月11日 日経Tech-Onより

PCIM Europe 2016 パワーデバイスの最大級のイベント開幕、SiCの文字が躍る 「PCIM Europe 2016」から

パワー素子やパワーエレクトロニクス(パワエレ)機器分野の世界最大級のイベント「PCIM Europe 2016」が2016年5月10日(現地時間)、ドイツ・ニュルンベルクで始まった。同イベントは毎年5~6月ごろに開催されており、2016年は27カ国から530社が出展する。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/050600058/051100002/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年5月11日 日経Tech-Onより

PCIM Europe 2016 SiC推しのInfineon、関連製品や応用例を披露

PCIM Europe 2016」におけるドイツInfineon Technologies社の出展のメーンは、同社が「CoolSiC(クールエスアイシー)」と名付けた、SiC(シリコンカーバイト)関連の製品群である。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/050600058/051100003/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)
           

2016年5月11日 日経Tech-Onより

PCIM Europe 2016 大口径Si基板でGaNパワー素子の低コスト化に挑む仏ベンチャー 200mmウエハーを利用

GaNパワー素子を手掛けるフランスのベンチャー企業Exagan社は、「PCIM Europe 2016」で記者発表会を開き、同社製品の特徴や事業戦略を語った。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/050600058/051100004/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年5月6日 日経Tech-Onより

PCIM Europe 2016 ついにInfineonがSiC MOSFETを量産へ、2017年から

パワー半導体最大手のドイツInfineon Technologies社がいよいよSiC MOSFETの量産に乗り出す。特定用途向けに2016年下期にサンプル出荷を開始し、2017年に量産を始める。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/050600058/050600001/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年4月26日 日経Tech-Onより

TIがGaNに本腰、600VのFETをドライバーIC付きで

米Texas Instruments社は、動作電圧600VのGaN FETとドライバーICを1パッケージに収めた「LMG3410」を発表し(日本語ニュースリリース)、新製品のサンプルを含む開発キットの提供を始めた。量産は2016年下期から2017年初頭に開始するという。(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/042201782/(新しいウインドウで開きます)         

2016年4月21日 日経Tech-On、日経BPnetより

ロームが1.7kVのSiC MOSFET、制御ICも提供

ロームは、耐圧1.7kVのSiC MOSFET「SCT2H12NZ」を開発し、量産を始めた(発表資料)。AC400Vが必要な産業機器(FA機器や工業用インバーター装置、試験装置など)の補機電源に向ける。特徴は、オン抵抗が1.15Ω(標準)と小さいこと。産業機器の補機電源に向けた耐圧1.5kVのSi MOSFETに比べて、1/8に相当するという。
(出典:日経テクノロジーオンライン、nikkei BPnet)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/042101740/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)
http://www.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/04/21/11513/(新しいウインドウで開きます)

2016年4月14日 日経Tech-Onより

文科省のGaNプロジェクト始動、中核は名大・天野氏 パワー素子応用を目指す

文部科学省(文科省)は、GaNパワー素子の開発に取り組む研究開発プロジェクト「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」を2016年度から始める。「電子デバイスのプロジェクトは文科省としては今回が初めて」(文科省の担当者)である。2014年にノーベル物理学賞を受賞した、名古屋大学 教授の天野浩氏らの研究グループが中核をなす。5カ年のプロジェクトで、1年目にあたる2016年度の予算は10億円である。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/041401596/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年4月13日 日経Tech-Onより

GaNで名大と産総研がタッグ、パワー素子の早期実用化を狙う 研究組織「GaN-OIL」を設立

産業技術総合研究所(産総研)は名古屋大学と共同で、「産総研・名大 窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ」(以下、GaN-OIL)を2016年4月1日に設立した。GaN系半導体の材料物性や基礎プロセスといった基礎研究に強みを持つ名古屋大学と、デバイス化(素子作製)技術や評価・解析技術に強みを持つ産総研がタッグを組むことで、GaN系半導体を用いたパワー素子や、新しい発光素子の早期実用化を目指す。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/041201569/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年4月13日 日経Tech-Onより

TECHNO-FRONTIER 2016 三菱電機が第7世代IGBT搭載の産業用IPM、従来比で30%小型化

三菱電機は、同社の第7世代のIGBTを搭載した産業機器向けIPMの新製品「IPM G1シリーズ」を開発した(発表資料 )。産業機器向けIPMに第7世代品を搭載するのは今回が初めて。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/032200049/041300006/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年4月6日 日経Tech-Onより

TECHNO-FRONTIER 2016 三菱が新パッケージの高出力モジュール、3.3kV・450Aから

三菱電機は、新しいパッケージを採用した高出力パワーモジュール「HVIGBTモジュールXシリーズ 新型デュアル」を開発した。
(出典:日経テクノロジーオンライン、三菱電機ニュースリリース)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/032200049/040600002/?ST=powerelehttp://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2016/pdf/0406.pdf(新しいウインドウで開きます)        

2016年3月31日 日経Tech-Onより

TECHNO-FRONTIER 2016 三菱電機、第7世代IGBT搭載のモジュールに1.7kV品を追加

三菱電機は、同社の第7世代のIGBTを搭載した、産業機器向けパワーモジュール「IGBTモジュールTシリーズ」の製品ラインアップを拡充する(ニュースリリース)。具体的には、定格電圧(耐圧)1.7kVの17品種を追加する。2016年9月から順次サンプル出荷を始める。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/032200049/033100001/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年3月30日 日経Tech-Onより

SiCパワー半導体用の接合部が自己修復、製品寿命を改善

大阪大学とデンソーは2016年3月28日、新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)プロジェクトにおいて、シリコンカーバイド(SiC)パワー半導体の長期信頼性向上が期待できる接合材の自己修復現象を発見したと発表した(ニュースリリース)。高温の機器動作環境下で、接合材に使った銀焼結材の亀裂が自己修復するというもので、自動車分野などへのSiCパワー半導体の適用可能性を大きく高めるという。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/033001335/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年3月29日 日経Tech-Onより

富士電機のSJ-MOS、抵抗を25%減、リカバリー時間を半減

富士電機は、スーパージャンクション(SJ:Super Junction)型パワーMOSFETの新製品「Super J MOS S2シリーズ」と「Super J MOS S2FDシリーズ」を発売した(発表資料)。両シリーズは従来製品(S1シリーズ)に比べて、同じチップ面積で、通電時の抵抗を約25%低減した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/032901315/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年3月24日 日経Tech-Onより

APEC 2016 TIが600VのGaNパワー素子、65V入力のDC-DCコンバーター制御ICもアピール

米Texas Instruments(TI)社は、同社初となる耐圧600VのGaNパワートランジスタを開発し、「APEC 2016」に併設された展示会場でデモを見せた。ゲートドライバーとともに、8mm角のQFNパッケージに封止する。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/032200048/032400007/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年3月24日 日経Tech-Onより

APEC 2016 次世代パワー半導体、GaNよりAlGaN

次世代パワー半導体はGaNよりAlGaN――。そんな研究成果を米Sandia National Laboratoriesらのグループが「APEC 2016」で発表した(米Avogy社との連名)。登壇したRobert J. Kaplar氏は、AlGaNで試作したパワー素子の特性などを明らかにした。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/032200048/032400009/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年3月23日 日経Tech-Onより

APEC 2016 GaNをアシストスーツに、SiCを蓄電池システムに パナソニックが展示

パナソニックは、APEC 2016の展示場において、同社のGaNパワー素子やSiCパワー素子の製品や、同製品の応用を想定したデモを披露した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/032200048/032300004/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年3月23日 日経Tech-Onより

APEC 2016 「10年変わらないACアダプターに変革を」、MIT発ベンチャーが講演 APEC 2016の「Plenary Session」から

パワーエレクトロニクス関連のイベント「APEC 2016」の「Plenary Session」において、小型ACアダプターを手掛ける米国のベンチャー企業FINsix社のTony Sagneri氏が登壇し、「The Challenges of VHF Power Conversion」と題して講演した。この中で同氏は、ここ10年間、出力60W級のノートパソコン用ACアダプターに大きな変化がないと指摘。その上で、同社が手がける小型ACアダプターをアピールした。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/032200048/032300005/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年3月23日 日経Tech-Onより

APEC 2016 サーバー電源にGaN、採用に自信を見せるTransphorm

米Transphorm社は、「APEC 2016」に併設された展示会で、GaNパワートランジスタの新製品を発表した。同製品を利用した電力変換器の参照デザインを見せた。中でも、サーバー用電源に力を入れる。「まもなく、採用顧客を明かせるだろう」(説明員)とする。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/032200048/032300006/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年3月23日 日経Tech-Onより

安価な銀粒子で低抵抗率な銀ペーストを実現

導電性ペーストの開発、製造を手掛ける京都エレックスは、サブミクロンサイズの銀粒子を原料として抵抗率を4×10-6Ωと、金属の2.5倍程度に抑えた銀ペーストを開発した。抵抗率が小さいと同時に、熱伝導率も高く、銀の含有率を減らして低コスト化することも可能という。同社ではウェアラブルデバイス分野のほか、パワー半導体分野での応用を期待する。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/032301210/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年3月22日 日経BPnetより

APEC 2016 20年後の電力変換器はこうなる APEC 2016の「Plenary Session」から

パワーエレクトロニクス関連のイベント「APEC 2016」の「Plenary Session」において、マイクロコンバーターを手掛ける米Enphase Energy社のMichael Harrison氏が登壇し、「The Future of Power Electronics Design」と題して講演した。この中で同氏は、パワーエレクトロニクスが勃興したころ(1975年)と現在(2015年)の状況を比較した上で、将来の電力変換器の仕様などを予測した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://www.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/03/22/08570/?rt=nocnt(新しいウインドウで開きます)

2016年3月14日 日経Tech-Onより

次世代パワーデバイスの低コスト化のカギは結晶にあり千葉工業大学 山本秀和教授に「パワーデバイスの実用化に向けた課題と解決策」を聞く【後編】

後編の今回は、SiCやGaNなどの次世代パワーデバイスの今後の方向性や、同氏が理事を務めるパワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)での活動内容について聞いた。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/column/15/090100007/022500017/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年3月14日 日経Tech-Onより

AlとAlN接合にMgやOなどの不純物元素が寄与

東京大学は2016年3月10日、アルミニウム(Al)合金とセラミックスである窒化アルミニウム(AlN)基板の異材接合を原子レベルで直接観察し、その界面に偏析するMgの単原子層が接合を強化・安定化していることを明らかにしたと発表した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/031401053/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年3月7日 日経Tech-Onより

STMicro、逆回復電荷と逆回復時間を低減した650V耐圧MOSFET

伊仏合弁STMicroelectronics社は、スーパージャンクション(SJ)構造を採用したnチャネル型パワーMOSFETの新しい製品ファミリー「MDmesh DM2」を発売した(ニュースリリース)。対応する耐圧範囲は+400?650Vである。特徴は、ボディーダイオードを改良して逆回復電荷(Qrr)と逆回復時間(trr)を減らしたことと、オン抵抗を削減したことである。オン抵抗については、同社従来の製品ファミリーと比較すると約20%削減したという。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/030400225/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年3月7日 日経Tech-Onより

シリコンは、パワーデバイスの主流であり続けられるのか?千葉工業大学 山本秀和教授に「パワーデバイスの実用化に向けた課題と解決策」を聞く【前編】

半導体産業において、パワーデバイスはロジックやメモリーといった華やかなものと異なり、一見地味な存在に映る。しかし、電力変換・制御を主目的としたパワーデバイスへの注目度は年々増している。省エネルギー化の推進に向け、パワーデバイスはパワーエレクトロニクス製品を構成する上で、モーターと並び文字通りキーデバイスとして位置付けられている。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/column/15/090100007/022500016/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年2月13日 日経Tech-Onより

直流給電とSiC採用のサーバー用電源、富士電機が開発

富士電機は、データセンターのサーバー用バックアップ電源システムの新製品を開発し、販売を始めた。2018年度に20億円の売上を目指す。 同システムは、サーバーラックに対して交流(AC)で供給された電力を、サーバーの稼働に必要な直流(DC)に変換して電力を供給する。従来3回必要だった電力変換を 1回に減らしたことで、既存システムに比べて電力損失を8%減らせるという。(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/021300606/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)         

2016年2月9日 日経Tech-Onより

SiC MOSFETが産業用バッテリーチャージャーに Wolfspeedの製品をGruppo PBMが採用

米国Wolfspeed社は、同社の耐圧1200VのSiC MOSFETが、産業用充電器などを手がけるイタリアGruppo PBM社のバッテリーチャージャーの新製品「HF9」シリーズに採用されることを明らかにした。同シリーズは、SiC MOSFETを採用したことで産業用バッテリーを高効率に充電できるという。同シリーズの出力レンジは6k~16kWとする。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/020900548/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2016年2月5日 日経Tech-Onより

川崎重工、エネルギー効率を高めた新型通勤車両 「SiCハイブリッド素子」を採用、 西日本鉄道から受注

川崎重工業は、西日本鉄道から新型通勤車両「9000形」18両を受注した。川崎重工業が1975~1991年に納入した「5000形」を置き換えるもの。同社は、兵庫工場(神戸市)で新型車両を製造し、2016~2017年度に納入する。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/020500502/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)            

2016年1月25日 日経Tech-Onより

「70%の省エネと3倍の生産性」、GaN利用のマイクロ波加熱 三菱電機やマイクロ波化学などが開発

三菱菱電機とマイクロ波化学、東京工業大学、龍谷大学は共同で、消費電力が少なく、かつ生産性を高めたマイクロ波加熱装置を開発した。
(出典:日経テクノロジーオンライン、三菱電機ニュースリリース)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/012500274/http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2016/0125.pdf