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国内外のニュース/情報

2017年9月29日以前のニュース/情報

2017年9月29日

SiC MOSFETの積年の課題を克服へ、低抵抗と高い短絡耐性を両立

三菱電機は、低いオン抵抗と長い短絡許容時間を両立させる、新しい素子構造を開発した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/feature/15/122200045/092700119/?ST=device

2017年9月19日

STMicro、SJ型MOSFETを搭載した600V/3A対応IPM

伊仏合弁STMicroelectronics社は、スーパージャンクション(SJ)型パワーMOSFETを搭載した+600V耐圧のインテリジェント・パワー・モジュール(IPM)「STIPQ3M60T-HL/ STIPQ3M60T-HZ」を発売した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/091600948/?ST=device

2017年9月14日

住友電工がSiCエピ基板を量産、4~6インチ

住友電気工業は、SiCウエハー(基板)上にエピタキシャル層を積層したエピタキシャル(エピ)基板の量産を始めた。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/091409182/?ST=device

SiCのオペアンプ、放射線耐性がSi比100倍

日立製作所は、SiCを利用したCMOS集積回路技術を開発した。SiCは、ディスクリートのパワーデバイスとして利用されるのが一般的。今回のような集積回路に用いるのは珍しい。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/091409183/?ST=device

昭和電工、パワー半導体用SiCエピウエハーの生産能力を増強

昭和電工は、パワー半導体の材料である炭化ケイ素(SiC)エピタキシャルウエハーのうち、高品質な品種である「ハイグレードエピ(HGE)」の生産能力を増強する。生産能力を現在の3000枚/月から5000枚/月に高める。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15am/091400148/?ST=device

2017年9月4日

三菱電機、75A出力の1200V耐圧IGBTモジュール

三菱電機は、定格電流が75Aと大きい+1200V耐圧のIGBTモジュール「PSS75SA2FT」を発売した。同社の「1200V大型DIP-IPM(Dual-In-Line Package Intelligent Power Module Ver.6シリーズ」に新たに追加した製品である。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/090200935/?ST=device

秋季応用物理学会より(筑波大まとめ)

[5p-PB8-2]4H-SiCにおける基底面部分転位の収縮および貫通刃状転位への変換現象に関する分子動力学解析 (東大工)

エピ成長においてBPDがTEDに変換する現象を分子動力学解析を行った。表面と転位の距離が小さくなるほど転位ペアの幅が収縮し、オフ角付き表面がBPD部分転位の収縮に重要な役割をしていることを示した。また、表面近傍に強い圧縮応力が生じるとBPD部分転位が不動化する現象が見られ、TED転換の阻害となる可能性を示した。(ポスターアワード受賞)

[6p-A201-5]4H-SiCにおける積層欠陥発生に関する応力依存性評価 (東芝、東大工、富士電機、産総研)

バイポーラ素子の順方向通電時におけるSchockley型積層欠陥(SSF)の発生は、圧縮/引張応力の影響を受けることを示した。例えば、方向に300MPaの圧縮応力を印加すると、無応力時に比べてSSF発生しきい値電流が30A/cm2低下し、方向では引張応力を印加すると40A/cm2低下した。

[6p-A201-6]4H-SiC PiN ダイオードの順方向通電劣化における電流密度と積層欠陥拡張起点の関係(2) (産総研、東レリサーチセンター、昭和電工、富士電機)

バイポーラ素子の順方向通電時にみられる積層欠陥(SF)発生による劣化を引き起こすしきい値電流は350-600Acm-2と大きなばらつきがみられる。このばらつきの要因の一つとして、BPD-TED転換深さ位置によることを示した。

ICSCRM2017より(筑波大まとめ)

一般情報;参加者630名(USA、JPN、韓国、ドイツ の順)、論文数はJPN、USA、ドイツ、中国 の順

(1) 「SiC-MOSFET」(三菱電機)

低オン抵抗と高SCSOAを両立させる、プレーナーMOSFET新素子構造を発表。N+ソース層形状に工夫。1200V RonA=5mΩcm2, SCSOA=9μsec

(2) 「SiC-IC」(日立製作所)

SiCを利用したCMOS集積回路技術を開発。原子力発電の計測器監視用のIC。ガンマ線に対する耐量向上がポイント。

(3) 「トレンチMOSFETで新構造を提案」(デンソー)

トレンチゲート底部の電界緩和層(深いP層)を、従来のトレンチゲート構造と平行な配置から、垂直な配置にすることで、より微細化が実現できるとの提案があった。耐圧1800VでRonA=2mΩcm2 を実現した。

(4) その他情報

USAからのSiC-MOSFETの発表は、トレンチゲート構造は1件もなく、すべてがプレーナゲート構造であったのが注目される。

2017年9月25日

松波弘之会長 公益財団法人本田財団 2017年本田賞を受賞

本法人会長である松波弘之京都大学名誉教授が、公益財団法人本田財団の2017年本田賞を受賞されることになりました。1980年に創設された本賞は、科学技術分野における日本初の国際賞であり、人間環境と自然環境を調和させるエコテクノロジーを実現させ、結果として「人間性あふれる文明の創造」に寄与した功績に対し、毎年1件の表彰を行っています。松波会長は、電力制御に用いる半導体素子「パワーデバイス」に高効率な電力制御を実現する素材「シリコンカーバイド(SiC)」を用いる研究を世界に先駆けて行い、その結果として実用化されたSiCパワーデバイスが電力の供給や制御において発生する電力損失を大幅に削減したとして、今回の授賞に至りました。詳細については、下記URLをご参照ください。
http://www.honda.co.jp/news/2017/c170925a.html?from=RSS
https://motor-fan.jp/tech/10001157

2017年8月29日

48V電源IC、クルマ以外も狙うローム

自動車の48V化が進んでいる。48V化した車両は、12V出力の電源(電池)に加えて48V出力の電源を搭載する。電源IC市場の需要拡大につながるとみるパワー半導体メーカーが、続々と対応ICを発表している。ロームは、電源回路の小型化につながる48V対応電源ICで、車載に加え産業機器の市場も狙う。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/feature/15/122200045/082500076/?ST=powerele

2017年8月24日

東芝、60V耐圧パワーMOSFETの品揃えを拡充

東芝は、+60V耐圧パワーMOSFET「U-MOSⅨ-Hシリーズ」の品揃えを拡充した。同社の最新パワーMOSFETプロセスである「U-MOSⅨ-H」技術で製造したチップを、TO-220パッケージとTO-220SISパッケージに封止した製品をそれぞれ2つずつ製品化した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/082400922/

Infineon、SOT-223封止のSJ型パワーMOSFET

独Infineon Technologies社は、SOT-223パッケージに封止したスーパージャンクション(SJ)型パワーMOSFETを発売した。同社のSJ型パワーMOSFET製品ファミリーである「CoolMOS P7」に含まれるものだ。600V耐圧品と700V耐圧品、800V耐圧品を用意した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/082400919/

Semtech、最大10Aに対応した固体リレー用ドライバーIC

米Semtech社は、最大10Aの突入電流に対応できる固体リレー用ドライバーIC「TC13401」を発売した。連続動作時は最大で5Aの電流に対応可能だ。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/082400920/

2017年8月23日

太陽光・風力・蓄電池の高圧マイクログリッド、自立運転の成功

米国のエネルギー大手Ameren社と重電大手のS&C Electric社は8月17日、イリノイ州シャンペーン(Champaign)で構築したマイクログリッドで系統網から切り離して電力供給する「アイランド・モード」の実証を行い、太陽光・風力発電、蓄電池からの放電だけで24時間の自立運転に成功したと発表した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/082308844/

2017年8月22日

熊本県に34MWのメガソーラー着工、スマートソーラーが開発

スマートソーラー(東京都中央区)は、出力約34MWのメガソーラー(大規模太陽光発電所)「熊本山鹿ソーラーパークC」の安全祈願祭を8月3日に熊本県で開催し、工事を開始したと発表した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/082100916/

ローム、車載/産業機器向け3W定格の小型シャント抵抗器

ロームは、車載機器や産業機器などに向けた3W定格のシャント抵抗器「PSR100シリーズ」を発売した。外形寸法は6.35mm×3.05mm×0.35mmと小さい。大電流回路での電流検出用途に向ける。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/082100916/

2017年8月21日

EPC、6.78MHz動作の33W出力ワイヤレス給電用評価キット

米Efficient Power Conversion(EPC)社は、6.78MHz動作の33W出力ワイヤレス給電向け評価キット「EPC9120」を発売した。AirFuel Allianceが策定した仕様に準拠する。スマートフォンやノートパソコンなどに対するワイヤレス給電/充電に向ける。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/082000911/

2017年8月16日

メガソーラでマイクログリッド構築、インドでNEDOが実証

新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は8月14日、日印共同の「デリー・ムンバイ間産業大動脈構想」のもと、インド・ラジャスタン州ニムラナ工業団地のユーザー企業に対して、太陽光発電を活用して電力を安定供給するマイクログリッドシステムの実証を開始したと発表した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/081608775/

2017年8月9日

世界的な電動化の潮流、Audi社まず2車種のEV

ドイツAudi社日本法人社長の齋藤徹氏は2017年8月4日、「Automobile Council 2017」(幕張メッセ、2017年8月4~6日)にて同社の歴史や車両技術などを解説した。2017年7月に“レベル3”の自動運転機能を搭載した「A8」を発表したAudi社。自動運転で他社を一歩リードする同社だが、電気自動車(EV)では“後発組”となる。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/080908720/

2017年8月7日

新日鐵住金SiC単結晶ウェハ技術譲渡

新日鐵住金株式会社が、SiC単結晶ウェハの製造に係る技術を2018年1月末を目途に、昭和電工株式会社へ譲渡することを発表しました。今後は、昭和電工株式会社が、新日鉄住金グループからの譲渡資産等を活用して、日本のSiCパワー半導体市場の本格形成に寄与していくものと考えられます。
詳細については以下のwebサイトをご参照ください。
http://www.nssmc.com/news/20170807_100.html(新しいウインドウで開きます)
http://www.sdk.co.jp/news/2017/16031.html(新しいウインドウで開きます)

2017年7月27日

ロームが48V系HV向け降圧ICで入力電圧60Vを一気に2.5Vへ降圧

ロームは、12Vに加えて48Vを電装機器の電源電圧とする自動車の電子制御ユニット(ECU)向けに、降圧比が24と大きなDC-DCコンバーターICを開発した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/072708550/?ST=powerele&d=1501391075765(新しいウインドウで開きます)(新しいウインドウで開きます)        

TMEICが北米に新工場、太陽光向け3.2MW級のパワコン製造

東芝三菱電機産業システム(TMEIC)は7月26日、米テキサス州ケーティ市に建設していたパワーエレクトロニクス工場が8月に竣工し、生産を開始すると発表した。敷地面積は1万3100m2、建屋の面積は4180m2。北米でのパワーエレクトロニクス事業を強化する一環となる。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/072708526/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2017年7月18日

TDKがパワエレ向けコンデンサーの製品群を拡大

TDKは、「EPCOS」ブランドのパワーエレクトロニクス向け単相電力用コンデンサーの製品ラインアップを拡大した。これまで10μF~500μFだった静電容量範囲を5μF~600μFへ広げた。太陽光発電設備や風力発電設備のインバーターなどの需要に応える。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/071808403/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2017年6月21日

GaNパワー素子がクルマに載る、8インチ化も開始 (PCIM Europe 2017)

カナダのベンチャー企業GaN Systems社は、「PCIM Europe 2017」の展示ブースで、GaNパワートランジスタを採用した車載の電力変換器の参照デザインなどを出展した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/051500121/062100013/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

STMicro、表面実装に対応した3相モーター駆動用IPM

伊仏合弁STMicroelectronics社は、表面実装に対応した3相モーター駆動用インテリジェント・パワー・モジュール(IPM)「SLLIMM(Small Low Loss Intelligent Molded Module)-nanoファミリー」を発売した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/062000850/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2017年6月19日

GaNパワーデバイスでLED電球回路を60%小さく

高速動作が可能なGaN(窒化ガリウム)パワーデバイスをスイッチ素子として採用し、スイッチング周波数を、一般的なSi(シリコン)パワーデバイスの約10倍に高めることで、インダクタやコンデンサを小形化した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/feature/15/367653/052900023/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2017年6月13日

InfineonがTO-247PLUS封止のIGBT、定格電流を2倍に

独Infineon Technologies社は、「TO-247PLUS」パッケージに封止した+1200V耐圧のIGBTを発売した。既存のTO-247-3に比べ、同じ耐圧で低格電流を2倍に高められる。今回、1200V耐圧品で低格電流を最大75Aに高めた。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/061200841/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2017年6月1日

三菱がSBD内蔵のSiC MOSFET、6.5kV品で面積1/4に (ISPSD 2017)

三菱電機は、SiCのショットキーバリアダイオード(SBD)を作り込んだSiC MOSFETを試作した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/052600127/053100010/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2017年6月1日

ISPSD2017より(筑波大まとめ)

(1) SBD内蔵SiC-MOSFETの発表相次ぐ

三菱電機(株),Hestia Power Incorporated(台湾),Dynax Semiconductor Ltd(UK)がそれぞれ発表。耐圧クラスは、三菱電機が6.5kV, Hestia社は1.2kV, Dynex Semiconductorは10kV。三菱電機の発表では,SiC SBDとSiC MOSFETをそれぞれ用意する2チップ構成に比べて、1チップ化により、チップ面積を削減できることが特徴であるとのこと。

(2) Infineonが1.2kV トレンチMOSFETを発表

非対称構造トレンチゲート構造を採用。チャネル面は。RonA=3.5mΩcm2(R.T), 5.0mΩcm2(175℃)。Vth=4.5V(RT), 3.8V(175℃)。負荷短絡耐量は5μsec(Vg=+15V, Vcc=800V)。深いP+層を形成することで飽和電流を抑えている。またCrssも低減している。

2017年5月31日

独大手がSiC向け新型モジュール、低損失と高信頼をアピール (ISPSD 2017)

ドイツのSemikron Elektronik社は、SiC MOSFETに向けた新しいパワーモジュール「DPD(Direct Pressed Die)」を開発し、ISPSD 2017で発表した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

2017年5月30日

ローム、逆回復時間が短い600V耐圧のSJ型パワーMOSFET

ロームは、逆回復時間(Trr)が短い+600V耐圧のスーパージャンクション(SJ)型パワーMOSFET「R60xxMNxシリーズ」を発売した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/053000821/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

「SiC MOSFETに迫る低損失」、新型IGBTとSiCダイオードで (ISPSD 2017)

日立製作所は、電力損失が小さい新しいパワーモジュールを開発した。トランジスタはSi IGBTで、ダイオードにSiCショットキー・バリア・ダイオード(SBD)を利用した、ハイブリッド型のモジュールである。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/052600127/053000008/?ST=prem_device(新しいウインドウで開きます)

東大らが「パワエレ2.0」向け駆動IC、損失を半減 (ISPSD 2017)

東京大学と首都大学東京、横浜国立大学の研究グループは、プログラマブルなゲートドライバーICを試作した。従来よりもきめ細かく制御できるようにすることで、IGBTをターンオンした際の損失をおよそ半分にできるのが特徴である。ISPSD 2017で発表した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/052600127/052900005/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2017年5月29日

米SiC基板メーカー、200mm品の仕様を明らかに (ISPSD 2017)

米II-VI社は、ISPSD 2017のショートコースに登壇し、SiCウエハーの開発の歴史について講演した。この中で、同社がサンプル出荷している口径200mm(8インチ)のSiC基板について言及した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/052600127/052900003/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

パナが消費電力6割減の独自技術、GaNパワー素子の駆動ICで (ISPSD 2017)

パナソニックは、GaNパワートランジスタ向けに、絶縁性を備えたドライバーICを試作した。マイクロ波を用いるパナソニックの独自技術「DBM」を用いたもので、従来よりも消費電力を約60%削減したことが特徴だ。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/052600127/052900004/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2017年5月25日

富士電機もSiC トレンチMOSを量産へ、モジュール品も試作 (PCIM Europe 2017)

富士電機は、口径150mm(6インチ)のSiC基板を利用して、トレンチ型のSiC MOSFETを開発した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/051500121/052400011/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

STMicro、両面放熱パッケージ封止の車載用パワーMOSFET

伊仏合弁STMicroelectronics社は、外形寸法が5mm×6mm×0.8mmと小さい両面放熱パッケージである「PowerFLAT 5x6」に封止した車載用パワーMOSFET「STLD200N4F6AG/STLD125N4F6A」を発売した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/052400814/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2017年5月24日

ADI、SiC/GaNパワー素子に対応した絶縁ゲートドライバーIC

米 Analog Devices社(ADI)は、SiCパワー半導体やGaNパワー半導体に対応した絶縁ゲートドライバーICを4製品発売した。CMOS製造技術をベースに、同社の絶縁技術「iCoupler」で構成したトランスを組み合わせたものだ。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/052400812/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

出力密度53kVA/Lの富士電機の電動車両向けインバーター (PCIM Europe 2017)

富士電機は、出力密度が53kVA/リットルの電動車両向けインバーターを開発し、「PCIM Europe 2017」に出展した。この出力密度は「業界最高水準」(説明員)である。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/051500121/052400010/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2017年5月23日

ディスクリートIGBT向け新絶縁技術、熱抵抗を3割超削減 (PCIM Europe 2017)

ドイツInfineon Technologies社は、ディスクリートIGBTに向けて、新しい絶縁技術を開発し、「PCIM Europe 2017」に出展した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/051500121/052200009/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

STMicro、低オン抵抗と高い逆回復特性のSJ型MOSFET

伊仏合弁STMicroelectronic社は、低いオン抵抗と高い逆回復特性を同時に実現したスーパージャンクション(SJ)型パワーMOSFET「MDmesh DK5シリーズ」を発売した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/052300809/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2017年5月18日

三菱電機、産業用IGBTモジュールの熱抵抗を半分に (PCIM Europe 2017)

三菱電機は、ベースプレートを省いた構造と新しい熱伝導材料を採用することで、産業用IGBTモジュールの熱抵抗を約半分にした。この成果を、「PCIM Europe 2017」に併催のカンファレンスで発表した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/051500121/051800006/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

フルSiCの3.3kVモジュールを日立が開発、新パッケージを採用 (PCIM Europe 2017)

日立パワーデバイスは、耐圧3.3kVで出力電流が450AのSiCパワーモジュールを開発し、「PCIM Europe 2017」に出展した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/051500121/051800005/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2017年5月16日

GaNパワー素子を200mmウエハーで、仏Exaganらが量産技術(PCIM Europe 2017)

フランスのベンチャー企業であるExagan社と、SiファウンドリーのドイツX-FAB社は、口径200mm(8インチ)のSi基板によるGaNパワートランジスタの量産技術を確立したことを明らかにした。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/051500121/051500002/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2017年5月15日

STMicroが1200V耐圧のSiCダイオード、2~40A品を用意

伊仏合弁STMicroelectronics社は、1200V耐圧のSiCダイオードを発売した。pn接合とショットキー接合を組み合わせた接合型ショットキーバリアー(JBS:Junction Barrier Schottky)構造を採用したダイオードである。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/051200799/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

三菱電機、電流密度が高い3.3kV耐圧のIGBTモジュール

三菱電機は、電流密度が8.57A/cm2と高い3.3kV耐圧のIGBTモジュール「HVIGBTモジュールXシリーズ LV100タイプ」を2製品開発し、2017年9月に発売する。鉄道車両の駆動システムや、直流送電などの電力関連システム、大型産業機械向けインバーターなどに向ける。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/051200798/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2017年5月11日

Infineon、PFC回路を内蔵したモーター駆動用IPM

米Infineon Technologies社は、力率改善(PFC)回路を内蔵したモーター駆動用インテリジェント・パワー・モジュール(IPM)「CIPOS Mini」を発売した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/051100793/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2017年4月21日

半導体製造装置、Lam社が東京エレクトロンら抜いて2位に

市場調査などを手掛ける米Gartner社によれば、2016年の半導体製造装置の世界売上高は前年比11.3%増の374億米ドルとなった。メーカー別の売上高ランキングでは、米Lam Research社がオランダASML社と東京エレクトロンを抜いて2位に浮上した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15am/042100128/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2017年4月17日

Infineon、オン抵抗が0.65mΩと低い40V耐圧MOSFET

独Infineon Technologies社は、オン抵抗を低く抑えた+40V耐圧のnチャネル型パワーMOSFET「IRL40SC228/IRL40SC209」を発売した。同社が2015年に買収した米International Rectifier(IR)社のMOSFETファミリー「StrongIRFET」に含まれる製品である。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/041600761/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2017年4月11日

Infineon、700/800V耐圧MOSFET搭載の擬似共振電源IC

独Infineon Technologies社は、+700V/800V耐圧のパワーMOSFETを搭載した擬似共振方式対応のフライバック電源IC「ICE5QRxxxxAx」を発売した。パワーMOSFETを搭載した同社の電源ICファミリー「CoolSET」に含まれる製品だ。パワーMOSFETはスーパージャンクション(SJ)型であり、同社最新の「CoolMOS P7」を採用した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/041000752/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2017年4月10日

ルネサスが伝導車両向けインバータで「最小級」の新製品

ルネサス エレクトロニクスは、中型から大型のハイブリッド車(HEV)や中小型の電気自動車(EV)に向けたインバーターを開発した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/041007118/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2017年4月10日

Analog Devices、6GHz対応のGaNパワーアンプMMIC

米Analog Devices社は、対応する周波数範囲が2G?6GHzと広いGaN(窒化ガリウム)パワーアンプMM(Monolithic Microwave)IC「HMC7885/HMC7748」を発売した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/040900750/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2017年4月10日

Vishay、最大ドレイン電流が37,5Aの30V耐圧MOSFET

米Vishay Intertechnologym社は、連続時の最大ドレイン電流が37.8Aと大きい+30V耐圧のパワーMOSFET「SiA468DJ」を発売した。nチャネル型である。同社の第4世代に当たる「TrenchFET」技術で製造した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/040900751/?ST=device(新しいウインドウで開きます)

2017年3月22日

SiC/GaNパワー半導体、2025年に市場規模が8.5倍に

市場調査を手掛ける富士経済は、SiCやGaNなどの次世代パワー半導体の世界市場を調査し、SiC/GaNの合計で市場規模が2025年に2016年の8.5倍まで拡大すると予測した。SiC/GaNを用いるパワー半導体は、2016年の市場規模が219億円だったのに対し、2025年は1860億円まで拡大するという。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15am/032200121/(新しいウインドウで開きます)

2017年3月15~17日

平成29年 電気学会全国大会(@富山大学)より(筑波大まとめ)

(1) GaN FET搭載ゲートドライバのよるSiC MOSFETの20MHz駆動(京都大学大学院、講演番号4-017)

SiCを高速駆動(20MHz)するために、ゲートドライバにGaN FETを用いた報告。ゲートドライバの終段にプッシュプル構造のGaN FETを用い、高速駆動を実現した。このゲートドライバを用いて、SiC MOSFETの20MHzでのハードスイッチングが実現できたと報告。

(2) 小型パワーコントロールユニットの開発(三菱電機、講演番号4-112)

フルSiCのストロングハイブリッド車用パワーコントロールユニット開発の報告。全体で430kVAの電力を86kVA/Lの高電力密度を実現した。モジュールの寄生インダクタンスをPN端子間で7nHと小さくすることで高速スイッチングを実現、インダクタを小型化している。
(出典:アブストラクトpp252-255より和訳・要約)

(3) パワーデバイスの過電流検出用センスセルを用いたモータ電流検出(デンソー、講演番号4-033)

PMSM制御のための出力電流検出を、パワーデバイスに備わっている過電流検出用センスセルを用いて行った報告。これによって、ホールセンサを用いる必要がなくなるため、システムの小型化が図られる。センスセルのソースをメインセルのソースに仮想接地する回路を用い、電流検出精度の向上が図られた。

2017年3月9日

三菱電機がHEV用超小型SiCインバーター、体積5リットル

小型化への技術的なポイントは主に2つ。第1はフルSiCパワー半導体モジュールを採用したこと。これで電力損失を低減し、インバーターの小型化を実現すると共にHEVの燃費向上に寄与するとしている。第2のポイントは、パワー半導体モジュールと冷却器をはんだで接続する高放熱構造を採ったこと。これによりインバーターを小型化しつつ、長期信頼性を確保した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/030806640/(新しいウインドウで開きます)

2017年3月2日

三菱電機、電源システム向けSiCパワー半導体を発売

三菱電機は、エアコンや太陽光発電などの電源システム向けSiCショットキー・バリアー・ダイオード「SiC-SBD」を発売した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/030206552/(新しいウインドウで開きます)

2017年2月28日

三菱電機、HEVやEV向けインバーターなど生産体制を増強

三菱電機は、姫路製作所広畑工場(兵庫県姫路市)に新棟を建設し、モータージェネレーターや、ハイブリッド車・電気自動車向けインバーターの生産体制を強化する。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15am/022800120/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2017年2月27日

Infineon、MOSFETを集積した3A出力の降圧型DC-DCコンIC

独Infineon Technologies社は、パワーMOSFETを集積した最大3A出力の降圧型DC-DCコンバーターIC「IR3883」を発売した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/022500687/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

ロームと独企業がSiCモジュールの国内販売でタッグ

ロームは、パワーモジュールメーカー大手のドイツSEMIKRON社の日本法人であるセミクロンとSiCパワーデバイスや同デバイスを用いたモジュール製品の国内販売で協力する。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/022706476/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2017年2月24日

InfineonによるCreeのSiCパワー部門買収が破談に

ドイツInfineon Technologies社による、米Cree社のパワーデバイスとRFデバイスの部門「Wolfspeed」の買収が破談となった。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/022106373/?ST=powerele(新しいウインドウで開きます)

2017年1月30日

(1)Vishayが第4世代のSJ型パワーMOSFET、オン抵抗は30%減

米Vishay Intertechnology社は、同社の第4世代に相当するスーパージャンクション(SJ)型パワーMOSFET「SiHP065N60E」を発売した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/013000654/?rt=nocnt(新しいウインドウで開きます)

(2)東工大と産総研、パワーデバイス内部電界の正確な計測に成功

東京工業大学と産業技術総合研究所(産総研)らのグループは2017年1月26日、ダイヤモンドパワーデバイス内部に原子レベルの構造である窒素-空孔(NV)センターを形成し、高電圧動作中のパワーデバイス内部の電界強度を定量的にナノメートルスケールで計測することに成功したと発表した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/013006009/?P=2(新しいウインドウで開きます)

2017年1月24日

東芝、オン抵抗を削減した800V耐圧のSJ型パワーMOSFET

東芝は、単位体積当たりのオン抵抗を同社従来品に比べて約79%削減した800V耐圧のスーパージャンクション(SJ)型パワーMOSFETを8製品発売した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/012400645/(新しいウインドウで開きます)

2017年1月23日

STMicro、動作接合部温度が最大+150℃と高いサイリスター

伊仏合弁STMicroelectronics社は、動作接合部温度が最大+150℃と高いサイリタ「TN4015H」を発売した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/012000635/(新しいウインドウで開きます)

2017年1月20日

モーターとインバーターの一体化で容積30%減、明電舎

明電舎は、モーターとインバーターを一体化した電気駆動システムを試作し、「オートモーティブワールド2017」で披露した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/011800101/012000011/(新しいウインドウで開きます)