1. ホーム
  2. SiCに関する技術情報>
  3. プロジェクト情報>
  4. SiC関係の国プロジェクトの概要

SiCに関する技術情報

SiC関係の国プロジェクトの概要

 

関連する国プロジェクトの概要は次の通りです。

次世代パワーエレクトロニクス技術開発(グリーンIT)(終了)

【研究期間(平成21年度~平成24年度)】

データセンタのサーバ電源やその電力源としての分散型太陽光発電システムに用いる電力変換器用パワーデバイスを、従来のシリコンに代わり、より低損失かつ高耐電圧であるシリコンカーバイド(SiC)を用いたものとし、システムレベルでの低損失性(高効率性)を実証する。
また、変換器の革新的な設計技術/実装技術を開発する。

  • 使用するウエハは3インチ、4インチ
  • [耐圧] 1kVクラス
    [サーバ電源] 出力2kW級、効率94%以上
    [太陽電池システム電源コンディショナー] 10kW級、効率98%以上

低炭素社会を実現する新材料パワー半導体プロジェクト

【研究期間(平成22年度~平成26年度)】

次世代自動車等に用いられるインバータ(電力変換装置)について、圧倒的に省エネ(電力損失1/100以下)で高性能なパワー半導体の実用化のために、高品質・低コストな大口径SiCウエハの安定供給技術、高耐圧・高信頼性のSiCスイッチングデバイスの製造技術を確立する。

  • 6インチウエハ量産・高品質化、及び切断・研削・研磨の加工技術
  • 6インチ多数枚エピ、及び高速・厚膜エピ技術
  • デバイス
    [耐圧] 3~5kV
    [開発対象デバイス構造] MOSFET

 

低炭素社会創成へ向けた炭化珪素(SiC)革新パワーエレクトロニクスの研究開発(終了)

<最先端研究開発支援プログラム>
【研究期間(平成21年度~平成25年度)】

シリコンカーバイド(SiC)は、シリコン(Si)と比べて小型で消費電力の少ないパワーデバイスの作製が可能であるなど、優れた性能を有した半導体である。このため、SiCを用いた高性能半導体デバイスの実用化に向けた先端的基盤技術を確立する。
将来的には、消費電力の少ない鉄道、自動車、家電製品等の実用化により、環境と調和した社会の実現を目指す。

  • 超厚膜多層エピ技術
  • デバイス
    [耐圧] 10kV以上
    [開発対象デバイス構造] バイポーラデバイス(IGBT)
  • p型、点欠陥等に関する基礎基盤研究

 

産業変革研究イニシアティブ「SiCデバイスの量産試作」(終了)

【研究期間(平成20年度~平成23年度)】

SiCデバイスチップ(3~4インチSiCウエハを用いたSBD、MOSFET等)の少量量産試作ラインを構築し、実用レベルのSiCデバイスチップ製造における問題点の抽出と課題解決を行う。また、試作されたSiCデバイスチップを応用システム側へ供給し、次世代高効率インバータの開発促進と適用分野拡大を図る。

本研究開発は終了し、つくばパワーエレクトロニクスコンステレーション(TPEC) の活動展開につながった。

なお、各プロジェクトのウエブサイトは次の通りです。