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オールジャパンの「情報交差点」で、「パワー半導体 SiC」の開発に未来が見える。
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記事情報


2017年8月29日
48V電源IC、クルマ以外も狙うローム new

自動車の48V化が進んでいる。48V化した車両は、12V出力の電源(電池)に加えて48V出力の電源を搭載する。電源IC市場の需要拡大につながるとみるパワー半導体メーカーが、続々と対応ICを発表している。ロームは、電源回路の小型化につながる48V対応電源ICで、車載に加え産業機器の市場も狙う。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/feature/15/122200045/082500076/?ST=powerele


2017年8月24日
東芝、60V耐圧パワーMOSFETの品揃えを拡充 new

東芝は、+60V耐圧パワーMOSFET「U-MOS\-Hシリーズ」の品揃えを拡充した。同社の最新パワーMOSFETプロセスである「U-MOS\-H」技術で製造したチップを、TO-220パッケージとTO-220SISパッケージに封止した製品をそれぞれ2つずつ製品化した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/082400922/

Infineon、SOT-223封止のSJ型パワーMOSFET

独Infineon Technologies社は、SOT-223パッケージに封止したスーパージャンクション(SJ)型パワーMOSFETを発売した。同社のSJ型パワーMOSFET製品ファミリーである「CoolMOS P7」に含まれるものだ。600V耐圧品と700V耐圧品、800V耐圧品を用意した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/082400919/

Semtech、最大10Aに対応した固体リレー用ドライバーIC

米Semtech社は、最大10Aの突入電流に対応できる固体リレー用ドライバーIC「TC13401」を発売した。連続動作時は最大で5Aの電流に対応可能だ。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/082400920/


2017年8月23日
太陽光・風力・蓄電池の高圧マイクログリッド、自立運転の成功 new

米国のエネルギー大手Ameren社と重電大手のS&C Electric社は8月17日、イリノイ州シャンペーン(Champaign)で構築したマイクログリッドで系統網から切り離して電力供給する「アイランド・モード」の実証を行い、太陽光・風力発電、蓄電池からの放電だけで24時間の自立運転に成功したと発表した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/082308844/


2017年8月22日
熊本県に34MWのメガソーラー着工、スマートソーラーが開発 new

スマートソーラー(東京都中央区)は、出力約34MWのメガソーラー(大規模太陽光発電所)「熊本山鹿ソーラーパークC」の安全祈願祭を8月3日に熊本県で開催し、工事を開始したと発表した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/082100916/

ローム、車載/産業機器向け3W定格の小型シャント抵抗器

ロームは、車載機器や産業機器などに向けた3W定格のシャント抵抗器「PSR100シリーズ」を発売した。外形寸法は6.35mm×3.05mm×0.35mmと小さい。大電流回路での電流検出用途に向ける。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/082100916/


2017年8月21日
EPC、6.78MHz動作の33W出力ワイヤレス給電用評価キット new

米Efficient Power Conversion(EPC)社は、6.78MHz動作の33W出力ワイヤレス給電向け評価キット「EPC9120」を発売した。AirFuel Allianceが策定した仕様に準拠する。スマートフォンやノートパソコンなどに対するワイヤレス給電/充電に向ける。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/082000911/


2017年8月16日
メガソーラでマイクログリッド構築、インドでNEDOが実証 new

新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は8月14日、日印共同の「デリー・ムンバイ間産業大動脈構想」のもと、インド・ラジャスタン州ニムラナ工業団地のユーザー企業に対して、太陽光発電を活用して電力を安定供給するマイクログリッドシステムの実証を開始したと発表した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/081608775/


2017年8月9日
世界的な電動化の潮流、Audi社まず2車種のEV new

ドイツAudi社日本法人社長の齋藤徹氏は2017年8月4日、「Automobile Council 2017」(幕張メッセ、2017年8月4〜6日)にて同社の歴史や車両技術などを解説した。2017年7月に“レベル3”の自動運転機能を搭載した「A8」を発表したAudi社。自動運転で他社を一歩リードする同社だが、電気自動車(EV)では“後発組”となる。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/080908720/


2017年8月7日
新日鐵住金SiC単結晶ウェハ技術譲渡

新日鐵住金株式会社が、SiC単結晶ウェハの製造に係る技術を2018年1月末を目途に、昭和電工株式会社へ譲渡することを発表しました。今後は、昭和電工株式会社が、新日鉄住金グループからの譲渡資産等を活用して、日本のSiCパワー半導体市場の本格形成に寄与していくものと考えられます。
詳細については以下のwebサイトをご参照ください。
http://www.nssmc.com/news/20170807_100.html
http://www.sdk.co.jp/news/2017/16031.html


2017年7月27日
ロームが48V系HV向け降圧ICで入力電圧60Vを一気に2.5Vへ降圧

ロームは、12Vに加えて48Vを電装機器の電源電圧とする自動車の電子制御ユニット(ECU)向けに、降圧比が24と大きなDC-DCコンバーターICを開発した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/072708550/?ST=powerele&d=1501391075765

TMEICが北米に新工場、太陽光向け3.2MW級のパワコン製造

東芝三菱電機産業システム(TMEIC)は7月26日、米テキサス州ケーティ市に建設していたパワーエレクトロニクス工場が8月に竣工し、生産を開始すると発表した。敷地面積は1万3100m2、建屋の面積は4180m2。北米でのパワーエレクトロニクス事業を強化する一環となる。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/072708526/?ST=powerele


2017年7月18日
TDKがパワエレ向けコンデンサーの製品群を拡大

TDKは、「EPCOS」ブランドのパワーエレクトロニクス向け単相電力用コンデンサーの製品ラインアップを拡大した。これまで10μF〜500μFだった静電容量範囲を5μF〜600μFへ広げた。太陽光発電設備や風力発電設備のインバーターなどの需要に応える。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/071808403/?ST=device


2017年6月21日
GaNパワー素子がクルマに載る、8インチ化も開始 (PCIM Europe 2017)

カナダのベンチャー企業GaN Systems社は、「PCIM Europe 2017」の展示ブースで、GaNパワートランジスタを採用した車載の電力変換器の参照デザインなどを出展した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/051500121/062100013/?ST=device

STMicro、表面実装に対応した3相モーター駆動用IPM

伊仏合弁STMicroelectronics社は、表面実装に対応した3相モーター駆動用インテリジェント・パワー・モジュール(IPM)「SLLIMM(Small Low Loss Intelligent Molded Module)-nanoファミリー」を発売した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/062000850/?ST=device


2017年6月19日
GaNパワーデバイスでLED電球回路を60%小さく

高速動作が可能なGaN(窒化ガリウム)パワーデバイスをスイッチ素子として採用し、スイッチング周波数を、一般的なSi(シリコン)パワーデバイスの約10倍に高めることで、インダクタやコンデンサを小形化した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/feature/15/367653/052900023/?ST=device


2017年6月13日
InfineonがTO-247PLUS封止のIGBT、定格電流を2倍に

独Infineon Technologies社は、「TO-247PLUS」パッケージに封止した+1200V耐圧のIGBTを発売した。既存のTO-247-3に比べ、同じ耐圧で低格電流を2倍に高められる。今回、1200V耐圧品で低格電流を最大75Aに高めた。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/061200841/?ST=device


2017年6月1日
三菱がSBD内蔵のSiC MOSFET、6.5kV品で面積1/4に (ISPSD 2017)

三菱電機は、SiCのショットキーバリアダイオード(SBD)を作り込んだSiC MOSFETを試作した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/052600127/053100010/?ST=device


2017年6月1日
ISPSD2017より(筑波大まとめ)

(1) SBD内蔵SiC-MOSFETの発表相次ぐ
三菱電機(株),Hestia Power Incorporated(台湾),Dynax Semiconductor Ltd(UK)がそれぞれ発表。耐圧クラスは、三菱電機が6.5kV, Hestia社は1.2kV, Dynex Semiconductorは10kV。三菱電機の発表では,SiC SBDとSiC MOSFETをそれぞれ用意する2チップ構成に比べて、1チップ化により、チップ面積を削減できることが特徴であるとのこと。

(2) Infineonが1.2kV トレンチMOSFETを発表
非対称構造トレンチゲート構造を採用。チャネル面は<11-20>。RonA=3.5mΩcm2(R.T), 5.0mΩcm2(175℃)。Vth=4.5V(RT), 3.8V(175℃)。負荷短絡耐量は5μsec(Vg=+15V, Vcc=800V)。深いP+層を形成することで飽和電流を抑えている。またCrssも低減している。


2017年5月31日
独大手がSiC向け新型モジュール、低損失と高信頼をアピール (ISPSD 2017)

ドイツのSemikron Elektronik社は、SiC MOSFETに向けた新しいパワーモジュール「DPD(Direct Pressed Die)」を開発し、ISPSD 2017で発表した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)


2017年5月30日
ローム、逆回復時間が短い600V耐圧のSJ型パワーMOSFET

ロームは、逆回復時間(Trr)が短い+600V耐圧のスーパージャンクション(SJ)型パワーMOSFET「R60xxMNxシリーズ」を発売した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/053000821/?ST=device

「SiC MOSFETに迫る低損失」、新型IGBTとSiCダイオードで (ISPSD 2017)

日立製作所は、電力損失が小さい新しいパワーモジュールを開発した。トランジスタはSi IGBTで、ダイオードにSiCショットキー・バリア・ダイオード(SBD)を利用した、ハイブリッド型のモジュールである。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/052600127/053000008/?ST=prem_device

東大らが「パワエレ2.0」向け駆動IC、損失を半減 (ISPSD 2017)

東京大学と首都大学東京、横浜国立大学の研究グループは、プログラマブルなゲートドライバーICを試作した。従来よりもきめ細かく制御できるようにすることで、IGBTをターンオンした際の損失をおよそ半分にできるのが特徴である。ISPSD 2017で発表した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/052600127/052900005/?ST=device


2017年5月29日
米SiC基板メーカー、200mm品の仕様を明らかに (ISPSD 2017)

米II-VI社は、ISPSD 2017のショートコースに登壇し、SiCウエハーの開発の歴史について講演した。この中で、同社がサンプル出荷している口径200mm(8インチ)のSiC基板について言及した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/052600127/052900003/?ST=device

パナが消費電力6割減の独自技術、GaNパワー素子の駆動ICで (ISPSD 2017)

パナソニックは、GaNパワートランジスタ向けに、絶縁性を備えたドライバーICを試作した。マイクロ波を用いるパナソニックの独自技術「DBM」を用いたもので、従来よりも消費電力を約60%削減したことが特徴だ。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/052600127/052900004/?ST=device


2017年5月25日
富士電機もSiC トレンチMOSを量産へ、モジュール品も試作 (PCIM Europe 2017)

富士電機は、口径150mm(6インチ)のSiC基板を利用して、トレンチ型のSiC MOSFETを開発した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/051500121/052400011/?ST=device

STMicro、両面放熱パッケージ封止の車載用パワーMOSFET

伊仏合弁STMicroelectronics社は、外形寸法が5mm×6mm×0.8mmと小さい両面放熱パッケージである「PowerFLAT 5x6」に封止した車載用パワーMOSFET「STLD200N4F6AG/STLD125N4F6A」を発売した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/052400814/?ST=device


2017年5月24日
ADI、SiC/GaNパワー素子に対応した絶縁ゲートドライバーIC

米 Analog Devices社(ADI)は、SiCパワー半導体やGaNパワー半導体に対応した絶縁ゲートドライバーICを4製品発売した。CMOS製造技術をベースに、同社の絶縁技術「iCoupler」で構成したトランスを組み合わせたものだ。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/052400812/?ST=device

出力密度53kVA/Lの富士電機の電動車両向けインバーター (PCIM Europe 2017)

富士電機は、出力密度が53kVA/リットルの電動車両向けインバーターを開発し、「PCIM Europe 2017」に出展した。この出力密度は「業界最高水準」(説明員)である。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/051500121/052400010/?ST=device


2017年5月23日
ディスクリートIGBT向け新絶縁技術、熱抵抗を3割超削減 (PCIM Europe 2017)

ドイツInfineon Technologies社は、ディスクリートIGBTに向けて、新しい絶縁技術を開発し、「PCIM Europe 2017」に出展した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/051500121/052200009/?ST=device

STMicro、低オン抵抗と高い逆回復特性のSJ型MOSFET

伊仏合弁STMicroelectronic社は、低いオン抵抗と高い逆回復特性を同時に実現したスーパージャンクション(SJ)型パワーMOSFET「MDmesh DK5シリーズ」を発売した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/052300809/?ST=device


2017年5月18日
三菱電機、産業用IGBTモジュールの熱抵抗を半分に (PCIM Europe 2017)

三菱電機は、ベースプレートを省いた構造と新しい熱伝導材料を採用することで、産業用IGBTモジュールの熱抵抗を約半分にした。この成果を、「PCIM Europe 2017」に併催のカンファレンスで発表した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/051500121/051800006/?ST=device

フルSiCの3.3kVモジュールを日立が開発、新パッケージを採用 (PCIM Europe 2017)

日立パワーデバイスは、耐圧3.3kVで出力電流が450AのSiCパワーモジュールを開発し、「PCIM Europe 2017」に出展した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/051500121/051800005/?ST=device


2017年5月16日
GaNパワー素子を200mmウエハーで、仏Exaganらが量産技術(PCIM Europe 2017)

フランスのベンチャー企業であるExagan社と、SiファウンドリーのドイツX-FAB社は、口径200mm(8インチ)のSi基板によるGaNパワートランジスタの量産技術を確立したことを明らかにした。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/051500121/051500002/?ST=device


2017年5月15日
STMicroが1200V耐圧のSiCダイオード、2〜40A品を用意

伊仏合弁STMicroelectronics社は、1200V耐圧のSiCダイオードを発売した。pn接合とショットキー接合を組み合わせた接合型ショットキーバリアー(JBS:Junction Barrier Schottky)構造を採用したダイオードである。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/051200799/?ST=device

三菱電機、電流密度が高い3.3kV耐圧のIGBTモジュール

三菱電機は、電流密度が8.57A/cm2と高い3.3kV耐圧のIGBTモジュール「HVIGBTモジュールXシリーズ LV100タイプ」を2製品開発し、2017年9月に発売する。鉄道車両の駆動システムや、直流送電などの電力関連システム、大型産業機械向けインバーターなどに向ける。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/051200798/?ST=device


2017年5月11日
Infineon、PFC回路を内蔵したモーター駆動用IPM

米Infineon Technologies社は、力率改善(PFC)回路を内蔵したモーター駆動用インテリジェント・パワー・モジュール(IPM)「CIPOS Mini」を発売した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/051100793/?ST=device


2017年4月21日
半導体製造装置、Lam社が東京エレクトロンら抜いて2位に

市場調査などを手掛ける米Gartner社によれば、2016年の半導体製造装置の世界売上高は前年比11.3%増の374億米ドルとなった。メーカー別の売上高ランキングでは、米Lam Research社がオランダASML社と東京エレクトロンを抜いて2位に浮上した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15am/042100128/?ST=device


2017年4月17日
Infineon、オン抵抗が0.65mΩと低い40V耐圧MOSFET 

独Infineon Technologies社は、オン抵抗を低く抑えた+40V耐圧のnチャネル型パワーMOSFET「IRL40SC228/IRL40SC209」を発売した。同社が2015年に買収した米International Rectifier(IR)社のMOSFETファミリー「StrongIRFET」に含まれる製品である。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/041600761/?ST=device


2017年4月11日
Infineon、700/800V耐圧MOSFET搭載の擬似共振電源IC

独Infineon Technologies社は、+700V/800V耐圧のパワーMOSFETを搭載した擬似共振方式対応のフライバック電源IC「ICE5QRxxxxAx」を発売した。パワーMOSFETを搭載した同社の電源ICファミリー「CoolSET」に含まれる製品だ。パワーMOSFETはスーパージャンクション(SJ)型であり、同社最新の「CoolMOS P7」を採用した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/041000752/?ST=device


2017年4月10日
ルネサスが伝導車両向けインバータで「最小級」の新製品

ルネサス エレクトロニクスは、中型から大型のハイブリッド車(HEV)や中小型の電気自動車(EV)に向けたインバーターを開発した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/041007118/?ST=device


2017年4月10日
Analog Devices、6GHz対応のGaNパワーアンプMMIC

米Analog Devices社は、対応する周波数範囲が2G?6GHzと広いGaN(窒化ガリウム)パワーアンプMM(Monolithic Microwave)IC「HMC7885/HMC7748」を発売した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/040900750/?ST=device


2017年4月10日
Vishay、最大ドレイン電流が37,5Aの30V耐圧MOSFET

米Vishay Intertechnologym社は、連続時の最大ドレイン電流が37.8Aと大きい+30V耐圧のパワーMOSFET「SiA468DJ」を発売した。nチャネル型である。同社の第4世代に当たる「TrenchFET」技術で製造した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/040900751/?ST=device


2017年3月22日
SiC/GaNパワー半導体、2025年に市場規模が8.5倍に 

市場調査を手掛ける富士経済は、SiCやGaNなどの次世代パワー半導体の世界市場を調査し、SiC/GaNの合計で市場規模が2025年に2016年の8.5倍まで拡大すると予測した。SiC/GaNを用いるパワー半導体は、2016年の市場規模が219億円だったのに対し、2025年は1860億円まで拡大するという。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15am/032200121/


2017年3月15〜17日
平成29年 電気学会全国大会(@富山大学)より(筑波大まとめ) 

(1) GaN FET搭載ゲートドライバのよるSiC MOSFETの20MHz駆動(京都大学大学院、講演番号4-017)
SiCを高速駆動(20MHz)するために、ゲートドライバにGaN FETを用いた報告。ゲートドライバの終段にプッシュプル構造のGaN FETを用い、高速駆動を実現した。このゲートドライバを用いて、SiC MOSFETの20MHzでのハードスイッチングが実現できたと報告。

(2) 小型パワーコントロールユニットの開発(三菱電機、講演番号4-112)
フルSiCのストロングハイブリッド車用パワーコントロールユニット開発の報告。全体で430kVAの電力を86kVA/Lの高電力密度を実現した。モジュールの寄生インダクタンスをPN端子間で7nHと小さくすることで高速スイッチングを実現、インダクタを小型化している。
(出典:アブストラクトpp252-255より和訳・要約)

(3) パワーデバイスの過電流検出用センスセルを用いたモータ電流検出(デンソー、講演番号4-033)
PMSM制御のための出力電流検出を、パワーデバイスに備わっている過電流検出用センスセルを用いて行った報告。これによって、ホールセンサを用いる必要がなくなるため、システムの小型化が図られる。センスセルのソースをメインセルのソースに仮想接地する回路を用い、電流検出精度の向上が図られた。


2017年3月9日
三菱電機がHEV用超小型SiCインバーター、体積5リットル 

小型化への技術的なポイントは主に2つ。第1はフルSiCパワー半導体モジュールを採用したこと。これで電力損失を低減し、インバーターの小型化を実現すると共にHEVの燃費向上に寄与するとしている。第2のポイントは、パワー半導体モジュールと冷却器をはんだで接続する高放熱構造を採ったこと。これによりインバーターを小型化しつつ、長期信頼性を確保した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/030806640/


2017年3月2日
三菱電機、電源システム向けSiCパワー半導体を発売 

三菱電機は、エアコンや太陽光発電などの電源システム向けSiCショットキー・バリアー・ダイオード「SiC-SBD」を発売した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/030206552/


2017年2月28日
三菱電機、HEVやEV向けインバーターなど生産体制を増強 

三菱電機は、姫路製作所広畑工場(兵庫県姫路市)に新棟を建設し、モータージェネレーターや、ハイブリッド車・電気自動車向けインバーターの生産体制を強化する。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15am/022800120/?ST=powerele


2017年2月27日
Infineon、MOSFETを集積した3A出力の降圧型DC-DCコンIC

独Infineon Technologies社は、パワーMOSFETを集積した最大3A出力の降圧型DC-DCコンバーターIC「IR3883」を発売した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/022500687/?ST=powerele

ロームと独企業がSiCモジュールの国内販売でタッグ
ロームは、パワーモジュールメーカー大手のドイツSEMIKRON社の日本法人であるセミクロンとSiCパワーデバイスや同デバイスを用いたモジュール製品の国内販売で協力する。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/022706476/?ST=powerele


2017年2月24日
InfineonによるCreeのSiCパワー部門買収が破談に 

ドイツInfineon Technologies社による、米Cree社のパワーデバイスとRFデバイスの部門「Wolfspeed」の買収が破談となった。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/022106373/?ST=powerele


2017年1月30日
@Vishayが第4世代のSJ型パワーMOSFET、オン抵抗は30%減

米Vishay Intertechnology社は、同社の第4世代に相当するスーパージャンクション(SJ)型パワーMOSFET「SiHP065N60E」を発売した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/013000654/?rt=nocnt

A東工大と産総研、パワーデバイス内部電界の正確な計測に成功
東京工業大学と産業技術総合研究所(産総研)らのグループは2017年1月26日、ダイヤモンドパワーデバイス内部に原子レベルの構造である窒素−空孔(NV)センターを形成し、高電圧動作中のパワーデバイス内部の電界強度を定量的にナノメートルスケールで計測することに成功したと発表した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/013006009/?P=2


2017年1月24日
東芝、オン抵抗を削減した800V耐圧のSJ型パワーMOSFET

東芝は、単位体積当たりのオン抵抗を同社従来品に比べて約79%削減した800V耐圧のスーパージャンクション(SJ)型パワーMOSFETを8製品発売した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/012400645/


2017年1月23日
STMicro、動作接合部温度が最大+150℃と高いサイリスター

伊仏合弁STMicroelectronics社は、動作接合部温度が最大+150℃と高いサイリタ「TN4015H」を発売した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/012000635/


2017年1月20日
モーターとインバーターの一体化で容積30%減、明電舎

明電舎は、モーターとインバーターを一体化した電気駆動システムを試作し、「オートモーティブワールド2017」で披露した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/011800101/012000011/


2017年1月6日
Microsemi、航空機など向け大電力対応過渡電圧サプレッサー

米Microsemi社は、航空用電子機器などに向けた大電力対応の過渡電圧サプレッサー(TVS:Transient Voltage Suppressor)を2製品発売した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/010500621/?ST=device


2016年12月15日
ディスコ、取り数1.5倍のSiCインゴットスライス装置を展示 

ディスコは、「SEMICON Japan 2016」において、6インチのSiCウエハーの加工に向けレーザーソーによるスライスを実現する装置「DAL7420」を参考出展した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/121505480/?ST=device


2016年12月14日
SiCウエハーの外観検査に最適、ジャパンクリエイトが縦型装置 

ジャパンクリエイトは、縦型のウエハー外観検査装置を「SEMICON Japan 2016」のブースに参考出品した。既存のウエハー外観検査装置に比べて、小型・検査時間が短い・低価格という特徴がある。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/120905422/?ST=device


  東芝、オン抵抗を削減した40V/45V耐圧のパワーMOSFET

東芝は、オン抵抗を削減した+40V/+45V耐圧のnチャネル型パワーMOSFETを発売した。同社最新のプロセス技術「U-MOS IX-H」で製造することで、性能指数(FOM)を低減した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/121300605/?ST=device


2016年12月8日
SiCウエハーの非破壊検査装置、日立ハイテクが開発 new

日立ハイテクノロジーズは、SiCウエハーの検査を行うミラー電子式検査装置「Mirelis VM1000」を開発した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/120205300/?ST=device


2016年12月3日〜7日
IEEE IEDM2016より(筑波大まとめ) new

サンフランシスコで第62回IEEE IEDM2016が開催された。232を超える口頭発表、1600人を超える参加者があった。

(1) 1700V 縦型GaNトランジスタ(Panasonic)
パナソニックは、耐圧1700Vでオン抵抗1.0mΩcm2のノーマリ-オフ縦型GaNパワートランジスタを発表した。ゲートしきい値は+2.5V。本素子はGaN基板上に作成した縦型構造素子である。(出典:アブストラクトpp248-251より和訳・要約)

(2) GaN ショットキダイオード(Massachusetts Institute of Technology)
耐圧が700Vでリーク電流を大幅に改善したGaNショットキーダイオードを報告した。非オン抵抗は2 mΩ・cm2で、250℃での動作を確認している。
(出典:アブストラクトpp252-255より和訳・要約)

(3) GaN GIT(Panasonic)
耐圧 1kV 以上のGaN-GITの報告である。高速動作の指標としてのRonQoss を評価し、 940 mΩnC であったと報告している。 (出典:アブストラクトpp256-259より和訳・要約)

(4) GaN MIS-FET(The Hong Kong University of Science and Technology)
LPCVD-SiNx をリセスゲート構造デバイスのゲート酸化膜として用い安定したGaN MIS-FETの特性を実現した。閾値電圧は2.37Vである。
(出典:アブストラクトpp260-263より和訳・要約)

(5) SiC MOSFETの短絡耐量(University of Tsukuba)
新たに開発した縦型pチャネルSiC-MOSFETの短絡耐量を評価した。試作したデバイスの耐圧は700Vで、nチャネルSiC-MOSFETに比べ15%ほど大きな短絡耐量を示した。
(出典:アブストラクトpp264-267より和訳・要約)

(6) 3D IGBT(Tokyo Inst. of Technology)
微細化したIGBTの特性に関し報告している。オン電圧に関しては、微細化係数3の場合1.7Vから1.26Vに低くなった。微細化はデバイスの縦横の寸法とゲート電圧に適用されている。(出典:アブストラクトpp268-271より和訳・要約)


2016年11月22日
村田がエネルギー関連でアピール、直流給電や電源向けで

村田製作所は、「electronica 2016」に2つのブースを構え、内一つに同社がエネルギー関連と位置付ける製品群を出展した。ブース内の中央に大きく置かれていたのが、直流給電システムに向けた製品群である。AC-DCコンバーターとLiイオン2次電池、「パワーシェルフ」(DC-DCコンバーター)の3つ。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/110100086/112200064/?ST=device


IGBTパワーモジュールに力を入れるフィリピンの大手EMS

フィリピンに本社を持つEMS(電子機器受託製造サービス)企業であるIntegrated Micro-Electronics(IMI)が成長軌道に入っている。2015年の営業利益は3790万米ドルと、対前年比27.6%増を達成。自動車や産業機器向けを得意とするが、2015年にはパワー半導体のモジュール事業にも参入するなど、事業の拡大を積極的に進めている。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/112205157/?ST=device


2016年11月15日
パナがGaNパワー素子をついに量産

パナソニックは、「electronica 2016」にGaNパワートランジスタと同デバイスの応用事例を展示した。これに合わせて、耐圧600VのGaNパワートランジスタ「PGA26E07BA」と「PGA26E19BA」の量産を開始することを明らかにした。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/110100086/111500044/?ST=device


2016年11月14,15日
電気学会 電子デバイス半導体電力変換合同研究会(@九州工業大学)より(筑波大まとめ)

(1)低損失新型Si-IGBT
富士電機ならびに日立製作所はミラー容量の低減を目指した低損失新型IGBTを発表した。耐圧クラスは富士電機が600Vクラス、日立製作所は1700Vクラス。ミラー容量を低減することにより、ターンオン波形の制御性向上とターンオン損失の低減が図られるとしている。 ・EDD-16-077,SPC-16-164;低ミラー容量を実現するシールドトレンチ構造IGBT(富士電機)
・EDD-16-076,SPC-16-163;新しいゲート構造を有する低損失・低ノイズ サイドゲートHiGTの開発(日立製作所)

(2)RC-IGBT
三菱電機ならびに東芝は、ダイオード構造ならびに面積比を最適化したRC-IGBTを発表した。耐圧クラスは、三菱電機が600Vクラス、東芝が1200Vクラス。内蔵するダイオードの注入効率、ライフタイム、さらには面積比を最適化することで、スイッチング時の波形振動等が抑制され、また最新のIGBTモジュールと比較しパーケージサイズで30%縮小可能であるとしている。
・EDD-16-075,SPC-16-162;FWD構造・配置を最適化した第2世代600V級RC-IGBTの開発(三菱電機)
・EDD-16-072,SPC-16-159;1200V系RC-IGBTの高速動作化へ向けたトレンチダイオード構造の検討(東芝)

(3)GaN-HEMTのアバランシェ耐量メカニズム
東芝からp型ゲート構造を有するGaN-HEMTに関しそのアバランシェ耐量のメカニズムについての発表があった。評価は、UIS試験回路用いて実施された。アバランシェ耐量は、オフ時のゲート電圧と基板の接続状態に大きく依存し、アバランシェで発生したホールを排出することが耐量向上の重要な因子であるとしている。
・EDD-16-049,SPC-16-136;高耐圧GaN−HEMTのアバランシェ耐量とそのメカニズム(東芝)


2016年10月28日
Infineon、18k〜40kHzのスイッチング用途向け低損失IGBT

独Infineon Technologies社は、18k〜40kHzのスイッチング周波数に対応した低損失の1200V耐圧IGBT(絶縁ゲート・バイポーラー・トランジスタ)「RC-Eシリーズ」を発売した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/102500544/


2016年10月26日
STMicro、雑音性能を高めた40V耐圧の車載用MOSFET

伊仏合弁STMicroelectronics社は、雑音性能を高めた+40V耐圧の車載用パワーMOSFET「STL140N4F7AG/STL190N4F7AG」を発売した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/102500546/


2016年10月24日
SiCパワー半導体を搭載した北米向け大容量無停電電源装置の発売>

 情報システムのクラウド化やIoTの導入などにより、世界的にデータセンターの需要が伸びている。北米ではデータセンターの建設が拡大しており、そこでは電力の安定供給のため、蓄電池を内蔵し停電時にも電源を供給し続けるUPSが使われる。
富士電機鰍フ発表によると今回発売した北米向けUPSはSiCパワー半導体を搭載した業界最高レベルの97.5%の装置変換効率を実現し、また、低負荷(負荷率25%時)においても96.3%の装置変換効率を達成している。

(出典:富士電機潟jュースリリース)
http://www.fujielectric.co.jp/about/news/detail/2016/20161024110036220.html


2016年10月23日
Infineon、オン抵抗を25%削減した150V耐圧パワーMOSFET

独Infineon Technologies社は、同社従来のSuperSO8封止品に比べてオン抵抗を25%削減した+150V耐圧のパワーMOSFET「OptiMOS 5 150V」を発売した。

(出典:日経テクノロジーオンライン)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/102200542/


2016年9月25日〜29日 Halkidiki, Greece
ECSCRM2016 (11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials)

@Tu1.05: 再結合促進バッファ層によるpinダイオードの順方向劣化抑制(産総研・富士電機など)
バイポーラ劣化抑制のためのSiCエピ技術。窒素の高濃度ドーピング層、または窒素+ホウ素のドーピング層により少数キャリヤ寿命を数十nsにしたバッファ層を基板上に成膜することで、基板に正孔が到達するのを防ぎ、基板内の基底面転位が積層欠陥になるのを防いだ。600A/cm2の電流ストレスを印可しても劣化がないことを確認している。
(関連発表:Tu2.02 B:ドーピングによるライフタイム制御(電中研など))

ATu3.01: DMOSFETにSBDを内蔵し、ボディダイオードを不活性化(三菱電機)
SBD内蔵SiC- DMOSFETのデモンストレーション。バイポーラ劣化抑制のためのSiCエピ技術。ゲート間のn領域にSBDを埋め込むことで、SBD外付けとする場合と比べて合計チップ面積を半分以下にした。250A/cm2、175℃、4000時間でも特性劣化せず。

BMoP.01: SJ-V溝トレンチMOSFET(産総研、住友電工)
スーパージャンクションSiC-MOSFETのデモンストレーション。ドリフト層に部分SJ構造を適用したV溝トレンチMOSFETを作製。特性オン抵抗0.97mΩcm2、耐圧820V。

CTu3.05: ゲート酸化膜界面にB導入したDMOSFET
B, BaなどSiO2/SiC界面導入によるチャネル移動度向上。耐圧1.7、3.3、4.5kV級のDMOSFETにBドープ酸化膜界面を有するゲート構造を適用。移動度30cm2/Vs。

DTh1.04: N2O酸化とB添加の組み合わせよるチャネル移動度向上(スペインCNM-CSICなど)
N2O酸化後にB導入し、TEOS堆積膜形成。移動度約160cm2/Vs。改良プロセスで220cm2/Vs。
提供:筑波大学)


2016年9月28日
新パワー半導体「酸化ガリウム」、積年の課題の解決に道

ベンチャー企業のFLOSFIA(本社・京都)と京都大学(工学系研究科 教授の藤田静雄氏や同科 助教の金子健太郎氏ら)のグループは、「酸化ガリウム(Ga2O3)」によるパワートランジスタ実現に必要なp型層の作製に成功した。これにより、酸化ガリウムを適用したパワーMOSFETの作製が可能になるという。

出典;日経Tech-on:http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/092804278/?ST=device


2016年9月15,16日
応用物理学会情報

@再結合促進層を用いた4H-SiC PiN ダイオード順方向劣化の抑制(産総研、富士電機、電中研、京都大学)
4H-SiCのPiNダイオードの順方向通電時に基底面転位(BPD)から積層欠陥が拡大するバイポーラ劣化現象を抑制するため、エピ/基板界面に少数キャリヤ寿命の短いバッファ層(再結合促進層)を導入することを提案。再結合促進層付きの素子ではVfが安定しており、積層欠陥も発生していなかった。

A 1kV耐圧Ga2O3フィールドプレート付きショットキーバリアダイオード(情通機構、タムラ製作所、東京農工大、リンチョピン大)
フィールドプレート付き1kV耐圧縦型SBDを試作。もれ電流大きいものの、耐圧1076V,特性オン抵抗5.1mΩcm2,理想係数1.04を実現

BA Distributed Model for Near-Interface Traps in4H-SiC MOS Capacitors(筑波大学、産総研)
SiC/SiO2界面近傍Near Interface Trap分布モデルの提案。界面近傍トラップが酸化膜中に存在しトンネリングによって電子のやり取りが発生するモデルを、分布回路網を使って解説。矛盾なく説明することができる。

(提供:筑波大学)

2016年9月5日〜9日 Karlsruhe, Germany
EPE ECCE Europe 2016

@investigation on Diode Surge Forward Current Ruggedness of Si and SiC Power Module ; GE Global Research
ダイオードのサージ電流に対する振る舞いを検討。対象はSi-PiNダイオード、SiC-BD、SiC-SBD。10ms半サイクルのサージ電流に対する耐性を、熱モデルを用いて解析。Siは7093Aで劣化が見られた。SBDは2357Aで劣化が見られた。SiC-BDは5503Aでオープンとなった。サージ電流耐量の大きさは、デバイス温度、半田接合温度の上昇によって説明でき、Si、SiC-MOSFETのDB、SiC-SBDの順で強いことが計算された。

AInvestigation of the Turn-on Behaviour of Silicon pin-Diode and SiC-Schottky-Diode and its Impact on the Anti-parallel IGBT ; Univ. of Bremen
高速のスイッチングにおいては、ダイオードは順方向電圧降下を生じ、この電圧が逆並列に接続されているIGBTに逆方向電圧として印加される。このダイオードの順方向降下を計測とシミュレーションで解析。Siダイオードは定常状態になるまでに順方向の電圧上昇が起こるがSiCのショットキーダイオードは発生しない。1100Vで1500Aをダイオードに流した時、Siダイオードは151Vの順電圧を発生させたが、SiCショットキーダイオードは17Vであった。高速にIGBTをターンオフさせるためには、高速にダイオードをターンオンさせる必要があるが、Siダイオードの場合過渡的な電圧が発生し、IGBTの逆導通動作を引き起こし、損失の増加や素子破壊の危険性が増す。従って高速動作のためにはSiCショットキーダイオードが重要になる。

(提供:筑波大学)


2016年8月25日

1.ドライバーなどを集積したGaNパワー素子、ACアダプター向け
 英Dialog Semiconductor社は、同社初となるGaNパワーIC「SmartGaN DA8801」を開発した。特徴は、GaN FETやゲートドライバー回路、レベルシフター回路などを1チップに集積したこと。外形寸法は5mm角と小さい。耐圧は650Vで、スマートフォンやタブレット端末な どの充電に利用する、25〜35W級のACアダプターに向ける。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/082503697/?ST=device

2.Alpha & mega、IH調理器などに向けた1350V耐圧IGBT
 米Alpha and Omega Semiconductor社は、ソフトスイッチング用途のスイッチング損失を低減できる1350V耐圧IGBT「AOK30B135W1」を発売した(ニュースリリース)。IHヒーター、炊飯器、インバーター利用の電子レンジなどの家電機器に向ける。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/082400464/?ST=device


2016年8月24日
ノーマリ-オフのダイヤモンド半導体を作成、動作も実証

金沢大学は、2016年8月19日、産業技術総合研究所とデンソーなどとの共同研究で、ダイヤモンド半導体を用いた反転層チャネルMOSFETを作成し、その動作実証に成功したと発表した。自動車や新幹線、飛行機、ロボット、人工衛星、ロケット、送配電システムなどに導入されることで、省エネ・低炭素社会への貢献が期待されるとする。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/082203630/


2016年8月23日
村田製作所、EV/HEVに向けた絶縁型DC-DCコンバーター

 村田製作所は、電気自動車やハイブリッド車、プラグインハイブリッド車などに向けた絶縁型DC-DCコンバーターモジュール「MYISシリーズ」を開発し、2016年12月に量産を開始する(ニュースリリース)。最大出力電力は3W。入力電圧範囲は+6〜16V。外形寸法は16mm×27mm×8mmで、表面実装に対応する。「AEC-Q」に準拠している。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/082200460/?ST=device


2016年8月17日
三菱がフルSiCの「DIPIPM」、第2世代のMOSFET搭載

三菱電機は、トランジスタとダイオードの両方にSiCパワー素子を利用した、「フルSiC」のモジュール製品を発売した(発表資料)。エアコンなどに向けた「DIPIPM」と呼ぶタイプのモジュールである。耐圧 600V、出力電流15Aの「PSF15S92F6」の量産を2016年8月17日から始めた。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/081703586/?ST=device


2016年8月9日
TIが語るGaNへの期待

 米Texas Instruments(TI)社は、同社Silicon Valley Analog(SVA)事業部 senior vice presidentのDavid Heacock氏の来日を機に東京で報道機関向けに発表会を開催した。その発表会の中で、最近力を入れているGaNパワーデバイスに対する同社の意気込み を語った。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/080903526/?ST=device


2016年8月9日
「高価なSiCよさらば」、生産枚数1.5倍のウエハー加工技術

 ディスコは、SiCインゴットからSiCウエハーを切り出すのにレーザーを利用する新たなプロセス「KABRA(カブラ)」を開発した(発表資料)。ワイヤーソーを利用する従来方法に比べて、SiCウエハーの生産時の加工時間を約1/4に、生産枚数を約1.5倍に高められるという。今回の加工法は、既に一部の顧客が試験運用中である。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/080903524/?ST=device


2016年8月9日
STMicro、端子間距離が4.25mmの1500V耐圧パワーMOSFET

 伊仏合弁STMicroelectronics社は、端子間距離が4.25mmと広い1500V耐圧のパワーMOSFET「STFH12N150K5」を発売した(ニュースリリース)。TO-220FullPAKに封止した。電源メーカーは、安全規格に準拠しやすくなると同時に、フィールドでの故障発生を最小限に抑えられる。液晶テレビやパソコンなどに搭載するスイッチング電源に向ける。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/080700446/?ST=device


2016年7月15日
Wolfspeed売却

米国Cree, Inc.の子会社であるWolfspeedがドイツのInfineon Technologies AGに売却されることになった。WolfspeedはCreeの高周波デバイス、パワーデバイスビジネスを担当している子会社で、今回の売却にはCreeで行っているパワーデバイス及び高周波デバイス用半導体基板ビジネスも含まれている。売却額は、8億5000万米ドルで、この売却によってInfineonの 車載半導体事業、IoT用通信事業が強化されるとのことである。詳細については、下記URLを参照されたい。

http://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/2016/INFXX201607-071.html
http://investor.cree.com/releasedetail.cfm?ReleaseID=979530


2016年7月15日
Wolfspeed売却

米国Cree, Inc.の子会社であるWolfspeedがドイツのInfineon Technologies AGに売却されることになった。WolfspeedはCreeの高周波デバイス、パワーデバイスビジネスを担当している子会社で、今回の売却にはCreeで行っているパワーデバイス及び高周波デバイス用半導体基板ビジネスも含まれている。売却額は、8億5000万米ドルで、この売却によってInfineonの 車載半導体事業、IoT用通信事業が強化されるとのことである。詳細については、下記URLを参照されたい。

http://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/2016/INFXX201607-071.html
http://investor.cree.com/releasedetail.cfm?ReleaseID=979530


2016年7月15日
世界初、大電流動作可能な高耐圧GaNパワー半導体を開発

豊田合成株式会社は、窒化ガリウム(GaN)を用いて、20Aを超える大電流動作が可能な1.2kV級パワー半導体デバイス1チップを世界で初めて開発した。素子を並列動作させる配線技術を確立し、1.5mm角のチップサイズで縦型GaNトランジスタとして世界で初めて20Aを超える電流を流すことに成功した。
(豊田合成株式会社プレスリリース:豊田合成HPより)

http://www.toyoda-gosei.co.jp/news/detail/?id=506


2016年7月15日
SiC-MOSFETのUIS耐量解析

ICEE2016(The International Conference on Electrical Engineering 2016)(主催:電気学会; 7月3日− 7日 沖縄県那覇市自治会館 参加者600名以上)にて、筑波大学よりSiC-MOSFETのUIS耐量解析の報告があった。破壊に至る際の素子内温度は900Kにまで達し、その結果、表面アルミ電極が溶融することが破壊の原因であると推定している。
(筑波大学/岩室)


2016年6月30日
第22回半導体・オブ・ザ・イヤー受賞

本法人会員企業であるローム(株)殿、レーザーテック(株)殿が、第22回半導体・オブ・ザ・イヤーを受賞されました。本賞は、電子デバイス産業新聞の記者投票によって選出され、2015年4月〜2016年3月の間に発表された新製品の中から、特に優れた半導体製品・技術に贈られます。ローム(株)殿は、「トレンチ構造採用のSiC-MOSFET」の開発に対して、半導体デバイス部門のグランプリを、レーザーテック(株)殿は、「SiCウエハー欠陥検査/レビュー装置:WASAVIシリーズSICA88」の開発に対して、半導体製造装置部門の優秀賞を受賞されました。詳細については以下のURLをご参照ください。

http://www.sangyo-times.jp/seminarDtl.aspx?ID=194
http://www.lasertec.co.jp/topics/2016/20160601.html


IEEE Workshop on Control and Modeling for Power Electronics (COMPEL)
2016年6月27日から30日 Trondheim, Norway
COMPEL 2016でのトピックス

1ηρ-Pareto Optimization and Comparative Evaluation of Inverter Concepts Considered for the Google Little Box Challenge
ETH Zurich COMPEL2016, O8-1(ID:163)
GoogleとIEEEが主催する,2kVAの太陽光インバータをモデルケースにした変換器のコンペテションにおいて,ETH-Zurich,Fraunhofer Institut for Reliability and Microintegration (FH-IZM) ,Fraza companyによるグループの試作品の設計に関する発表があった。450V直流入力,240Vrms,60Hzの交流に連系するインバータにおいて8.18kW/dm3の電力密度を達成している。これは100時間のテストに耐える実運転可能なものである。パワーデバイスとしてInfineonからサンプル提供されたGaN GITを使用している。小型化と高効率化に関する最適化についての考察を発表した。


IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)
2016年6月12日から16日 Prague, Czech Republic
ISPSD 2016でのトピックス

1B-dopeゲート酸化プロセスを適用した4.5kV SiC-MOSFET
ABBとスペインの研究グループらは、熱酸化膜+N2Oアニールしたゲート酸化膜にボロンを拡散するプロセスを4.5kV SiC-MOSFETに適用し素子を試作。その結果を発表した。オン抵抗RonA=62mΩcm2(@Vg=20V)、素子耐圧5kVを実現。また同一ウェハ内横MOSFETで評価した電界効果移動度はピークで35〜40cm2/V・s。さらにボロンドーププロセスを最適化すれば電界効果移動度はピークで80〜100cm2/V・sも実現可能としている。ゲートしきい値は4.0〜4.5V(@R.T)、しきい値の安定性については、+2%(Vg=+25V 3600秒印加)、+12%(Vg=-10V 3600秒印加)であると報告している。(ISPSD2016 pp.283)

2.「GaN素子をCMOSプロセスのSi素子に張り合わせ。X-FABなどが提案
ドイツX-FAB Semiconductor Foundries社らのグループは、GaNパワー素子と、CMOSプロセスで製造したSi素子を接合して集積する製造技術を発表。同社は「Micro Transfer Printing」と呼ぶ。(日経テクノロジーオンライン 2016.6.17)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/061200065/061700011/?ST=powerele

3.「世界初」の双方向SiC MOSFET、京大とロームが」試作
京都大学とロームの研究グループは、耐圧3kV、オン抵抗20mΩcm2の双方向SiC MOSFETを試作し、「ISPSD 2016」で発表した。同MOSFETの実現は「世界初」(同グループ)である。 ?(日経テクノロジーオンライン 2016.6.16)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/061200065/061600007/?ST=powerele

4.三菱電機、RC-IGBTで白物家電向けモジュールを30%小さく
三菱電機グループ(メルコセミコンダクタエンジニアリングと三菱電機)は、白物家電向けの耐圧600Vの小型パワーモジュール「SLIMDIP」シリーズに搭載した新しい「RC-IGBT」について発表。(日経テクノロジーオンライン 2016.6.16)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/061200065/061500005/?ST=powerele

5.富士電機が低損失な新型IGBT、「シールドトレンチ」で実現
富士電機は、「シールドトレンチ」と呼ぶ構造を設けた新しいIGBTを開発、発表した。同構造によってミラー容量(帰還容量)成分を削減し、スイッチング損失を従来のIGBTに比べて小さくした。(日経テクノロジーオンライン 2016.6.16)
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/061200065/061600006/?ST=powerele



2016年6月10日 昭和電工HPより
パワー半導体用SiCエピウェハー 高品質グレードの生産能力増強

昭和電工株式会社が、パワー半導体材料であるSiCエピタキシャルウェハーの高品質
グレードにおいて、月産3000枚の生産体制を確立し、量産を開始。
(昭和電工株式会社ニュースリリース)

http://www.sdk.co.jp/news/2016/15916.html


2016年6月9日
山手線用車両の新造計画について

 JR東日本が、2017年春ごろからフルまたはハイブリッドSiC半導体素子を搭載したE235系通勤形車両(11 両編成)を49 編成(539 両)投入することを発表しました。投入完了は2020年春頃とのことです。詳しくは下記URLをご参照ください。

http://www.jreast.co.jp/press/2016/20160606.pdf


2016年5月25日 日経Tech-Onより
PCIM Europe 2016 三菱電機が明かす、産業用IGBTモジュールの新技術 耐圧1.7kV品に採用

 IGBTモジュールの大手である三菱電機。同社は、2016年5月10〜12日にドイツ・ニュルンベルクで開催されたパワーデバイスやパワーエレクトロニクス機器の展示会「PCIM Europe 2016」で、産業用IGBTモジュールの新製品を出展した。同社の第7世代のIGBTを搭載した「IGBTモジュールTシリーズ」の定格電圧(耐圧)1.7kV品である。(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/050600058/052500012/?ST=powerele


2016年5月24日 日経Tech-Onより
富士電機、電力密度2倍の車載用直接水冷型パワーモジュールの新製品

 富士電機は、電気自動車(EV)やハイブリッド自動車(HEV)といった電動車両向けのIGBTモジュールの新製品を開発した。
同社従来技術を適用した場合に比べて、50%の小型化と60%の軽量化を実現したという。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/052402241/?ST=powerele


2016年5月16日 日経Tech-Onより
PCIM Europe 2016 Infineonが耐圧650VのSJ MOSFETの新製品、60%小型化

 ドイツInfineon Technologies社は、super junction型MOSFET(SJ-MOSFET)「CoolMOS」の「C7」シリーズのラインアップを拡充した。「C7 Gold」と呼ぶもので、「PCIM Europe 2016」に出展した。耐圧は650V品で、同耐圧の従来のC7に比べて、約60%小さいパッケージを採用した点を特徴にする。サーバーや通信機器、太陽光発電システム、産業機器などに向ける。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/050600058/051600011/?ST=powerele


2016年5月13日 日経Tech-Onより
PCIM Europe 2016 車載IGBTも300mmウエハーで作るInfineon 電動車両向けパワーモジュールに搭載

 ドイツInfineon Technologies社は、口径300mmのSiウエハー上に作成した車載向けのIGBT「EDT2」と、同IGBTを利用した車載用パワーモジュールを「PCIM Europe 2016」に出展した。IGBTの耐圧は750Vで、パワーモジュールは電気自動車(EV)やハイブリッド自動車といった電動車両のメーンのモーターを駆動するインバーターなどの電力変換器に向けたものである。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/050600058/051300008/?ST=powerele


2016年5月13日 日経Tech-Onより
PCIM Europe 2016 信頼性を10倍に高めたパワー素子の実装技術、焼結Cuを利用 日立製作所が発表

 日立製作所は、焼結Cuによるパワー素子の実装技術について、「PCIM Europe 2016」併設のカンファレンスで発表した。特徴は、Pb(鉛)フリーの実装材料でありながら、材料コストの抑制と信頼性の向上を図れることである。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/050600058/051300009/?ST=powerele


2016年5月13日 日経Tech-Onより
PCIM Europe 2016 GEがSiCに本腰、MOSFETからモジュール、インバーターまで製品化へ 2017年から6インチ基板を利用

 米General Electric(GE)社は、同社が手掛けるSiC関連製品を「PCIM Europe 2016」に出展した。SiC MOSFETや同MOSFETを用いたモジュール、同モジュールを用いたインバーターをアピールしていた。(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/050600058/051300010/?ST=powerele


2016年5月12日 日経Tech-Onより
PCIM Europe 2016 オン抵抗を約1/6にした耐圧900VのSiC MOSFET Wolfspeedが講演

 米Wolfspeed社は、「PCIM Europe 2016」に併設されたカンファレスで、同社のSiC MOSFETの最新製品の特性などについて発表した。耐圧900Vでオン抵抗が10mΩと小さく、電流容量が100Aと大きい製品の紹介に重きを置いていた。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/050600058/051200005/?ST=powerele


2016年5月12日 日経Tech-Onより
PCIM Europe 2016 富士電機が明かした新幹線車両向けSiCパワーモジュールの実力

 富士電機は、新幹線車両用駆動システムに向けたSiCパワーモジュールについて、「PCIM Europe 2016」に併設されているカンファレスで講演した。東海旅客鉄道(JR東海)が「N700系」の試験車両の駆動システムに採用しているものである。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/050600058/051200006/?ST=powerele


2016年5月12日 日経Tech-Onより
PCIM Europe 2016 パナソニック、蓄電池システム向けSiC電力変換器を初披露 新たにモジュールを開発

 パナソニックは、同社のSiCパワー素子や同素子を利用したモジュール品を適用した蓄電池システム向けの電力変換器の試作品を出展した。実機を展示するのは今回が初めてである。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/050600058/051200007/?ST=powerele


2016年5月11日 日経Tech-Onより
PCIM Europe 2016 パワーデバイスの最大級のイベント開幕、SiCの文字が躍る 「PCIM Europe 2016」から

 パワー素子やパワーエレクトロニクス(パワエレ)機器分野の世界最大級のイベント「PCIM Europe 2016」が2016年5月10日(現地時間)、ドイツ・ニュルンベルクで始まった。同イベントは毎年5〜6月ごろに開催されており、2016年は27カ国から530社が出展する。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/050600058/051100002/?ST=powerele


2016年5月11日 日経Tech-Onより
PCIM Europe 2016 SiC推しのInfineon、関連製品や応用例を披露

 PCIM Europe 2016」におけるドイツInfineon Technologies社の出展のメーンは、同社が「CoolSiC(クールエスアイシー)」と名付けた、SiC(シリコンカーバイト)関連の製品群である。(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/050600058/051100003/?ST=powerele


2016年5月11日 日経Tech-Onより
PCIM Europe 2016 大口径Si基板でGaNパワー素子の低コスト化に挑む仏ベンチャー 200mmウエハーを利用

 GaNパワー素子を手掛けるフランスのベンチャー企業Exagan社は、「PCIM Europe 2016」で記者発表会を開き、同社製品の特徴や事業戦略を語った。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/050600058/051100004/?ST=powerele


2016年5月6日 日経Tech-Onより
PCIM Europe 2016 ついにInfineonがSiC MOSFETを量産へ、2017年から

 パワー半導体最大手のドイツInfineon Technologies社がいよいよSiC MOSFETの量産に乗り出す。特定用途向けに2016年下期にサンプル出荷を開始し、2017年に量産を始める。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/050600058/050600001/?ST=powerele


2016年4月26日 日経Tech-Onより
TIがGaNに本腰、600VのFETをドライバーIC付きで

 米Texas Instruments社は、動作電圧600VのGaN FETとドライバーICを1パッケージに収めた「LMG3410」を発表し(日本語ニュースリリース)、新製品のサンプルを含む開発キットの提供を始めた。量産は2016年下期から2017年初頭に開始するという。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/042201782/


2016年4月21日 日経Tech-On、日経BPnetより
ロームが1.7kVのSiC MOSFET、制御ICも提供

 ロームは、耐圧1.7kVのSiC MOSFET「SCT2H12NZ」を開発し、量産を始めた
(発表資料)。AC400Vが必要な産業機器(FA機器や工業用インバーター装置、試験装置など)の補機電源に向ける。特徴は、オン抵抗が1.15Ω(標準)と小さいこと。産業機器の補機電源に向けた耐圧1.5kVのSi MOSFETに比べて、1/8に相当するという。
(出典:日経テクノロジーオンライン、nikkei BPnet)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/042101740/?ST=powerele
http://www.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/04/21/11513/


2016年4月14日 日経Tech-Onより
文科省のGaNプロジェクト始動、中核は名大・天野氏 パワー素子応用を目指す

 文部科学省(文科省)は、GaNパワー素子の開発に取り組む研究開発プロジェクト「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」を2016年度から始める。「電子デバイスのプロジェクトは文科省としては今回が初めて」(文科省の担当者)である。2014年にノーベル物理学賞を受賞した、名古屋大学 教授の天野浩氏らの研究グループが中核をなす。5カ年のプロジェクトで、1年目にあたる2016年度の予算は10億円である。(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/041401596/?ST=powerele


2016年4月13日 日経Tech-Onより
GaNで名大と産総研がタッグ、パワー素子の早期実用化を狙う 研究組織「GaN-OIL」を設立

 産業技術総合研究所(産総研)は名古屋大学と共同で、「産総研・名大 窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ」(以下、GaN-OIL)を2016年4月1日に設立した。GaN系半導体の材料物性や基礎プロセスといった基礎研究に強みを持つ名古屋大学と、デバイス化(素子作製)技術や評価・解析技術に強みを持つ産総研がタッグを組むことで、GaN系半導体を用いたパワー素子や、新しい発光素子の早期実用化を目指す。(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/041201569/?ST=powerele


2016年4月13日 日経Tech-Onより
TECHNO-FRONTIER 2016 三菱電機が第7世代IGBT搭載の産業用IPM、従来比で30%小型化

 三菱電機は、同社の第7世代のIGBTを搭載した産業機器向けIPMの新製品「IPM G1シリーズ」を開発した(発表資料 )。
産業機器向けIPMに第7世代品を搭載するのは今回が初めて。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/032200049/041300006/?ST=powerele


2016年4月6日 日経Tech-Onより
TECHNO-FRONTIER 2016 三菱が新パッケージの高出力モジュール、3.3kV・450Aから

 三菱電機は、新しいパッケージを採用した高出力パワーモジュール「HVIGBTモジュールXシリーズ 新型デュアル」を開発した。
(出典:日経テクノロジーオンライン、三菱電機ニュースリリース)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/032200049/040600002/?ST=powerelehttp://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2016/pdf/0406.pdf


2016年3月31日 日経Tech-Onより
TECHNO-FRONTIER 2016 三菱電機、第7世代IGBT搭載のモジュールに1.7kV品を追加

 三菱電機は、同社の第7世代のIGBTを搭載した、産業機器向けパワーモジュール「IGBTモジュールTシリーズ」の製品ラインアップを拡充する(ニュースリリース)。具体的には、定格電圧(耐圧)1.7kVの17品種を追加する。2016年9月から順次サンプル出荷を始める。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/032200049/033100001/?ST=powerele


2016年3月30日 日経Tech-Onより
SiCパワー半導体用の接合部が自己修復、製品寿命を改善

 大阪大学とデンソーは2016年3月28日、新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)プロジェクトにおいて、シリコンカーバイド(SiC)パワー半導体の長期信頼性向上が期待できる接合材の自己修復現象を発見したと発表した(ニュースリリース)。高温の機器動作環境下で、接合材に使った銀焼結材の亀裂が自己修復するというもので、自動車分野などへのSiCパワー半導体の適用可能性を大きく高めるという。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/033001335/?ST=powerele


2016年3月29日 日経Tech-Onより
富士電機のSJ-MOS、抵抗を25%減、リカバリー時間を半減

 富士電機は、スーパージャンクション(SJ:Super Junction)型パワーMOSFETの新製品「Super J MOS S2シリーズ」と「Super J MOS S2FDシリーズ」を発売した(発表資料)。両シリーズは従来製品(S1シリーズ)に比べて、同じチップ面積で、通電時の抵抗を約25%低減した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/032901315/?ST=powerele


2016年3月24日 日経Tech-Onより
APEC 2016 TIが600VのGaNパワー素子、65V入力のDC-DCコンバーター制御ICもアピール

 米Texas Instruments(TI)社は、同社初となる耐圧600VのGaNパワートランジスタを開発し、「APEC 2016」に併設された展示会場でデモを見せた。ゲートドライバーとともに、8mm角のQFNパッケージに封止する。 (出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/032200048/032400007/?ST=powerele


2016年3月24日 日経Tech-Onより
APEC 2016 次世代パワー半導体、GaNよりAlGaN

 次世代パワー半導体はGaNよりAlGaN――。そんな研究成果を米Sandia National Laboratoriesらのグループが「APEC 2016」で発表した(米Avogy社との連名)。登壇したRobert J. Kaplar氏は、AlGaNで試作したパワー素子の特性などを明らかにした。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/032200048/032400009/?ST=powerele


2016年3月23日 日経Tech-Onより
APEC 2016 GaNをアシストスーツに、SiCを蓄電池システムに パナソニックが展示

 パナソニックは、APEC 2016の展示場において、同社のGaNパワー素子やSiCパワー素子の製品や、同製品の応用を想定したデモを披露した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/032200048/032300004/?ST=powerele


2016年3月23日 日経Tech-Onより
APEC 2016 「10年変わらないACアダプターに変革を」、MIT発ベンチャーが講演 APEC 2016の「Plenary Session」から

 パワーエレクトロニクス関連のイベント「APEC 2016」の「Plenary Session」において、小型ACアダプターを手掛ける米国のベンチャー企業FINsix社のTony Sagneri氏が登壇し、「The Challenges of VHF Power Conversion」と題して講演した。この中で同氏は、ここ10年間、出力60W級のノートパソコン用ACアダプターに大きな変化がないと指摘。その上で、同社が手がける小型ACアダプターをアピールした。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/032200048/032300005/?ST=powerele


2016年3月23日 日経Tech-Onより
APEC 2016 サーバー電源にGaN、採用に自信を見せるTransphorm

 米Transphorm社は、「APEC 2016」に併設された展示会で、GaNパワートランジスタの新製品を発表した。同製品を利用した電力変換器の参照デザインを見せた。中でも、サーバー用電源に力を入れる。「まもなく、採用顧客を明かせるだろう」(説明員)とする。 (出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/032200048/032300006/?ST=powerele


2016年3月23日 日経Tech-Onより
安価な銀粒子で低抵抗率な銀ペーストを実現

 導電性ペーストの開発、製造を手掛ける京都エレックスは、サブミクロンサイズの銀粒子を原料として抵抗率を4×10-6Ωと、金属の2.5倍程度に抑えた銀ペーストを開発した。抵抗率が小さいと同時に、熱伝導率も高く、銀の含有率を減らして低コスト化することも可能という。同社ではウェアラブルデバイス分野のほか、パワー半導体分野での応用を期待する。(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/032301210/?ST=powerele


2016年3月22日 日経BPnetより
APEC 2016 20年後の電力変換器はこうなる APEC 2016の「Plenary Session」から

 パワーエレクトロニクス関連のイベント「APEC 2016」の「Plenary Session」において、マイクロコンバーターを手掛ける米Enphase Energy社のMichael Harrison氏が登壇し、「The Future of Power Electronics Design」と題して講演した。この中で同氏は、パワーエレクトロニクスが勃興したころ(1975年)と現在(2015年)の状況を比較した上で、将来の電力変換器の仕様などを予測した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://www.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/03/22/08570/?rt=nocnt


2016年3月14日 日経Tech-Onより
次世代パワーデバイスの低コスト化のカギは結晶にあり
千葉工業大学 山本秀和教授に「パワーデバイスの実用化に向けた課題と解決策」を聞く【後編】

 後編の今回は、SiCやGaNなどの次世代パワーデバイスの今後の方向性や、同氏が理事を務めるパワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)での活動内容について聞いた。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/column/15/090100007/022500017/?ST=powerele


2016年3月14日 日経Tech-Onより
AlとAlN接合にMgやOなどの不純物元素が寄与

 東京大学は2016年3月10日、アルミニウム(Al)合金とセラミックスである窒化アルミニウム(AlN)基板の異材接合を原子レベルで直接観察し、その界面に偏析するMgの単原子層が接合を強化・安定化していることを明らかにしたと発表した。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/031401053/?ST=powerele


2016年3月7日 日経Tech-Onより
STMicro、逆回復電荷と逆回復時間を低減した650V耐圧MOSFET

 伊仏合弁STMicroelectronics社は、スーパージャンクション(SJ)構造を採用したnチャネル型パワーMOSFETの新しい製品ファミリー「MDmesh DM2」を発売した(ニュースリリース)。対応する耐圧範囲は+400?650Vである。特徴は、ボディーダイオードを改良して逆回復電荷(Qrr)と逆回復時間(trr)を減らしたことと、オン抵抗を削減したことである。オン抵抗については、同社従来の製品ファミリーと比較すると約20%削減したという。(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/030400225/?ST=powerele


2016年3月7日 日経Tech-Onより
シリコンは、パワーデバイスの主流であり続けられるのか?
千葉工業大学 山本秀和教授に「パワーデバイスの実用化に向けた課題と解決策」を聞く【前編】

 半導体産業において、パワーデバイスはロジックやメモリーといった華やかなものと異なり、一見地味な存在に映る。しかし、電力変換・制御を主目的としたパワーデバイスへの注目度は年々増している。省エネルギー化の推進に向け、パワーデバイスはパワーエレクトロニクス製品を構成する上で、モーターと並び文字通りキーデバイスとして位置付けられている。(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/column/15/090100007/022500016/?ST=powerele


2016年2月13日 日経Tech-Onより
直流給電とSiC採用のサーバー用電源、富士電機が開発

 富士電機は、データセンターのサーバー用バックアップ電源システムの新製品を開発し、販売を始めた。2018年度に20億円の売上を目指す。 同システムは、サーバーラックに対して交流(AC)で供給された電力を、サーバーの稼働に必要な直流(DC)に変換して電力を供給する。従来3回必要だった電力変換を 1回に減らしたことで、既存システムに比べて電力損失を8%減らせるという。(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/021300606/?ST=powerele


2016年2月9日 日経Tech-Onより
SiC MOSFETが産業用バッテリーチャージャーに Wolfspeedの製品をGruppo PBMが採用

 米国Wolfspeed社は、同社の耐圧1200VのSiC MOSFETが、産業用充電器などを手がけるイタリアGruppo PBM社のバッテリーチャージャーの新製品「HF9」シリーズに採用されることを明らかにした。同シリーズは、SiC MOSFETを採用したことで産業用バッテリーを高効率に充電できるという。同シリーズの出力レンジは6k〜16kWとする。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/020900548/?ST=powerele


2016年2月5日 日経Tech-Onより
川崎重工、エネルギー効率を高めた新型通勤車両 「SiCハイブリッド素子」を採用、 西日本鉄道から受注

 川崎重工業は、西日本鉄道から新型通勤車両「9000形」18両を受注した。川崎重工業が1975〜1991年に納入した「5000形」を置き換えるもの。同社は、兵庫工場(神戸市)で新型車両を製造し、2016〜2017年度に納入する。
(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/020500502/?ST=powerele


2016年1月25日 日経Tech-Onより
「70%の省エネと3倍の生産性」、GaN利用のマイクロ波加熱 三菱電機やマイクロ波化学などが開発

 三菱菱電機とマイクロ波化学、東京工業大学、龍谷大学は共同で、消費電力が少なく、かつ生産性を高めたマイクロ波加熱装置を開発した。
(出典:日経テクノロジーオンライン、三菱電機ニュースリリース)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/012500274/http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2016/0125.pdf


2015年11月26日 (株)安川電機ホームページより
世界初! GaNパワー半導体を搭載したアンプ内蔵サーボモータを開発

 株式会社安川電機(代表取締役会長兼社長 津田 純嗣)は、世界で初めてGaN*1パワー半導体を搭載したアンプ内蔵サーボモータを開発しました。今までサーボドライブシステムを構成していたサーボモータと サーボパック機能を組み合わせ、サーボドライブシステムのさらなる小型・高効率化を実現しました。
(出典:活タ川電機ホームページ)

https://www.yaskawa.co.jp/newsrelease/technology/13896


2015年11月26日 日経Tech-Onより
ダイヤモンド基板が1インチに、並木精密宝石などが開発

 並木精密宝石は、青山学院大学 教授の澤邊厚仁氏らの研究グループと共同で、ダイヤモンドの単結晶を開発した。この単結晶から、半導体素子の基板を作る。現在、30mm角品を試作済みだという。(出典:日経テクノロジーオンライン)

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15/112601309/?ST=powerele&rt=nocnt


2015年11月16日 EETimes Japanより
ルネサス、エアコン向け第7世代IGBTを発表

 ルネサス エレクトロニクスは2015年11月16日、エアコンの力率改善回路(PFC)向けパワー半導体として、同社第7世代IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)技術を用いた新製品「RJP65T54DPM-E0」を発表した。(出典:EETimes Japan)

http://eetimes.jp/ee/articles/1511/16/news064.html


 つくばイノベーションアリーナ(TIA)パワーエレクトロニクス研究拠点にSiCデバイスの6インチ級の新ラインが構築され、超低オン抵抗デバイスや耐圧10kV超級の超高耐圧デバイス開発での活用が期待されます。
 つくばイノベーションアリーナ(TIA)パワーエレクトロニクス研究拠点は、オープンイノベーション研究拠点として、我が国のパワーエレクトロニクス研究開発を牽引する役割を担っています。この度、世界最先端のシリコンカーバイド(SiC)パワー半導体デバイス(6インチ級)の量産研究開発を目的とした新ラインを構築します。

http://www.aist.go.jp/aist_j/news/pr20151110.html (詳細は左記URLより)

2015年10月22日 電子デバイス産業新聞
フルSiCを1チップ内に集積
 Hestia Power Inc.はSiC基板を用いSiC-MOSFETとSiCショットキーダイオードを1チップに集積化したデバイスを開発。1200V対応で、低コスト化が期待できる。16年後半には量産化を見込んでいる。

 ベンチャー企業のノベルクリスタルテクノロジー(本社:埼玉県狭山市)は、次世代パワー半導体材料の1つである酸化ガリウムのエピウェハー(β方Ga2O3)を2015年10月から販売する。このウエハーは、情報通信研究機構(NICT)や東京農工大学、タムラ製作所などの研究チームの成果である。2016年度に6000万円、2020年度に7億円、2025年度に80億円の売上げを目標に掲げる。

2015年10月15日 電子デバイス産業新聞
@トレンチ構造を採用した大電流・低電圧を両立したGaNダイオード
 パナソニック(株)は、SiCダイオードに比べ4倍の大電流動作可能なGaNダイオードを開発。耐圧は1.6kV電流密度は7600A/cm2、オン電圧は0.8V。トレンチ構造を採用し、ショットキーダイオードとPNダイオードを組み合わせて大電低電圧特性を実現した。基板は低抵抗GaN基板を採用、比オン抵抗は1.3mΩ・cm2
A電力損失を60%削減した自動車用インバータを開発
 (株)日立製作所と日立オートモーティブシステム(株)はSiC半導体を用いた自動車用高効率インバータを開発した。モジュールにはSiCを複数配置し、低インダクタンスな配線実装構造とすることで、電力損失を60%低減した。並列接続をするため、制御信号配線の長さを均一化することで、整列接続SiCがその能力を十分に発揮できるようにして、損失低減を図った。
BSiCモジュールを約37%小型化
 ニチコン(株)はSiCを用いた1MHz,1kWの電力変換モジュールを開発した。従来比で37%の小型化を実現している。電気自動車用需給電の装置や家庭用蓄電システムへ展開できる。ゲート回路や部品の配置、ノイズの影響の検討により高周波化を実現した。効率は84%を達成。

2015年10月8日 電子デバイス産業新聞
SiC検査に新装置 1台で表面&PL検査
 レーザーテック(株)がSiCウエハーの表面と内部の欠陥を同時に検査できる装置を製品化。1台の装置で基板表面のスクラッチやエピ欠陥、エピ内部の基底面転位や積層欠陥を同時に検査できる。

2015年9月3日 電子デバイス産業新聞
GaNパワーで大臣賞を受賞
 名古屋工業大学とDOWAエレクトロニクス(株)はSi上にGaNをエピタキシャル成長する技術で科学技術政策担当大臣賞を受賞した。大口径のSi基板上にGaNを成長させる技術を事業化したことが行化されたものである。2010年から販売を開始しており、2014年度末までに累計40億円の販売があった。

 金星探査を計画している米航空宇宙局(NASA)は、金星の地表温度500℃に耐えられるSiC基板を用いた半導体デバイスの開発にアーカンソー大学のスピンオフ企業であるOzark Integrated Circuitsと共に着手した。

 一般社団法人 SiCアライアンス会長 松波弘之 氏(京都大学名誉教授)が、米国電気電子学会(The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc.:IEEE)のDavid Sarnoff Awardを受賞されることになりました。
 本賞は、電子工学の分野で顕著な業績を挙げた研究者・技術者に贈られるもので、松波先生の受賞理由は、「先進パワーエレクトロニクスにおける、シリコンカーバイド(SiC)結晶及びデバイス開発への貢献」とのことです。
詳細については、下記URLをご参照ください。

http://www.ieee.org/about/awards/2016_ieee_tfa_recipients_and_citations_list.pdf

2015年4月17日 TechOn!
次世代パワー半導体、2020年に市場規模が13倍に
SiCパワーデバイス需要の本格化は2016年、富士経済調べ

 富士経済の調査によれば、パワー半導体の世界市場は販売ベースで2020年に3兆3009億円になるという。2014年の2兆4092億円と比べて、約37%増える計算になる。
 中でも成長率が高いのが、SiCやGaN、酸化ガリウムなどの次世代パワー半導体である。同市場は2020年に販売ベースで1665億円と、2014年の129億円の約13倍になると試算する。SiCパワーデバイスの販売が本格化する時期を2016年とみる。……

 New York Power consortium has potential to capture 10 percent of SiC market
 If General Electric Co. and SUNY Polytechnic Institute’s New York Power Electronics Manufacturing Consortium takes off, their manufacturing line could process 30,000 wafers a year, GE's Danielle Merfeld told the Northeast Semi Supply Conference this week at SUNY Poly campus.……

 As part of its growth strategy to reach a broader set of customers, Global Power Technologies Group (GPTG) has announced an exclusive global distribution agreement with US-based Digi-Key Electronics, a provider of both prototype/design and production quantities of electronic components.
 As a full-service silicon carbide (SiC) manufacturer for the commercial power market, GPTG produces 100mm and 150mm epitaxial wafers, SiC discrete diodes, SiC discrete MOSFETs, SiC modules and sub-systems for multiple market sectors.……

 ロームは、産業機器や太陽光発電用パワーコンディショナーなどに内蔵するインバーターやDC-DCコンバーターに向けたフルSiC(炭化ケイ素)パワーモジュールの品ぞろえを拡充した。製品化したのは、定格電圧が+1200 Vで定格電流が300Aと大きい「BSM300D12P2E001」である。従来同社は、+1200V定格の180A品と120A品を投入してきた。これを今回は300Aに引き上げた。SiCパワー素子の配置やモジュール内部の構造を最適化することで、従来品に比べて内部インダクタンスを大幅に低減することに成功した。この結果、大電流化の障害だったサージ電圧を低く抑えられたため、300A品の製品化が可能になったという。……
 2015年4月15日 日刊工業新聞
 ローム、SiCモジュール拡充 300アンぺア品を量産

2015年4月15日 日経産業新聞
デジタルグリッド、電力、施設間で融通自在 再生エネ「指定買い」可能
 東京大学発ベンチャーのデジタルグリッド(東京・文京、陶山茂樹社長)は、電力量を自在に調整して、送電網の経路を指定して送れる機器を独自に開発した。インターネットでデータの流れを制御する技術が発想の原点だ。電力を複数の施設間で融通したり、再生可能エネルギーの導入を増やしたりできる技術として、注目を集めている。……

 Cree Inc of Durham, NC, USA has released a new application note 'Load Pull Validation of Large Signal Cree GaN Field Effect Transistor (FET) Model' describing the accuracy of its large-signal models for RF power transistors, which allow RF design engineers to reduce power amplifier (PA) design iterations, design time, and development costs.……

 矢野経済研究所は4月1日、 2014年度(2014年4月〜2015年3月)の国内の新エネルギー用パワーコンディショナー(PCS)市場が、前の年度に比べ19.5%増の2297億円となる見込みと発表した。
 太陽光発電、風力発電、燃料電池、蓄電池向けのPCSを対象とし、メーカーの出荷金額ベースで算出した。……

2015年4月3日 TechOn!
自動車とエレクトロニクス、歴史に見る密な関係
カー・エレクトロニクス技術を理解する【第1回】

 クルマの性能はエレクトロニクス技術が決める─。こういわれて久しいが、今なおさまざまな技術が次々と搭載され、クルマは進化し続けている。そのカー・エレクトロニクスの歴史と共に成長し、クルマの電子化を支えてきたデンソーの技術陣が、4回にわたってカー・エレクトロニクス全体を俯瞰しながら、ポイントとなる技術の基礎について解説する。今回は、自動車とエレクトロニクスの歴史を振り返りながら、その密接な関連性について考察する。……
第2回〜最終回の解説記事
 【第2回】EVの課題をクリアしたHEV、システムと制御を徹底解剖
 【第3回】HEV用システムの主要部品、モータとインバータを探る
 【最終回】電源と高電圧補機を探る、カーエレの将来動向も展望

2015年4月1日 日刊工業新聞
ローム、インバーター制御対応のパワー半導体モジュール開発 8月に量産開始
 ロームはエアコンなどのインバーター制御に適したパワー半導体モジュールを開発した。8月に月産3万個体制で量産を始める。金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とゲートドライバーによるモジュール「BM65364S-VA/VC」で定格電流15アンぺア、耐圧600ボルト。消費税抜きのサンプル価格は3000円。前工程はローム浜松(浜松市南区)など国内3工場で、後工程はタイで生産する。……

 Energized by growing demand for power supplies, hybrid and electric vehicles, photovoltaic (PV) inverters and other established applications, the emerging global market for silicon carbide and gallium nitride power semiconductors will grow by a factor of 17 over the 10 years from 2013 (just $150m) to 2023 ($2.5bn), forecasts market research firm IHS Inc in the report 'The World Market for SiC & GaN Power Semiconductors - 2014 Edition'. ……

 Funded by Science Foundation Ireland (SFI), Invest Northern Ireland (InvestNI) and the US National Science Foundation (NSF) government agencies through the US-Ireland R&D Partnership program, over €1m has been awarded for the project 'Nano-GaN Power Electronic Devices'.……

 ロームは、低オン抵抗のパワーMOSFETを採用したインテリジェント・パワー・モジュール(IPM)「BM65364S-VA/-VC」を発売した。省エネ家電や産業用電子機器などに搭載する小容量のモーターをインバーター駆動する用途に向ける。すでにサンプル出荷を始めている。量産は2015年8月に、月産3万個規模で開始する予定だ。……

2015年3月31日 EDN Japan
これだけは知っておきたいアナログ用語:
GaN(窒化ガリウム)

 GaN(窒化ガリウム)とは、次世代パワー・デバイス(パワー半導体)に用いられる半導体材料のこと。GaNパワー・デバイスを、既存のSi(ケイ素)パワー・デバイスの代わりにDC/DCコンバータやインバータなどの電源装置に搭載すれば、電力変換効率の向上や装置の小型化などを実現できる。SiC(シリコン・カーバイド)とともに、次世代パワー・デバイスを実現する材料として普及が期待されている。……

2015年3月31日 CompoundSemiconductor
SiC and GaN power market to grow by factor of 17
 The emerging market for SiC and GaN power semiconductors is forecast to grow by a factor of 17, during the next 10 years, energised by growing demand for power supplies, hybrid and electric vehicles, photovoltaic (PV) inverters and other established applications.
  Worldwide revenue from sales of SiC and GaN power semiconductors is projected to rise to $2.5 billion in 2023, up from just $150 million in 2013, according to ‘The World Market for SiC & GaN Power Semiconductors - 2014 Edition’ a new report from IHS Inc.  ……

2015年3月25日 日刊工業新聞
ローム、SiC・MOSFET特化 AC/DCコンバーター制御IC量産へ
 ロームは産業機器向けに高耐圧で、交流から直流電圧に変換するAC/DCコンバーターを制御するIC「BD7682FJ―LB」を開発し、8月からサンプル出荷を始める。炭化ケイ素(SiC)による金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の制御、駆動に特化したもので、2016年春ごろまでに量産。同ICの投入で、SiC・MOSFETの電源での採用を加速したい考え。
 同社では産業用に交流400ボルト前後の電圧を使う欧州など向けで、SiC・MOSFETの高耐圧という特性が生かせると判断した。……
 2015年3月25日 TechOn!
 ローム、SiCパワーMOSFETを使うAC/DCコンバーターに向けた電源制御ICを開発

 The UK Government's Universities Minister Greg Clark MP has unveiled a £17.3m funding award that will underpin the Compound Semiconductor Research Foundation - the first of its kind in the UK, with potential to become one of the leading clusters in Europe (joining four existing European semiconductor clusters), it is reckoned.
 Earmarked for the Cardiff University's Innovation Campus, the foundation aims to drive the testing and development of technology that lies behind global 'megatrends' including smart-phones and tablets, powering change across sectors including healthcare, biotechnology and mass communications.……

 Researchers at University of Notre Dame (UND) in the USA have claimed record high breakdown voltage for aluminium gallium nitride (AlGaN/GaN) lateral Schottky barrier diodes (SBDs) on silicon [Mingda Zhu et al, IEEE Electron Device Letters, published online 16 February 2015]. Two researchers from IQE LLC in the USA were also involved in the work.
 The team achieved a breakdown voltage (BV) of 1.93kV (Figure 1). The researchers comment that "this BV value is the highest among the reported GaN-on-silicon diodes" and that the devices are comparable in performance with "state-of-the-art GaN diodes on SiC, sapphire and bulk GaN substrates". While devices grown on these latter substrates benefit from lower dislocation density in the nitride semiconductor material, the cost of silicon is much lower.……

 東芝は、パワー半導体、白色LEDなどのディスクリート半導体の開発効率向上を図るため、加賀東芝エレクトロニクス(以下、加賀東芝)に新しい技術棟を建設する。建設は2015年3月25日に開始し、同年9月に竣工予定である。……

2015年3月23日 semiconductorTODAY
Flip-chip packaging and gallium nitride power transistors
 Researchers in Taiwan have been studying the effects of flip-chip packaging on the performance of gallium nitride (GaN) high-electron-mobility transistors (HEMTs) [Szu-Ping Tsai et al, Appl. Phys. Express, vol8, p034101, 2015]. Packaging three devices in parallel, the team from National Chiao-Tung University and Yuan Ze University found increased output current and reduced on-resistance, along with greater temperature insensibility. The researchers comment: "Superior performance such as this makes flip-chip packaging a potential technology for high-power GaN electronic applications."……

 米ON Semiconductor社と米Transphorm社は、+600V耐圧のGaNパワートランジスタを発売した。両社は2014年9月に、GaNパワートランジスタの共同開発と共同販売に関する提携を発表しており、今回の製品発表はその成果の第一弾となる。ACアダプターや小型のスイッチング電源(AC-DCコンバーター)などに向ける。……

 M/A-COM Technology Solutions Inc of Lowell, MA, USA (which makes semiconductors, components and subassemblies for analog RF, microwave, millimeter-wave and photonic applications) has launched a 650W gallium nitride (GaN) on silicon carbide (SiC) HEMT pulsed power transistor for L-band pulsed avionics applications, available in standard flange (MAGX-000912-650L00) or earless flange (MAGX-000912-650L0S) packaging.……

 At the 30th IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC 2015) in Charlotte, NC, USA (15-19 March), Transphorm Inc of Goleta, near Santa Barbara, CA, USA (which designs and provides gallium nitride-based power conversion devices and modules) has announced that it is offering engineering samples of its TPH3205WS transistor, the first 600V gallium nitride (GaN) transistor in a TO-247 package, it is claimed.
 Offering 63mΩ R(on) and 34A ratings, the device uses the firm's Quiet Tab source-tab connection design, which reduces electromagnetic interference (EMI) at high dv/dt to enable low switching loss and high-speed operation in power supply and inverter applications. The new device extends Transphorm's EZ-GaN product portfolio to now support photovoltaic (PV) inverter designs with power levels ranging from a few 100W (micro-inverters) to several kW (residential central inverters).……

 米Texas Instruments(TI)社は、GaNパワー素子2個と同素子用ドライバーを1パッケージに封止したMCM(マルチチップモジュール)「LMG5200」を開発し、サンプル出荷を開始した。パッケージはQFNで、大きさは8mm×6mmと小さい。最大入力電圧は80Vで、出力電流は定格10Aである。LMG5200を搭載した評価基板も提供する。LMG5200のサンプル価格は50米ドルで、評価基板は299米ドルである。通信機器や産業機器などに向ける。……

 Cree Inc of Durham, NC, USA, which manufactures silicon carbide (SiC)-based power products, says it has demonstrated that its SiC MOSFET and diode technologies enable what are claimed to be previously unattainable levels of power density in string solar inverter products, yielding ultra-high efficiencies (greater than 99.1% at peak) at one-fifth the average size and weight of existing silicon-based inverter units.
 Historically, efficiency, reliability and unit cost have been the three primary metrics that designers of string solar inverters have sought to optimize. However, in recent years size and weight have proven to significantly affect overall system cost, and have subsequently been added to a designer's list of essential design metrics, says Cree.……

 GaN Systems Inc of Ottawa, Ontario, Canada, a fabless producer of gallium nitride (GaN)-based power switching transistors based on its proprietary Island Technology for power conversion and control applications, has announced new top-side cooling technology in its range of high-power enhancement-mode devices.
 Top-side cooling enables the use of conventional, well-understood PCB cooling techniques when incorporating the firm's devices into the latest designs for products such as inverters, uninterruptible power supplies (UPS), hybrid electric vehicles/electric vehicles (HEV/EV), high-voltage DC-DC conversion, and consumer products such as TVs. ……

 At the 30th IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC 2015) in Charlotte, NC, USA (15-19 March), Transphorm Inc of Goleta, near Santa Barbara, CA, USA (which designs and provides gallium nitride-based power conversion devices and modules) - in partnership with ON Semiconductor - has announced the introduction of two co-branded 600V gallium nitride (GaN) cascode transistors and a 240W reference design that utilizes them. ……

2015年3月13日 TechOn!
日本のノーベル賞報道はおかしい、中村氏が6000人の前で異議
第62回応用物理学会春季学術講演会から

 2015年3月13日、青色LEDの発明で2014年のノーベル物理学賞を受賞した、名城大学の赤崎勇氏と名古屋大学の天野浩氏、UCSBの中村修二氏が「第62回応用物理学会春季学術講演会」で講演した。受賞者3氏が国内で講演するとあって、多くの来場者が詰め掛けた。学会関係者の発表によれば、会場にはおよそ3000人が集まり、ライブ配信を見ている人々も合わせると6000人以上が講演を視聴したという。
 受賞者3氏の講演の中で大いに会場を沸かせたのが中村氏だ。同氏は冒頭で、今回のノーベル物理学賞受賞に関する日本での報道に、疑問を呈した。……


 米Fairchild Semiconductor社は、オン抵抗を削減した+800V耐圧のパワーMOSFETを発売した。同社の「SuperFET II MOSFET」ファミリーに含まれる製品で、パッケージとオン抵抗の違いで26製品を用意した。「+600V/650V品よりも高い耐圧が求められる電子機器向けであり、そうした機器の変換効率とコスト効率、信頼性を高められる」(同社)という。具体的な用途としては、LED照明器具や、薄型テレビ(LEDバックライト用電源)、ホームシアター向けオーディオ機器、ACアダプター、 サーバー、産業用電子機器、太陽光発電向けマイクロコンバーターなどを挙げている。……

 三菱電機は、第4世代(4G)移動通信のマクロセル基地局の電力増幅器に使う高周波デバイスの新製品として、出力電力が100Wと高いGaN HEMT「MGFS50G38FT1」を発売する。基地局の高出力化によるカバーエリア拡大に貢献するという。動作周波数は3.4G〜3.8GHz。高出力モード時の出力電力は50dBm(100W)、線形利得が17dB、ドレイン効率は74%である。……