SiCに関する技術情報
デバイス・プロセス分野
- アクティブゲート制御
- アクティブ酸化
- イオン注入法
- インパットダイオード
- ウェット酸化（パイロジェニック酸化）
- 埋め込みトレンチ型SiC-JFET
- オーミックコンタクト
- 化学研磨
- 活性化アニール
- キャップアニール
- 傾斜エッチング法
- ゲートスタック
- 欠陥選択エッチング
- 最大接合温度（ジャンクション温度）
- 酸化膜信頼性
- 実効移動度
- 終端構造
- スーパージャンクション
- ターマン法
- ダウンフォール
- チャネル移動度
- デルタドープ法
- 電界効果移動度
- ノーマリーオフJFET
- バイポーラ劣化
- バリガー(Baliga)の性能指数
- パンチスルー
- フラットバンドシフト電圧
- 放電加工
- マルチワイヤーソー切断
- メサJTE
- ライフタイムキラーとキャリヤライフタイム
- ワイヤーソーの搖動(rocking)方式
- ACCUFET（Accumulation mode Field Effect Transistor：蓄積モードFET）
- 触媒基準エッチング（CARE）
- CMP (Chemical Mechanical Polishing)
- DMOSFET
- Hi-Lo C-V法
- IEMOSFET
- MOS界面準位密度評価法
- PCVM (Plasma Chemical Vaporization Machining)
- RESURF
- SiC-DACFET
- SiC-MESFET
- TLM法
- 2017年8月10日
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